產品特性：

• 低正向壓降、更低漏電流、導電損耗低
• 顯著提高電路能效
• 開關性能在-40 ℃至+150 ℃範圍內都很優異

應用範圍：

• 筆記本適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻DC-DC轉換器

安森美半導體(On semi)推出新係列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)——NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG等係列，用於筆記本適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉換器等應用。

新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG係(xi)列(lie)器(qi)件(jian)采(cai)用(yong)溝(gou)槽(cao)拓(tuo)撲(pu)結(jie)構(gou)

，提(ti)供(gong)優(you)異(yi)的(de)低(di)正(zheng)向(xiang)壓(ya)降(jiang)及(ji)更(geng)低(di)漏(lou)電(dian)流(liu)，因(yin)而(er)導(dao)電(dian)損(sun)耗(hao)低(di)及(ji)大(da)幅(fu)提(ti)升(sheng)的(de)電(dian)路(lu)能(neng)效(xiao)，幫(bang)助(zhu)設(she)計(ji)工(gong)程(cheng)師(shi)符(fu)合(he)高(gao)能(neng)效(xiao)標(biao)準(zhun)規(gui)範(fan)要(yao)求(qiu)，不(bu)會(hui)增(zeng)加(jia)複(fu)雜(za)度(du)，例(li)如(ru)無(wu)須(xu)同(tong)步(bu)整(zheng)流(liu)。

此LVFR係列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結構，在正向偏置條件下提供更大的導電區
，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下

，此結構產生“夾斷”(pinch-off)效應
，從而降低漏電流。跟平麵型肖特基整流器不同，安森美半導體的溝槽型LVFR的開關性能在-40 ℃至+150 ℃的整個工作結點溫度範圍內都很優異。

為了證明LVFR的優勢
，安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平麵型肖特基整流器進行比較。基於65 W電源適配器測試的數據顯示，使用LVFR比使用平麵肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設計人員能夠符合規範要求，同時不增加方案的複雜度及成本，例如無須同步整流。

安森美半導體功率分立分部高級總監兼總經理John Trice說：“我們的客戶力求其產品設計更高能效，麵市已久的平麵型肖特基整流器根本無法高性價比地提供溝槽型LVFR係列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度範圍內提供優異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴格規格。”