電源管理:滿足複雜DC-DC功率轉換要求
發布時間:2011-09-30
中心議題:
引言
在測試測量設備或嵌入式計算等工業應用中,嵌入式DC-DC轉換器的係統架構可能相當複雜,在輸出電壓和電流、紋波、EMI及上電順序等許多不同方麵都有相關要求。本文主要探討了DC-DC應用中轉換器功率級選擇的影響。
先進嵌入式DC-DC轉換器的要求
許多工業係統,如測試測量設備,都需要嵌入式DC-DC轉換器,是因為這些應用所需的計算能力日益增加。這種計算能力由DSP、FPGA、數字ASIC和微控製器提供,而得益於工藝幾何尺寸的日益縮小,該類器件在不斷的進步。另一方麵,這也帶來了三大要求:第一,電源電壓越來越低(當然,還有容許的電壓紋波和負載變化);其次,電源電流逐漸變大;第三,這些IC通常需要為內核和I/O結構以準確的順序提供單獨的電壓,以避免閂鎖現象的發生。
嵌入式DC-DC轉換器必須具有出色的效率。這類轉換器的可用空間很小,對於熱設計尤其具有挑戰性,因為嵌入式轉換器主要依賴PCB上shang元yuan件jian周zhou圍wei的de銅tong麵mian積ji來lai改gai善shan係xi統tong熱re阻zu抗kang。由you於yu功gong耗hao與yu電dian流liu的de平ping方fang成cheng正zheng比bi,隨sui著zhe負fu載zai電dian流liu的de增zeng加jia,這zhe種zhong情qing形xing會hui更geng加jia惡e化hua。因yin此ci這zhe時shi需xu要yao低di導dao通tong阻zu抗kangRDSON、低開關損耗的電源開關。不過鑒於器件的導通阻抗RDSON越低,寄生電容乃至開關損耗就越高,最終功耗也越高,故必需進行一定的權衡取舍。嵌入式DC-DC轉換器的另一個主要要求是EMI必需低。這些轉換器產生的噪聲會對周圍的電路造成幹擾,因而必須盡可能地小。不過,高速(以降低開關損耗)轉換大電流(若負載所需)不可避免地會產生很大的開關噪聲,包括傳導噪聲和輻射噪聲(主要是磁場)。因此,必需特別關注功率級元件選擇和布局的優化,尤其是在驅動器連接方麵。此外,PWM控製拓撲也有一定影響。
舉例來說,采用0.09μm技術的數字IC可能需要1.2V±40mV的電源電壓。根據該DSP的數據表,其電源電流可高達952mA.另一個例子是65nm工藝製造的大尺寸FPGA,1.0V +/-50mV電源電壓、85℃時,需要4.2 A的閑置電源電流。在工作模式下,按照具體配置情況,電流可增至18A,因在高開關頻率下,動態要求非常高。
這些應用中包含多個不同IC相當常見,譬如,由一個較小的微控製器(電源電壓較高時)來負責所有的接口和主機功能,利用一個較大的DSP或專用硬件來執行計算密集型功能。很多時候,還專門使用另有一套電壓要求的高性能A/D轉換器來改善噪聲性能,真正充分利用這些轉換器的分辨率和帶寬。這些趨勢催生出具有眾多相倚關係的複雜的功率管理係統。
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模塊化控製提升係統設計
一個應用建議是把DC-DC轉換器盡可能靠近負載放置。這樣做可以把EMI降至最低、減小寬的大電流線跡所占用的板空間,並改進轉換器的動態特性。“分布式”功率管理係統應運而生,在這種係統中,所有轉換器都理想地彼此相連。能夠與其它轉換器在網絡中協同工作的一個控製器例子是FD2004,如圖1的模塊示意圖所示。
FD2004是Digital-DC產品係列的一員,整合了數字環路控製和高集成度功率管理功能。這種控製器及其同係列產品,可通過SMBus (係統管理總線)與主控製器和其它DC-DC轉換器相連接,輕鬆實現許多不同的功能,如轉換器的係統內配置、上電順序、餘量功能(margining)、故障保護以及係統監控。所有這些功能都有助於縮短上市時間,更重要的是,提高係統可靠性。
