嚴格的LED電流調節是LED照明的另一個重要要求。高度集成的PWM控(kong)製(zhi)器(qi)應(ying)實(shi)現(xian)精(jing)確(que)的(de)恒(heng)流(liu)控(kong)製(zhi)功(gong)能(neng)，以(yi)保(bao)持(chi)準(zhun)確(que)的(de)輸(shu)出(chu)電(dian)流(liu)與(yu)輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)和(he)輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)的(de)變(bian)化(hua)之(zhi)間(jian)的(de)關(guan)係(xi)。由(you)於(yu)輸(shu)出(chu)電(dian)流(liu)是(shi)穩(wen)態(tai)下(xia)輸(shu)出(chu)二(er)極(ji)管(guan)電(dian)流(liu)的(de)平(ping)均(jun)值(zhi)，因(yin)此(ci)可(ke)以(yi)使(shi)用(yong)MOSFET的(de)峰(feng)值(zhi)漏(lou)極(ji)電(dian)流(liu)和(he)電(dian)感(gan)器(qi)電(dian)流(liu)的(de)放(fang)電(dian)時(shi)間(jian)來(lai)估(gu)算(suan)輸(shu)出(chu)電(dian)流(liu)。將(jiang)該(gai)輸(shu)出(chu)電(dian)流(liu)信(xin)息(xi)與(yu)內(nei)部(bu)精(jing)確(que)基(ji)準(zhun)進(jin)行(xing)比(bi)較(jiao)，以(yi)生(sheng)成(cheng)確(que)定(ding)占(zhan)空(kong)比(bi)的(de)誤(wu)差(cha)電(dian)壓(ya)。

 

通常，對於PSR
，首選DCM操作，因為它可以提供更好的輸出調節。PWM控製器將需要相對於輸出電壓線性地改變其工作頻率，以確保DCM工作。在PSR拓撲中獲得輸出電壓信息的一種方法是通過連接到VS引腳的電阻分壓器感測輔助繞組電壓。當輸出電壓降低時，次級二極管的導通時間會增加，PWM控製器的線性頻率控製功能會延長開關周期。頻率控製還降低了初級均方根電流，從而提高了電源效率。

 

為了實現穩定運行，PWM控製器還應提供保護功能
，例如LED開路
，LED短路和過熱保護。一個重要的要求是電流限製水平會自動降低
，以最小化輸出電流並在短路的LED條件下保護外部組件。

 

董事會評估

 

高度集成的PWM控製器FL7733A可以滿足上述所有要求，並可以為LED照明應用提供最簡化的設計。選擇了額定功率為20W的LED照明電源板，以與FairchildSuperFET®2MOSFET一起評估FL7733A。SuperFET®2MOSFET是最新一代的超結技術。除了低導通電阻外，SuperFET®2MOSFET還實現了在輸出電容（Eoss）中更少的存儲能量。Eoss對於低功率開關LED照明解決方案很重要，因為在每個開關周期都會發生能量耗散。

 

基於FL7733A的20W LED轉換器的功率因數和總諧波失真

 

圖2顯示了啟動後10分鍾使用額定LED負載時的PF和THD結果。測得的溶液超出了標準，PF大於0.98，THD性能小於10％。

 

MOSFET的係統效率

 

圖3是各種交流輸入的效率測試結果。SuperFET®2jishuzaizhenggeshurufanweineixianshichuzuijiaxiaolv。gaoshurudianyaxiadegenghaojieguoshishuchudianrongzhongcunchudenengliangruheyingxiangxitongxiaolvdeyigehenhaodelizi。youyujingzhengduishoudeMOSFET具有與SuperFET®2MOSFET相同的導通電阻，因此可以認為效率差距是由開關損耗引起的。

 

存儲在輸出電容中的能量

 

如圖4所示，隨著漏極-源極電壓的增加，競爭對手MOSFET在輸出電容中保持更多能量。這意味著在較高的輸入電壓下導通期間會耗散更多的功率。在圖3中，設備級別的特性與電路板級別的測試結果完全匹配。

 

結論

 

LED照明電源需要高功率因數，高效率，隔離的次級側才能滿足安全標準，並且由於空間有限而需要的組件更少。FL7733A與SuperFET®2MOSFET一起提供了滿足這些要求的完整解決方案。