SiE876DF:Vishay導通電阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET
發布時間:2009-08-26
產品特性:
- 采用SO-8尺寸的PolarPAK封裝
- 10V柵極驅動下的最大導通電阻為6.1Ω
- 可以在更低的結溫下工作
- 漏源電壓等級低於150V,因此能簡化PCB設計
- 通過了Rg和UIS測試
- 工業型電源、馬達控製電路
- 用於服務器和路由器的AC/DC電源
- 使用負載點(POL)功率轉換的係統
- 更高電壓的中間總線轉換(IBC)設計中
N溝道SiE876DF的目標應用是工業型電源、馬達控製電路、用於服務器和路由器的AC/DC電源,以及使用負載點(POL)功率轉換的係統,還可以在更高電壓的中間總線轉換(IBC)設計中用做初級側開關或次級側整流。
在這些應用中,低導通電阻的SiE876DF可以產生更低的傳導損耗,從而節約能源。除了TrenchFET矽技術對降低導通損耗的貢獻外,PolarPAK封裝的雙麵冷卻還能為高電流應用提供更好的熱性能,這樣器件可以在更低的結溫下工作。PolarPAK的引線框封裝設計還能提高保護性能和可靠性,此外,由於矽片不是暴露在外的,這種封裝還能簡化製造過程。器件的布版和其他PolarPAK器件是相同的,漏源電壓等級低於150V,因此能簡化PCB設計。SiE876DF還百分之百通過了Rg和UIS測試。
60V的SiE876DF現可提供樣品,並已實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。
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