產品特性：

• 采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET
• 能夠滿足便攜設計的嚴苛要求
• 采用延長電池壽命的技術，實現更薄
  、更小的應用
• 采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝
• 具有出色的熱阻
  ，能提供超卓的功率耗散，並可減少傳導損耗
• 獲得極低的RDS(ON) 值、柵級電荷 (QG) 和米勒電荷 (QGD)
• 顯箸減少傳導損耗和提升開關性能

應用範圍：

• 便攜應用

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設計人員帶來具有業界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設計的嚴苛要求，采用延長電池壽命的技術，實現更薄、更小的應用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝，相比傳統的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散
，並可減少傳導損耗。該器件采用飛兆半導體性能先進的PowerTrench® MOSFET工藝技術，獲得極低的RDS(ON) 值、柵級電荷 (QG) 和米勒電荷 (QGD) — 這些都顯箸減少傳導損耗和提升開關性能。

FDMA6023PZT 是飛兆半導體全麵的 MicroFET MOSFET 產品係列的一員，在應對當今功能豐富之便攜應用的功率設計挑戰方麵起著關鍵的作用，該產品係列包括20V P溝道 PowerTrench MOSFET 器件FDMA1027PT，以及帶有肖特基二極管的20V P溝道PowerTrench MOSFET器件FDFMA2P853T。與常用於低壓設計的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET器件相比，這些產品的麵積減小了 55% 而高度則降低達 50%。

價格 (訂購1000個

，每個)：0.48美元
供貨：現提供樣品
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