產品特性：

• 最大結溫為 +175°C
• 采用符合 RoHS 的小型封裝
• 提供反向偏置安全運行區
• 擊穿電壓較高且穩定
• 正向壓降極低
• 典型反向漏電流極小

應用範圍：

• 高功率密度SMPS
  、台式 PC 適配
• 服務器
  
  、汽車驅動器和控製裝置
• 電信網絡
  、消費類電子
• 移動電子設備

日前，Vishay宣布推出適用於高溫應用的新型高性能 Schottky 二極管第 5 代矽平台，以及具有低正向壓降
、低反向漏電流和較高的最大結溫的8款新型器件。

Vishay 新型 Schottky二極管係列采用亞微米溝槽技術
，最大結溫為 +175°C
，適用於汽車及其它高溫應用。器件采用符合 RoHS 的小型封裝，以改善成本能耗比，並提供反向偏置安全運行區 (RBSOA)
，以滿足嚴格、極具成本效益的設計要求。擊穿電壓較高且穩定 (>115 V)
，以提供電壓抑製，優化功率密度
，與前幾代產品相比，該二極管係列的功率密度提升了 30%。即使如此
，新型器件價格還最多可比 Vishay 3.1 代和 2.0 代平麵型器件便宜 10%。

新型二極管適用於交流至直流、次級整流
、反激式
、降壓和升壓轉換器、半橋、反向電池保護、續流
、D 型放大器和直流至直流模塊應用。一般終端產品包括高功率密度 SMPS、台式 PC 適配器

、服務器、汽車驅動器和控製裝置、電信網絡
、PDP、LCD 和高效音頻係統等消費類電子，以及筆記本、移動電話和便攜式媒體播放器等移動電子設備。

新型器件典型正向壓降極低
，範圍由 0.55 V（電流為 8 A）至 0.61 V（電流為 30 A），典型反向漏電流極小，溫度為 125°C 時，範圍由 1 mA 至 5.5 mA，且參數分布非常緊湊。上述器件堅固耐用，具有抗反向雪崩能力，雪崩時部件可得到完全屏蔽，且開關損耗極小。

目前，第 5 代新型 Schottky 二極管係列樣品和量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 8 至 10 周。