日本開發出可望替代藍色LED基板的2英寸SCAM晶體
發布時間:2014-08-19 責任編輯:echotang
【導讀】:SCAM更適合減少GaN類半導體的結晶缺陷,因此有望提高發光元件的亮度。SCAM的特點是與GaN的晶格失配度僅1.8%,不容易產生晶格位錯這種結晶缺陷。
日本福田結晶技術研究所成功試製出了口徑為50mm(2英寸)的ScAlMgO4(SCAM)晶體。設想用於藍色LED元件及藍紫色半導體激光器等GaN類發光元件的基板。與製造藍色LED元件的基板大多使用的藍寶石相比,SCAM更適合減少GaN類lei半ban導dao體ti的de結jie晶jing缺que陷xian,因yin此ci有you望wang提ti高gao發fa光guang元yuan件jian的de亮liang度du。據ju該gai研yan究jiu所suo介jie紹shao,日ri本ben東dong北bei大da學xue金jin屬shu材cai料liao研yan究jiu所suo鬆song岡gang隆long誌zhi教jiao授shou的de研yan究jiu小xiao組zu利li用yong試shi製zhi品pin層ceng疊dieGaN類半導體設計了LED,證實了該材料的有用性。
SCAM的特點是與GaN的晶格失配度僅1.8%,不容易產生晶格位錯這種結晶缺陷。雖然以前業內認為很難製作SCAM晶體,但福田結晶技術研究所采用CZ法試製成功了2英寸的高品質SCAM晶體。據該研究所介紹,通過改善晶體生長的條件和晶體生長爐的結構,提高了結晶品質。該研究所劈開試製出的SCAM晶體,利用X射線衍射法評估了其C麵,結果發現其半幅值為12.9秒,結晶品質跟Si的完全結晶相當。

另外,該研究所不用切割和研磨加工工藝,而是利用SCAM晶體塊通過劈開加工做成了晶圓。此舉可降低晶圓的成本。利用有機金屬化學氣相沉積法使GaN薄膜在1040℃下垂直於SCAM晶體的劈開麵生長,結果獲得了鏡麵的低位錯晶體。這也是一大成果。
福田結晶技術研究所今後將設法繼續增大SCAM晶體的口徑,還將對其進行商業化運作。福田結晶技術研究所將於2015年春季開始銷售2英寸的SCAM基板。
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