DS4625:Maxim推出結構緊湊的雙輸出晶體振蕩器
發布時間:2009-11-03 來源:EDN
產品特性:
DS4625很好地解決了高頻、大電流設計中小尺寸陶瓷封裝常見的散熱問題。集成散熱焊盤為晶體提供有效的散熱通道,確保在-40°C至+70°C溫度範圍內可靠工作。DS4625采用基頻AT切晶體技術製造(無泛音),基於PLL的低噪聲振蕩器采用Maxim的SiGe工藝設計。整個設計方案具有< ±7ppm (10年以上)的超低老化率和優異的頻率穩定性,由電壓、溫度、初始容差和老化引起的變化小於±50ppm。與競爭器件(如:基於SAW的振蕩器設計)相比,DS4625能夠以更小的封裝尺寸提供同等級別的抖動性能,在-40°C至+70°C較寬的溫度範圍內具有更好的穩定性(分別為±50ppm和±100ppm或更大)。
盡(jin)管(guan)三(san)次(ci)泛(fan)音(yin)振(zhen)蕩(dang)器(qi)設(she)計(ji)具(ju)有(you)穩(wen)定(ding)的(de)相(xiang)位(wei)抖(dou)動(dong)指(zhi)標(biao)和(he)良(liang)好(hao)的(de)溫(wen)度(du)穩(wen)定(ding)性(xing),但(dan)隨(sui)著(zhe)封(feng)裝(zhuang)尺(chi)寸(cun)和(he)晶(jing)振(zhen)尺(chi)寸(cun)的(de)減(jian)小(xiao),會(hui)出(chu)現(xian)所(suo)不(bu)希(xi)望(wang)的(de)雜(za)散(san)分(fen)量(liang)。雜(za)散(san)分(fen)量(liang)通(tong)常(chang)受(shou)溫(wen)度(du)影(ying)響(xiang)較(jiao)大(da),導(dao)致(zhi)頻(pin)率(lv)明(ming)顯(xian)偏(pian)離(li)所(suo)要(yao)求(qiu)的(de)標(biao)稱(cheng)值(zhi)。此(ci)外(wai),三(san)次(ci)泛(fan)音(yin)設(she)計(ji)將(jiang)最(zui)大(da)工(gong)作(zuo)頻(pin)率(lv)限(xian)製(zhi)在(zai)大(da)約(yue)200MHz。
DS4625采用可靠的LC-PLL集成電路設計,利用基頻AT切晶體技術,不會產生導致較大頻偏的雜散分量。此外,基於PLL的設計可以很容易地實現622.08MHz甚至更高的工作頻率。DS4625的標準工作頻率組合包括:100/150MHz、125/125MHz、125/156.25MHz、150/150MHz和150/200MHz,也可以聯係工廠定製工作頻率。現可提供樣品。
- 產生兩路100MHz至625MHz範圍的高頻輸出
- 采用5mm x 3.2mm LCC封裝
- 具有業內領先的抖動性能[< 1.0psRMS (12kHz至20MHz)]
- 在-40°C至+70°C溫度範圍內可靠工作
- 采用可靠的LC-PLL集成電路設計,利用基頻AT切晶體技術
- 要求苛刻的通信係統
- 大電流(95mA至105mA,典型值)、高頻(> 100MHz)、差分輸出(LVPECL)應用

DS4625很好地解決了高頻、大電流設計中小尺寸陶瓷封裝常見的散熱問題。集成散熱焊盤為晶體提供有效的散熱通道,確保在-40°C至+70°C溫度範圍內可靠工作。DS4625采用基頻AT切晶體技術製造(無泛音),基於PLL的低噪聲振蕩器采用Maxim的SiGe工藝設計。整個設計方案具有< ±7ppm (10年以上)的超低老化率和優異的頻率穩定性,由電壓、溫度、初始容差和老化引起的變化小於±50ppm。與競爭器件(如:基於SAW的振蕩器設計)相比,DS4625能夠以更小的封裝尺寸提供同等級別的抖動性能,在-40°C至+70°C較寬的溫度範圍內具有更好的穩定性(分別為±50ppm和±100ppm或更大)。
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DS4625采用可靠的LC-PLL集成電路設計,利用基頻AT切晶體技術,不會產生導致較大頻偏的雜散分量。此外,基於PLL的設計可以很容易地實現622.08MHz甚至更高的工作頻率。DS4625的標準工作頻率組合包括:100/150MHz、125/125MHz、125/156.25MHz、150/150MHz和150/200MHz,也可以聯係工廠定製工作頻率。現可提供樣品。
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