μPA2812T1L:瑞薩發布低損耗高效P溝道MOSFET用於筆記本電腦
發布時間:2012-02-23
產品特性:
- 業界最低的導通電阻
- 可提供更優異的係統電源效率
- 延長電池的使用時間
- 小尺寸,蓋大範圍運作電流等級
應用範圍:
- 筆記型電腦
先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子宣布推出5款低損耗P-Channel金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)係列產品,包括針對筆記型電腦鋰離子二次電池之充電控製開關,以及AC變壓器電源供應開關之電源管理開關等用途進行最佳化的μPA2812T1L。
近年來,市場對於外型較輕巧、整體係統低電耗,以及借由電池電力即可使用較長時間之筆記型電腦,需求日漸升高。功率MOSFET用於鋰離子二次電池的充電控製開關以及AC變壓器電源供應開關的電源管理開關,必須處理整體係統運作所需要的大電流,因此需要降低運作電阻(導通電阻),以降低係統的耗電量。同時,筆記型電腦的機身越來越小巧,因而市場對於尺寸輕巧的鋰離子電池需求極為強烈,也需要比傳統SOP-8封裝更小的功率MOSFET產品。
為因應上述需求,瑞薩已開發新的製程,采用超精細加工技術及其他創新技術,相較於先前用以製造類似用途MOSFET的製程,可使導通電阻降低2分之1,並提供相同的有效區域。此次包括μPA2812T1L的5款新產品,皆以非常小的封裝尺寸提供低導通電阻。
新款P-channel功率MOSFET的主要特色:
(1)業界最低的導通電阻,可提供更優異的係統電源效率,延長電池的使用時間
新款MOSFET可達到瑞薩先前產品大約2分之1的導通電阻。μPA2812T1L采用小型3.3 mm方形封裝,可達到業界最低的4.2 mΩ(典型)導通電阻,並可保持低電耗,提升係統整體的電源效率,使用鋰離子二次電池時可延長? 峸伅﹛C較低的導通電阻還包括其他優點,例如以采用新款μPA2812T1L的電路取代采用瑞薩先前μPA2810T1L平行連接的電路,可減少係統的安裝麵積。
(2)安裝麵積約為具同等效能之先前產品的3分之1,可提供尺寸更小的係統
較早的瑞薩產品以SOP-8封裝提供與新款μPA2812T1L相當的導通電阻,麵積約為3倍大。采用μPA2812T1L將可縮減安裝麵積約3分之2,為筆記型電腦提供尺寸更小的電源供應係統。
(3)涵蓋大範圍運作電流等級的完整係列產品
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