新聞事件：

• 羅姆將出席西部電子論壇，在“新型節能設計技術研討會”上開展技術講座
• 羅姆力推SiC技術，介紹SiC產品及SiC器件的應用設計

事件影響：

• 羅姆積極布局西部新能源與節能設計市場

十年西部大開發為西部的基礎設施和民生帶來重大提升
，同時也推動了西部電子產業的發展。目前我國西部已形成重慶、成都和西安為代表的三個產值過千億的電子產業中心。西部巨大的市場需求
、人ren才cai儲chu備bei和he成cheng本ben優you勢shi也ye正zheng在zai吸xi引yin眾zhong多duo知zhi名ming電dian子zi企qi業ye加jia速su進jin駐zhu西xi部bu
，這zhe也ye帶dai來lai了le西xi部bu電dian子zi研yan發fa活huo動dong的de持chi續xu活huo躍yue。因yin應ying這zhe樣yang的de趨qu勢shi，全quan球qiu知zhi名ming元yuan器qi件jian廠chang商shang羅luo姆mu早zao在zai兩liang年nian前qian就jiu開kai始shi積ji極ji進jin行xing西xi部bu布bu局ju，陸lu續xu在zai西xi安an、成都和重慶三地設立了辦事處和技術中心，實現對客戶的本地支持，開展與西部電子企業的合作。

羅姆認為，近年來，西部地區以其獨特優勢正在快速承接電子製造的產業轉移，其巨大的發展潛力已經吸引一批又一批電子企業落戶——英特爾、摩托羅拉投資成都，富士康、惠普入駐重慶

，中興、華為進軍西安……為(wei)這(zhe)一(yi)地(di)區(qu)帶(dai)來(lai)數(shu)千(qian)億(yi)元(yuan)的(de)電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)套(tao)商(shang)機(ji)。目(mu)前(qian)羅(luo)姆(mu)正(zheng)在(zai)與(yu)西(xi)部(bu)大(da)型(xing)電(dian)子(zi)企(qi)業(ye)展(zhan)開(kai)合(he)作(zuo)，憑(ping)借(jie)一(yi)體(ti)化(hua)的(de)本(ben)地(di)市(shi)場(chang)和(he)技(ji)術(shu)優(you)勢(shi)與(yu)客(ke)戶(hu)共(gong)同(tong)研(yan)討(tao)應(ying)對(dui)最(zui)新(xin)的(de)技(ji)術(shu)要(yao)求(qiu)，並(bing)提(ti)出(chu)最(zui)完(wan)善(shan)的(de)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)。與(yu)此(ci)同(tong)時(shi)，羅(luo)姆(mu)和(he)部(bu)分(fen)西(xi)部(bu)高(gao)校(xiao)之(zhi)間(jian)也(ye)正(zheng)進(jin)行(xing)著(zhe)戰(zhan)略(lve)合(he)作(zuo)——與電子科技大學共同研究的SiC防靜電仿真實驗已完成建模，進入優化對策階段
；同時羅姆和西安交通大學之間在電源
、風電和太陽能方麵的合作也已步入正軌。

在zai西xi部bu潛qian力li巨ju大da的de市shi場chang中zhong
，羅luo姆mu最zui為wei看kan重zhong的de是shi新xin能neng源yuan與yu節jie能neng設she計ji相xiang關guan的de市shi場chang。羅luo姆mu表biao示shi，在zai科ke技ji部bu發fa布bu的de十shi二er五wu規gui劃hua中zhong，將jiang新xin能neng源yuan汽qi車che和he節jie能neng環huan保bao列lie為wei重zhong點dian發fa展zhan產chan業ye
，這zhe些xie產chan業ye也ye將jiang成cheng為wei西xi部bu地di區qu未wei來lai的de發fa展zhan重zhong點dian。新xin能neng源yuan汽qi車che、新能源利用和節能設計注重能效與可靠性，而羅姆的SiC器件的應用就可以顯著提高係統能效與可靠性。

SiC功率器件是一種新型功率器件
，SiC的導通電阻隻有Si的1/5，開關速度高，在250度高溫可正常工作，適用於太陽能發電，風力發電等的DC/AC轉換器，混合動力車和電動汽車用的充電器
，以及工業生產設備和空調的功率逆變器等。2009年SiC晶圓供應商德國的SiCrystal公司加入羅姆，從而使羅姆確立了SiC器件一條龍的生產體係。2010年，羅姆推出低功耗、高電壓的SiC肖特基二極管SCS110A係列產品，並且開始量產SiC晶體管（DMOSFET），正在推進新一代SiC製Trench MOS的開發。而且，羅姆成功地進行了高速
、高溫工作的SiC功率模塊的試製。目前，羅姆計劃將推出采用了SiC-MOSFET和SiC二極管的FULL SiC POWER MODULE（全SiC功率模塊）產品。

8月23日和25日
，羅姆技術專家將出席由中國（西安）電子展和CNT Networks
、China Outlook Consulting聯手推出的西部電子論壇
，並在“新型節能設計技術研討會”上進行專門的技術講座，特別介紹最新的SiC產品，以及SiC器件的應用設計。有關羅姆技術講座詳情請關注：http://wap.0-fzl.cn/seminar。