產品特性：

• 推出高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管
• 是500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET
• 提供有競爭力的低導通阻抗實現極低的功率耗散

應用範圍：

• 非常適合用於遊戲機、打印機和筆記本電源適配器等

應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)係列。這些新方案的設計適合功率因數校正(PFC)和脈寬調製(PWM)段等高壓
、節能應用的強固要求
，在這些應用中，加快導通時間及降低動態功率損耗至關重要。具體而言，這些方案非常適合用於遊戲機、打印機和筆記本電源適配器，及應用於ATX電源
、液晶顯示器(LCD)麵板電源和工業照明鎮流器。

這些新的500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET，以提供有競爭力的低導通阻抗(RDS(on))實現極低的功率耗散。這些器件使用平麵條形(planar stripe)jishu，nengzaijikekeyingyongzhonggongzuo。dimendianhejiangdikaiguansunhao，haitigaodianyuannengxiao。zhexieqijiandeedingxuebengnengliangzaidianyuanyingyongzhongtigongqianggudegongzuo。zhexieqijiandeyouyixingnengzuhebangzhukaifagenggaonengxiaodedianyuanzixitong。

安森美半導體MOSFET產品分部副總裁兼總經理Paul Leonard說：“推出這些器件係列僅是安森美半導體進軍高壓功率MOSFET市場的第一步。我們戰略性地進入了高壓開關市場，提供充沛的500 V到600 V負載開關方案選擇，更好地服務我們客戶的總體電源管理需求。未來我們將繼續擴充高壓功率MOSFET產(chan)品(pin)陣(zhen)容(rong)，為(wei)消(xiao)費(fei)及(ji)工(gong)業(ye)客(ke)戶(hu)提(ti)供(gong)針(zhen)對(dui)性(xing)的(de)方(fang)案(an)。這(zhe)些(xie)新(xin)器(qi)件(jian)的(de)推(tui)出(chu)是(shi)安(an)森(sen)美(mei)半(ban)導(dao)體(ti)不(bu)斷(duan)加(jia)強(qiang)其(qi)業(ye)界(jie)領(ling)先(xian)高(gao)能(neng)效(xiao)電(dian)源(yuan)方(fang)案(an)供(gong)應(ying)商(shang)地(di)位(wei)的(de)又(you)一(yi)實(shi)例(li)。”

新推出的600 V MOSFET器件包括：
- NDD02N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.22美元
- NDD02N60ZT4G
，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.22美元
- NDD03N60Z-1G
，采用IPAK封裝
，每10,000片批量的單價為0.23美元
- NDD03N60ZT4G，采用DPAK封裝
，每10,000片批量的單價為0.23美元
- NDD04N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.27美元
- NDD04N60ZT4G
，采用DPAK封裝
，每10,000片批量的單價為0.27美元
- NDF04N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價為0.27美元
- NDF06N60ZG

，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價為0.36美元
- NDF10N60ZG
，采用TO-220FP封裝
，每10,000片批量的單價為0.42美元

新推出的500 V MOSFET器件包括：
- NDD05N50Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.29美元
- NDD05N50ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.29美元
- NDF05N50ZG
，采用TO-220FP封裝
，每10,000片批量的單價為0.29美元
- NDF08N50ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價為0.38美元