產品特性：

• 新一代TrenchFET Gen IV係列MOSFET在4.5V下導通電阻為1.35mΩ
• 實現了非常高密度的設計
  ，而沒有明顯增加柵極電荷
• Qgd/Qgs比值僅有0.5或更低

應用市場：

• 高功率密度DC/DC轉換器、同步整流
  
  、同步降壓轉換器和OR-ing應用
• 開關電源、電壓調節模塊(VRM)、POL
  、通信磚式電源
  、PC和服務器

Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV係列30V N溝道功率MOSFET器件
，新器件采用高密度設計
，與前一代器件相比，SiRA00DP的導通電阻與麵積乘積減小了60%，在10V電壓下實現了1.0mΩ的極低導通電阻，4.5V下1.35mΩ的導通電阻達到業內最佳水準。

新一代TrenchFET Gen IV係列30V N溝道功率MOSFET器件包括四款型號——SiRA00DP
、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。在4.5V下導通電阻低至1.35mΩ，Miller電荷Qgd低至1.8nC
，采用PowerPAK SO-8和1212-8封裝。對於設計者而言，MOSFET的低導通電阻可以實現更低的傳導損耗，減少功率損耗，達到更高的效率。

TrenchFET Gen IV MOSFET采cai用yong了le一yi種zhong新xin型xing結jie構gou
，這zhe種zhong結jie構gou實shi現xian了le非fei常chang高gao密mi度du的de設she計ji，而er沒mei有you明ming顯xian增zeng加jia柵zha極ji電dian荷he
，克ke服fu了le經jing常chang在zai高gao晶jing格ge數shu量liang器qi件jian上shang出chu現xian的de這zhe個ge問wen題ti。今jin天tian發fa布bu的deMOSFET的總柵極電荷較低，使得SiRA04DP在4.5V下導通電阻與柵極電荷乘積優值係數(FOM)降至56nC-Ω。

SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高係統效率，降低溫度

，采用6.15mm x 5.15mm PowerPAK SO-8封裝

，SiSA04DN的效率與之相近
，3.30mm x 3.30mm PowerPAK 1212-8封裝的麵積隻有前三款器件的1/3。今天發布的所有器件的Qgd/Qgs比值僅有0.5或更低。更低的比值可以降低柵極感應電壓，有助於防止擊穿的發生。

SiRA00DP
、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN適用於高功率密度DC/DC轉換器
、同步整流
、同步降壓轉換器和OR-ing應用。典型終端產品包括開關電源、電壓調節模塊(VRM)、POL
、通信磚式電源
、PC和服務器。

TrenchFET Gen IV經過了100%的Rg和UIS測試。這些器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定和RoHS指令。TrenchFET Gen IV MOSFET現可提供樣品，在2012年1季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周。