產品特性：

• 采用MICRO FOOT芯片級封裝
• 1.2mm×1.0mm 的超小占位麵積
• 1.2 V 時0.084 Ω的低導通電阻範圍

應用範圍：

• 手機、PDA、
• 數碼相機、MP3 播放器
• 智能電話

日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位麵積以及 1.2 V 時超低的導通電阻。

隨(sui)著(zhe)便(bian)攜(xie)式(shi)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)的(de)體(ti)積(ji)越(yue)來(lai)越(yue)小(xiao)

，以(yi)及(ji)它(ta)們(men)功(gong)能(neng)的(de)不(bu)斷(duan)增(zeng)加(jia)，電(dian)源(yuan)管(guan)理(li)電(dian)路(lu)的(de)可(ke)用(yong)板(ban)麵(mian)空(kong)間(jian)會(hui)極(ji)大(da)減(jian)少(shao)。為(wei)實(shi)現(xian)消(xiao)費(fei)者(zhe)對(dui)電(dian)池(chi)充(chong)電(dian)間(jian)隔(ge)間(jian)的(de)電(dian)池(chi)運(yun)行(xing)時(shi)間(jian)的(de)期(qi)望(wang)
，設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)需(xu)要(yao)具(ju)有(you)低(di)功(gong)耗(hao)的(de)更(geng)小(xiao) MOSFET 封裝 — 這恰恰是新型 Vishay Siliconix Si8445DB所具有的特點。

憑借 1.2mm×1.0mm 的超小占位麵積，Si8445DB比業界大小僅次於它的器件小20%，同時具有 0.59mm 的相同超薄厚度。Si8445DB具有 1.2V VGS時 0.495Ω～4.5V VGS時 0.084 Ω的低導通電阻範圍。1.2 V 時的低導通電阻額定值降低了對電平位移電路的需求
，從而節約了便攜式電子設計中的空間及功率。

該新器件的典型應用將包括手機

、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜式設備中的低閾值負載開關、充電器開關及電池管理。

目前，該新型 MICRO FOOT 芯片級功率 MOSFET 的樣品與量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。