FD2004可以與外部柵極驅動器(如FD1505)和分立式MOSFET,或是集成了驅動器與MOSFET的單封裝DrMOS產品協同工作。它還可以在獨立式應用中通過電阻來編程—特別地,輸出電壓的最大值由電阻設定,且利用軟件命令設定的電壓最大值不得超過10%以上,以保護負載。在需要較大電流的應用中,如多相轉換器,所選的架構可實現多達8個相位的電流共享,而且可在輸出功率較低時實現切相(phase shedding)來保持高效率。該款控製器基於帶自適應性能算法和環路補償的數字控製環路,支持高達1.4MHz的開關頻率。時鍾同步可協助提升EMI性能。對於同時需要集成式驅動器和分立式外部MOSFET的應用,FD2006也是個不錯的選擇。
對輸出電流較低的係統電壓,集成式DC-DC轉換器值得推薦,此時,PCB麵積和易於使用都是最重要的考慮因素。數字轉換器,如FD2106 (6A max),象Digital-DC係列的其它產品一樣具有通信功能,可與分立式MOSFET或基於DrMOS等能提供更大電流的轉換器一起使用。對獨立式應用而言,由於不需要與係統內其它轉換器連接,還可以采用集成式轉換器(如飛兆半導體的FAN2106)。
數字功率管理係統的控製器和轉換器鏈可通過圖形用戶接口來控製,很容易對所有參數和係統性能監控進行修正。這種軟件運行在PC機上,並經由USB接口與控製器連接。當參數全都良好時,它們被儲存在控製器的非易失性存儲器中,這樣PC機就不再需要運行係統了。

1.帶驅動器和MOSFET的分立式解決方案現在仍在普遍使用。為滿足所有設計要求,現在飛兆半導體提供的采用小尺寸熱性能增強型MLP(QFN)封裝的產品,可獲得高係統性能。MOSFET實現了首先采用MLP封裝(見圖3所示)。其Power56和Power33產品係列采用最新的PowerTrench技術,能夠同時提供超低RDSon和低Qg,從而適用於高開關頻率應用。鍵合技術可減小封裝的電感,提高封裝有限的ID,適用於大電流應用。其低端FET產品組合采用SyncFET集成了肖特基二極管,在實現高開關性能的同時降低了熱耗。
FDMS9600S在一個不對稱的Power56封裝內集成了一個高端FET和一個低端SyncFET,可進一步提高熱性能,並實現小尺寸的緊湊型PCB設計(圖4)。


2.上述帶驅動器和MOSFET的分立式解決方案也備有8x8mm或6x6mm MLP封裝的MCM(多芯片模塊)。這些DrMOS(DriverMOS)產品係列包括8x8mm產品FDMD87xx和6x6mm產品FDMF67xx,可滿足不同的設計要求。而評估板則可協助設計人員熟悉應用,並測試性能以便與分立式解決方案相比較(圖5)。
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帶有Power56 MOSFET和SO-8驅動器的分立式解決方案的板卡占位麵積在120mm2左右,而MCM隻需要64mm2或36mm2.後者模塊中的各個器件經精心挑選並全麵優化,相比分立式解決方案其性能更高,熱性能也更好(圖6和圖7)。受電腦行業的推動,這種解決方案可使電流高達30A,並針對最高1MHz的開關頻率優化。甚至在大電流設計中即使考慮到熱設計規則,也無需散熱器,因係統中空氣流對於該芯片散熱是足夠的。
3.最終全集成開關將使功率級設計更迅速易行。除了Digital-DC係列的FD2106之外,FAN210x TinyBuck係列也可為3A FAN2103和6A FAN2106應用提供全集成同步降壓功能(圖8)。
整個IC采用MLP封裝,大小僅5x6mm,有助於設計的緊湊性,同時可實現最佳熱性能和高效率。
