羅姆開發出世界最小的“VML2”封裝快速恢複二極管!
發布時間:2012-05-09
產品特性:
日本知名半導體製造商羅姆株式會社近日麵向智能手機和數碼相機等追求小型、薄型化的各種電子設備,開發出世界最小※1的“VML2”封裝快速恢複二極管。
本產品預計從4月份開始出貨樣品(樣品價格為30日元/個),從 7月份開始以月產100萬個的規模進行批量生產。生產基地為ROHM-Wako Electronics (Malaysia)Sdn. Bhd.(馬來西亞)。
近年來,以智能手機和數碼相機為首的便攜設備的小型、薄型化發展迅速,進而對於能夠減少各種整機產品的空間、實現高密度貼裝的小型零部件的需求旺盛。此外,隨著產品的發展,數碼相機、naizhizhinengshoujidouneizhishanguangdeng,yucixiangying,gaonaiyaxuqiuyeriyigaozhang。danshi,zaibaochinaiyadetongshishixianxiaoxinghuafengzhuang,shejidaofangdiandengzhuduoketi,suoyiciqianyizhiweinengshixian。
這次,羅姆通過改善結構設計和裝配工藝使封裝得到優化,成功開發出了世界最小的“VML2”封裝(1006尺寸∶1.0mm×0.6mm)快速恢複二極管。與傳統的2513尺寸(2.5mm×1.3mm)相比,體積減少約86%。不僅體積小巧,高達450V耐壓特性也是其特長之一。
羅姆今後也將充分利用獨創技術,加速開發緊隨客戶需求的二極管產品,同時,進一步努力擴充相關產品係列。
<特點>
1)實現了世界最小尺寸
與傳統的TUMD2S(2513)封裝相比,體積減少約86%,並實現了高達450V的高耐壓。
[page]
2)使高密度貼裝成為可能的背麵引腳
<規格>
《參考》
將VML2封裝亦擴展應用到肖特基勢壘二極管產品。根據不同用途共推出了七款係列產品。
<術語解說>
・快速恢複二極管(Fast Recovery Diode: FRD)
是指縮短電流發生逆流的時間、即恢複時間(反向恢複時間)快的一種二極管。
能夠大幅度降低開關損耗、實現低損耗的高速開關。
・肖特基勢壘二極管(Schottky-Barrier Diode:SBD)
使金屬和半導體接觸從而形成肖特基結,利用其可得到整流性(二極管特性)的二極管。具有“無少數載流子存儲效應,高速性能卓越”的特點。
- 與傳統的TUMD2S(2513)封裝相比,體積減少約86%
- 使高密度貼裝成為可能的背麵引腳
- 可應用於智能手機和數碼相機等
日本知名半導體製造商羅姆株式會社近日麵向智能手機和數碼相機等追求小型、薄型化的各種電子設備,開發出世界最小※1的“VML2”封裝快速恢複二極管。
本產品預計從4月份開始出貨樣品(樣品價格為30日元/個),從 7月份開始以月產100萬個的規模進行批量生產。生產基地為ROHM-Wako Electronics (Malaysia)Sdn. Bhd.(馬來西亞)。

本產品與0.5mm的鉛筆
近年來,以智能手機和數碼相機為首的便攜設備的小型、薄型化發展迅速,進而對於能夠減少各種整機產品的空間、實現高密度貼裝的小型零部件的需求旺盛。此外,隨著產品的發展,數碼相機、naizhizhinengshoujidouneizhishanguangdeng,yucixiangying,gaonaiyaxuqiuyeriyigaozhang。danshi,zaibaochinaiyadetongshishixianxiaoxinghuafengzhuang,shejidaofangdiandengzhuduoketi,suoyiciqianyizhiweinengshixian。
這次,羅姆通過改善結構設計和裝配工藝使封裝得到優化,成功開發出了世界最小的“VML2”封裝(1006尺寸∶1.0mm×0.6mm)快速恢複二極管。與傳統的2513尺寸(2.5mm×1.3mm)相比,體積減少約86%。不僅體積小巧,高達450V耐壓特性也是其特長之一。

羅姆今後也將充分利用獨創技術,加速開發緊隨客戶需求的二極管產品,同時,進一步努力擴充相關產品係列。
<特點>
1)實現了世界最小尺寸
與傳統的TUMD2S(2513)封裝相比,體積減少約86%,並實現了高達450V的高耐壓。

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2)使高密度貼裝成為可能的背麵引腳
<規格>

《參考》
將VML2封裝亦擴展應用到肖特基勢壘二極管產品。根據不同用途共推出了七款係列產品。

<術語解說>
・快速恢複二極管(Fast Recovery Diode: FRD)
是指縮短電流發生逆流的時間、即恢複時間(反向恢複時間)快的一種二極管。
能夠大幅度降低開關損耗、實現低損耗的高速開關。
・肖特基勢壘二極管(Schottky-Barrier Diode:SBD)
使金屬和半導體接觸從而形成肖特基結,利用其可得到整流性(二極管特性)的二極管。具有“無少數載流子存儲效應,高速性能卓越”的特點。
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