產品特性：

• 600V N溝道MOSFET晶體管
• 導通電阻:0.060歐姆，低損耗
• TO-247封裝
• 最大漏極電流達到51A
• 恢複時間短

應用範圍：

• 再生能源控製器
• 以能效為中心的應用環境

意法半導體推出快速恢複MOSFETjingtiguanxinchanpinxilie

，yongyubaokuozaishengnengyuankongzhiqizaineideyinengxiaoweizhongxindeyingyongxuqiu。xinchanpinzaixianyouchanpindejichushangtigaolekaiguanxingneng，tongshihaishidaotongdianzushixianchaoguo18%的降幅。

STW55NM60ND是新的超結FDmesh™ II係列產品的首款產品，這是一款600V N溝道MOSFET晶體管
，0.060歐姆的導通電阻在快速恢複MOSFET晶體管市場上創下最低記錄，采用工業標準的TO-247封裝。由於最大漏極電流達到51A，在對空間有嚴格要求的電信設備和服務器係統轉換器中，可以用一個MOSFET晶體管替代多個標準器件。再加上降低的損耗實現更高的熱管理效率，新產品讓設計工程師大幅度提高功率密度。

為把這些改進的性能變為現實，ST對FDmesh超結架構進行了技術改進，在傳統的帶狀MOSFET結構中融合垂直結構，同時還內置一個速度更快、可靠性更強的本征體二極管。除降低導通電阻和恢複時間外，通過降低柵電容、zhadianhehezhashurudianzu，zhexiejishugailianggengnengtigaokaiguanxiaolv，jiangdiqudongsunhao。zaikaiguanqijiantigaodekekaoxing，tebieshizaiqiaoshituopuzhong，baokuozaidifuzaixiadelingyakaiguan（ZVS）結構，使新產品具有很高的dv/dt值。

采用這項技術的未來產品還將提供更多的封裝選擇和電流性能，每款封裝都讓快速恢複MOSFET晶體管具有很低的導通電阻。其中，STP30NM60ND采用TO-220封裝

，額定漏極電流25A，導通電阻0.13歐姆
；STD11NM60ND采用DPAK貼裝封裝，漏極電流10A，導通電阻0.45歐姆；ST的FDmesh II係列產品將不斷推出新產品，以擴大電壓和電流性能的選擇範圍
，後續產品將采用業內標準的功率封裝。