更高的集成度乍看似乎會導致更高的材料清單(BOM)成本,但綜合考慮所有的優勢,如節省空間、熱性能更好、無wu源yuan元yuan件jian更geng少shao等deng,事shi實shi上shang反fan而er會hui降jiang低di最zui終zhong的de係xi統tong成cheng本ben。這zhe樣yang一yi種zhong全quan集ji成cheng的de解jie決jue方fang案an還hai支zhi持chi高gao係xi統tong可ke靠kao性xing,因yin為wei元yuan件jian越yue少shao意yi味wei著zhe故gu障zhang風feng險xian越yue低di,而er且qie考kao慮lv到dao熱re設she計ji規gui則ze,更geng低di的de係xi統tong溫wen度du也ye十shi分fen重zhong要yao。
在設計任務中,熱設計是非常重要的一環。利用現今的MOSFET、DrMOShuozhajiqudongqi,yibankehuodexiangdanghaodejiedaoguankerezukang,danguankedaozhouweihuanjingderezukangqujueyusheji,qietongchangyaogaodeduo。zaidaduoshuxitongzhong,ruozhiliyongPCB,熱阻抗(管殼到周圍環境)在40K/W左右,最好的設計能夠達到25K/W這仍比結到管殼熱阻抗高很多,對MOSFET而言,後者的典型值為2K/W.因此,PCB的熱設計非常重要,因為這兩個熱阻抗都是串聯的,並影響PCB的最高溫度,而這通常正是限製因素(若結到管殼熱阻抗低,結溫就不可能比PCB的高太多)。
對於更大的電流,為了讓熱量擴散到更大的表麵上,多相的分立式解決方案(如2-3個DrMOS器件)是首選。另一個權衡是開關頻率―如果不是因EMI要求或空間限製而預先確定(利用更高的開關頻率來減小無源元件的尺寸),更低的開關頻率有助於降低開關損耗,並最終降低溫度。
至於版圖布局,金屬較多顯然很有助益。更厚的頂層有助於降低溫度,不過也許對PCB的其餘部分並不適合,因為成本增加了,其它元件需要的更精細的間距也不可能實現。更大的銅麵積很有用,但又會消耗PCB空間。這些應該盡可能由焊料覆蓋,因為金屬表麵比塗漆表麵的散熱性更好。在多層PCB中,有時利用內層來協助散熱。熱通孔(填充焊料)有時可用來把熱量擴散到PCB的另一麵去(圖9)。
對於強迫空氣對流式的係統,元件布局時需注意的是,不要把轉換器放在其它更大尺寸元件的“風陰影”裏。建議把控製器置於MOSFET的上遊,這樣不會增加多少功耗,而在較低外殼溫度下工作更可靠。
小結
現代嵌入式DC-DC轉(zhuan)換(huan)器(qi)受(shou)益(yi)於(yu)眾(zhong)多(duo)不(bu)同(tong)的(de)技(ji)術(shu)方(fang)案(an),能(neng)夠(gou)提(ti)高(gao)係(xi)統(tong)性(xing)能(neng)和(he)可(ke)靠(kao)性(xing),並(bing)降(jiang)低(di)成(cheng)本(ben)。在(zai)獨(du)立(li)式(shi)轉(zhuan)換(huan)器(qi)或(huo)互(hu)連(lian)數(shu)字(zi)轉(zhuan)換(huan)器(qi)之(zhi)間(jian)的(de)控(kong)製(zhi)端(duan)上(shang),以(yi)及(ji)在(zai)集(ji)成(cheng)式(shi)或(huo)分(fen)立(li)式(shi)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)之(zhi)間(jian)的(de)功(gong)率(lv)級(ji)端(duan)上(shang)的(de)相(xiang)倚(yi)關(guan)係(xi)顯(xian)示(shi)出(chu),可(ke)以(yi)對(dui)工(gong)作(zuo)在(zai)網(wang)絡(luo)中(zhong)的(de)DC-DC轉換器進行優化,並獲得最低功耗。
