產品特性：

• 950V的擊穿電壓級別
• 可以使用一個單一950V MOSFET取代雙晶體管電路
• 能夠承受高於擊穿電壓的電湧
• 額定雪崩電流為9A
• 導通電阻RDS(ON)被降至1.35歐姆以下

應用範圍：

• 液晶顯示器
• 電視機
• 節能燈鎮流器等產品

日前
，意法半導體推出全新係列功率MOSFET晶體管
，新產品的擊穿電壓更高，抗湧流能力更強，電能損耗更低，特別適用於設計液晶顯示器、電視機和節能燈鎮流器等產品的高能效電源。

STx7N95K3係列為功率MOSFET新增一個950V的擊穿電壓級別產品，此一新級別的產品特別適用於通過把工作電壓提高到400V或更高來降低能耗的係統。與競爭品牌的900V產品相比，意法半導體全新950V功率MOSFET的安全工作麵積更大
，可靠性更高。高壓電源設計人員還可以使用一個單一950V MOSFET取代雙晶體管電路，從而簡化電路設計，縮減尺寸，減少元器件數量。

此外

，STx7N95K3係(xi)列(lie)的(de)額(e)定(ding)雪(xue)崩(beng)電(dian)流(liu)高(gao)於(yu)競(jing)爭(zheng)產(chan)品(pin)，這(zhe)個(ge)優(you)勢(shi)可(ke)確(que)保(bao)產(chan)品(pin)能(neng)夠(gou)承(cheng)受(shou)高(gao)於(yu)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓(ya)的(de)電(dian)湧(yong)，因(yin)為(wei)過(guo)高(gao)的(de)浪(lang)湧(yong)電(dian)流(liu)會(hui)燒(shao)毀(hui)器(qi)件(jian)。新(xin)產(chan)品(pin)的(de)額(e)定(ding)雪(xue)崩(beng)電(dian)流(liu)為(wei)9A，而實力最接近的競爭品牌的900V產品的額定雪崩電流大約隻有1A。

除更強的耐高壓能力外，STx7N95K3係列還實現了導通損耗最小化，導通電阻RDS(ON)被降至1.35歐姆以下。新產品的單位芯片麵積導通電阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%
，設計人員
可以提高功率密度及能效。

同時
，因為達成低柵電荷量(QG)和低本征電容，這些新的MOSFET還能提供優異的開關性能

，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件
，以進一步提高能效和功率密度。

STx7N95K3 MOSFET實現這些性能優勢歸功於意法半導體的最新一代SuperMESH3技術。新產品采用工業標準封裝。STF7N95K3采用 TO-220FP封裝

；STP7N95K3采用標準的TO-220封裝；STW7N95K3采用TO-247封裝。

隨後將推出的新產品是：950V 的BVDSS STW25N95K3
、STP13N95K3

、STD5N95K3和 1200V 的BVDSS STP6N120K3。在推出這些產品後
，意法半導體還將在2009年推出後續產品，包括850V、950V、1050V和1200V係列產品。

STx7N95K3係列已投產。