- 探討滿足DC-DC功率轉換要求的電源管理方案
- 了解先進嵌入式DC-DC轉換器的要求
- 對工作在網絡中的DC-DC轉換器進行優化
- 采用現代嵌入式DC-DC轉換器技術方案
引言
在測試測量設備或嵌入式計算等工業應用中,嵌入式DC-DC轉換器的係統架構可能相當複雜,在輸出電壓和電流、紋波、EMI及上電順序等許多不同方麵都有相關要求。本文主要探討了DC-DC應用中轉換器功率級選擇的影響。
先進嵌入式DC-DC轉換器的要求
許多工業係統,如測試測量設備,都需要嵌入式DC-DC轉換器,是因為這些應用所需的計算能力日益增加。這種計算能力由DSP、FPGA、數字ASIC和微控製器提供,而得益於工藝幾何尺寸的日益縮小,該類器件在不斷的進步。另一方麵,這也帶來了三大要求:第一,電源電壓越來越低(當然,還有容許的電壓紋波和負載變化);其次,電源電流逐漸變大;第三,這些IC通常需要為內核和I/O結構以準確的順序提供單獨的電壓,以避免閂鎖現象的發生。
嵌入式DC-DC轉換器必須具有出色的效率。這類轉換器的可用空間很小,對於熱設計尤其具有挑戰性,因為嵌入式轉換器主要依賴PCB上shang元yuan件jian周zhou圍wei的de銅tong麵mian積ji來lai改gai善shan係xi統tong熱re阻zu抗kang。由you於yu功gong耗hao與yu電dian流liu的de平ping方fang成cheng正zheng比bi,隨sui著zhe負fu載zai電dian流liu的de增zeng加jia,這zhe種zhong情qing形xing會hui更geng加jia惡e化hua。因yin此ci這zhe時shi需xu要yao低di導dao通tong阻zu抗kangRDSON、低開關損耗的電源開關。不過鑒於器件的導通阻抗RDSON越低,寄生電容乃至開關損耗就越高,最終功耗也越高,故必需進行一定的權衡取舍。嵌入式DC-DC轉換器的另一個主要要求是EMI必需低。這些轉換器產生的噪聲會對周圍的電路造成幹擾,因而必須盡可能地小。不過,高速(以降低開關損耗)轉換大電流(若負載所需)不可避免地會產生很大的開關噪聲,包括傳導噪聲和輻射噪聲(主要是磁場)。因此,必需特別關注功率級元件選擇和布局的優化,尤其是在驅動器連接方麵。此外,PWM控製拓撲也有一定影響。
舉例來說,采用0.09μm技術的數字IC可能需要1.2V±40mV的電源電壓。根據該DSP的數據表,其電源電流可高達952mA.另一個例子是65nm工藝製造的大尺寸FPGA,1.0V +/-50mV電源電壓、85℃時,需要4.2 A的閑置電源電流。在工作模式下,按照具體配置情況,電流可增至18A,因在高開關頻率下,動態要求非常高。
這些應用中包含多個不同IC相當常見,譬如,由一個較小的微控製器(電源電壓較高時)來負責所有的接口和主機功能,利用一個較大的DSP或專用硬件來執行計算密集型功能。很多時候,還專門使用另有一套電壓要求的高性能A/D轉換器來改善噪聲性能,真正充分利用這些轉換器的分辨率和帶寬。這些趨勢催生出具有眾多相倚關係的複雜的功率管理係統。
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模塊化控製提升係統設計
一個應用建議是把DC-DC轉換器盡可能靠近負載放置。這樣做可以把EMI降至最低、減小寬的大電流線跡所占用的板空間,並改進轉換器的動態特性。“分布式”功率管理係統應運而生,在這種係統中,所有轉換器都理想地彼此相連。能夠與其它轉換器在網絡中協同工作的一個控製器例子是FD2004,如圖1的模塊示意圖所示。

FD2004可以與外部柵極驅動器(如FD1505)和分立式MOSFET,或是集成了驅動器與MOSFET的單封裝DrMOS產品協同工作。它還可以在獨立式應用中通過電阻來編程—特別地,輸出電壓的最大值由電阻設定,且利用軟件命令設定的電壓最大值不得超過10%以上,以保護負載。在需要較大電流的應用中,如多相轉換器,所選的架構可實現多達8個相位的電流共享,而且可在輸出功率較低時實現切相(phase shedding)來保持高效率。該款控製器基於帶自適應性能算法和環路補償的數字控製環路,支持高達1.4MHz的開關頻率。時鍾同步可協助提升EMI性能。對於同時需要集成式驅動器和分立式外部MOSFET的應用,FD2006也是個不錯的選擇。
對輸出電流較低的係統電壓,集成式DC-DC轉換器值得推薦,此時,PCB麵積和易於使用都是最重要的考慮因素。數字轉換器,如FD2106 (6A max),象Digital-DC係列的其它產品一樣具有通信功能,可與分立式MOSFET或基於DrMOS等能提供更大電流的轉換器一起使用。對獨立式應用而言,由於不需要與係統內其它轉換器連接,還可以采用集成式轉換器(如飛兆半導體的FAN2106)。
數字功率管理係統的控製器和轉換器鏈可通過圖形用戶接口來控製,很容易對所有參數和係統性能監控進行修正。這種軟件運行在PC機上,並經由USB接口與控製器連接。當參數全都良好時,它們被儲存在控製器的非易失性存儲器中,這樣PC機就不再需要運行係統了。



如圖2所示的DC-DC功率級可采用不同方式設計,以同時獲得最佳電氣性能和熱性能。
[page]1.帶驅動器和MOSFET的分立式解決方案現在仍在普遍使用。為滿足所有設計要求,現在飛兆半導體提供的采用小尺寸熱性能增強型MLP(QFN)封裝的產品,可獲得高係統性能。MOSFET實現了首先采用MLP封裝(見圖3所示)。其Power56和Power33產品係列采用最新的PowerTrench技術,能夠同時提供超低RDSon和低Qg,從而適用於高開關頻率應用。鍵合技術可減小封裝的電感,提高封裝有限的ID,適用於大電流應用。其低端FET產品組合采用SyncFET集成了肖特基二極管,在實現高開關性能的同時降低了熱耗。
FDMS9600S在一個不對稱的Power56封裝內集成了一個高端FET和一個低端SyncFET,可進一步提高熱性能,並實現小尺寸的緊湊型PCB設計(圖4)。




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帶有Power56 MOSFET和SO-8驅動器的分立式解決方案的板卡占位麵積在120mm2左右,而MCM隻需要64mm2或36mm2.後者模塊中的各個器件經精心挑選並全麵優化,相比分立式解決方案其性能更高,熱性能也更好(圖6和圖7)。受電腦行業的推動,這種解決方案可使電流高達30A,並針對最高1MHz的開關頻率優化。甚至在大電流設計中即使考慮到熱設計規則,也無需散熱器,因係統中空氣流對於該芯片散熱是足夠的。
3.最終全集成開關將使功率級設計更迅速易行。除了Digital-DC係列的FD2106之外,FAN210x TinyBuck係列也可為3A FAN2103和6A FAN2106應用提供全集成同步降壓功能(圖8)。

更高的集成度乍看似乎會導致更高的材料清單(BOM)成本,但綜合考慮所有的優勢,如節省空間、熱性能更好、無wu源yuan元yuan件jian更geng少shao等deng,事shi實shi上shang反fan而er會hui降jiang低di最zui終zhong的de係xi統tong成cheng本ben。這zhe樣yang一yi種zhong全quan集ji成cheng的de解jie決jue方fang案an還hai支zhi持chi高gao係xi統tong可ke靠kao性xing,因yin為wei元yuan件jian越yue少shao意yi味wei著zhe故gu障zhang風feng險xian越yue低di,而er且qie考kao慮lv到dao熱re設she計ji規gui則ze,更geng低di的de係xi統tong溫wen度du也ye十shi分fen重zhong要yao。
在設計任務中,熱設計是非常重要的一環。利用現今的MOSFET、DrMOShuozhajiqudongqi,yibankehuodexiangdanghaodejiedaoguankerezukang,danguankedaozhouweihuanjingderezukangqujueyusheji,qietongchangyaogaodeduo。zaidaduoshuxitongzhong,ruozhiliyongPCB,熱阻抗(管殼到周圍環境)在40K/W左右,最好的設計能夠達到25K/W這仍比結到管殼熱阻抗高很多,對MOSFET而言,後者的典型值為2K/W.因此,PCB的熱設計非常重要,因為這兩個熱阻抗都是串聯的,並影響PCB的最高溫度,而這通常正是限製因素(若結到管殼熱阻抗低,結溫就不可能比PCB的高太多)。
對於更大的電流,為了讓熱量擴散到更大的表麵上,多相的分立式解決方案(如2-3個DrMOS器件)是首選。另一個權衡是開關頻率―如果不是因EMI要求或空間限製而預先確定(利用更高的開關頻率來減小無源元件的尺寸),更低的開關頻率有助於降低開關損耗,並最終降低溫度。
至於版圖布局,金屬較多顯然很有助益。更厚的頂層有助於降低溫度,不過也許對PCB的其餘部分並不適合,因為成本增加了,其它元件需要的更精細的間距也不可能實現。更大的銅麵積很有用,但又會消耗PCB空間。這些應該盡可能由焊料覆蓋,因為金屬表麵比塗漆表麵的散熱性更好。在多層PCB中,有時利用內層來協助散熱。熱通孔(填充焊料)有時可用來把熱量擴散到PCB的另一麵去(圖9)。
對於強迫空氣對流式的係統,元件布局時需注意的是,不要把轉換器放在其它更大尺寸元件的“風陰影”裏。建議把控製器置於MOSFET的上遊,這樣不會增加多少功耗,而在較低外殼溫度下工作更可靠。
小結
現代嵌入式DC-DC轉(zhuan)換(huan)器(qi)受(shou)益(yi)於(yu)眾(zhong)多(duo)不(bu)同(tong)的(de)技(ji)術(shu)方(fang)案(an),能(neng)夠(gou)提(ti)高(gao)係(xi)統(tong)性(xing)能(neng)和(he)可(ke)靠(kao)性(xing),並(bing)降(jiang)低(di)成(cheng)本(ben)。在(zai)獨(du)立(li)式(shi)轉(zhuan)換(huan)器(qi)或(huo)互(hu)連(lian)數(shu)字(zi)轉(zhuan)換(huan)器(qi)之(zhi)間(jian)的(de)控(kong)製(zhi)端(duan)上(shang),以(yi)及(ji)在(zai)集(ji)成(cheng)式(shi)或(huo)分(fen)立(li)式(shi)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)之(zhi)間(jian)的(de)功(gong)率(lv)級(ji)端(duan)上(shang)的(de)相(xiang)倚(yi)關(guan)係(xi)顯(xian)示(shi)出(chu),可(ke)以(yi)對(dui)工(gong)作(zuo)在(zai)網(wang)絡(luo)中(zhong)的(de)DC-DC轉換器進行優化,並獲得最低功耗。
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