羅姆推出耐壓30V功率MOSFET,產品陣容擴充達16種
發布時間:2012-06-20
產品特性:
日本知名半導體製造商羅姆(總部位於日本京都市)麵向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉換器,開發出了功率MOSFET。新係列的產品陣容為耐壓30V的共16種產品。羅姆獨家的高效特性,有助於各種設備的DC/DC電源電路實現更低功耗。另外,根據不同用途提供3種小型封裝,可減少安裝麵積,更加節省空間。前期工序在羅姆的總部(日本京都市),後期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國),從2012年4月開始出售樣品(樣品價格30~50日元/個),從5月份開始以月產100萬個的規模進行量產。
近年來,隨著服務器和筆記本電腦等的高性能化發展,CPU等(deng)的(de)功(gong)耗(hao)不(bu)斷(duan)增(zeng)加(jia),工(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)越(yue)發(fa)低(di)電(dian)壓(ya)化(hua),設(she)備(bei)的(de)電(dian)源(yuan)電(dian)路(lu)的(de)溫(wen)升(sheng)和(he)電(dian)池(chi)驅(qu)動(dong)時(shi)間(jian)減(jian)少(shao)已(yi)成(cheng)為(wei)很(hen)大(da)問(wen)題(ti)。在(zai)這(zhe)種(zhong)情(qing)況(kuang)下(xia),在(zai)同(tong)期(qi)整(zheng)流(liu)方(fang)式(shi)降(jiang)壓(ya)型(xing)DC/DC轉換器等各種電源電路中內置功率MOSFET,使之承擔與提高電源的電力轉換效率直接相關的重要作用。為了實現高效低損耗的功率MOSFET,降低導通電阻和柵極容量是非常重要的,然而權衡兩者的關係後,往往很難同時兼顧。
新係列產品,除了進一步微細化,采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”,同時實現了低柵極容量與低導通電阻。作為DC/DC轉換器用功率MOSFET的性能指數所使用的“FOM”與傳統產品相比降低了50%,達到了業界頂級的高效性。由此,不僅降低了同期整流型DC/DC電源電路的高邊(High Side)的開關損耗,而且降低了低邊(Low Side)dedaotongsunhao,kedadatigaodianluzhengtidexiaolv。lingwai,nenggouzaigaopinxiajinxingtongqizhengliudongzuo,shiwaiweibujiandexiaoxinghuachengweikeneng。ciwai,benchanpinweilequebaozaitongqizhengliudianluzhongdexingneng,zhenduiRg(柵極電阻)、UIS(L負載雪崩耐量)實施了100%試驗,在質量方麵也具有高可靠性。羅姆今後也將充分發揮獨創的先進工藝加工技術,不斷推進設想到客戶需求的晶體管產品的開發。
<特點>
1)低導通電阻、低容量
進一步微細化,同時,采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”,實現了低容量與低導通電阻兼備的元件。與羅姆傳統產品相比,表示功率MOSFET的性能指數的“FOM”數值可降低50%。
2)實現業界頂級的高效率
在同期整流型DC/DC電源電路中采用此次的功率MOSFET,可大大降低電力損耗,因此有助於設備的更低功耗。特別是高頻下的特性卓越,使外圍部件的小型化成為可能。
3)采用小型封裝,有助於更加節省空間,產品陣容中還包括複合封裝
根據不同用途,提供3種小型封裝。HSMT8比HSOP8的安裝麵積減少了65%,為節省空間做出巨大貢獻。而且,產品陣容中還包括DC/DC電源電路中的高邊(High Side)用MOSFET與低邊(Low Side)用MOSFET複合化的新封裝HSOP8(Dual)。不僅安裝麵積減小,而且還可有助於減少安裝次數。



- 低導通電阻、低容量
- 實現業界頂級的高效率
- 采用小型封裝,有助於更加節省空間
- 服務器、筆記本電腦以及平板電腦等
日本知名半導體製造商羅姆(總部位於日本京都市)麵向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉換器,開發出了功率MOSFET。新係列的產品陣容為耐壓30V的共16種產品。羅姆獨家的高效特性,有助於各種設備的DC/DC電源電路實現更低功耗。另外,根據不同用途提供3種小型封裝,可減少安裝麵積,更加節省空間。前期工序在羅姆的總部(日本京都市),後期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國),從2012年4月開始出售樣品(樣品價格30~50日元/個),從5月份開始以月產100萬個的規模進行量產。
近年來,隨著服務器和筆記本電腦等的高性能化發展,CPU等(deng)的(de)功(gong)耗(hao)不(bu)斷(duan)增(zeng)加(jia),工(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)越(yue)發(fa)低(di)電(dian)壓(ya)化(hua),設(she)備(bei)的(de)電(dian)源(yuan)電(dian)路(lu)的(de)溫(wen)升(sheng)和(he)電(dian)池(chi)驅(qu)動(dong)時(shi)間(jian)減(jian)少(shao)已(yi)成(cheng)為(wei)很(hen)大(da)問(wen)題(ti)。在(zai)這(zhe)種(zhong)情(qing)況(kuang)下(xia),在(zai)同(tong)期(qi)整(zheng)流(liu)方(fang)式(shi)降(jiang)壓(ya)型(xing)DC/DC轉換器等各種電源電路中內置功率MOSFET,使之承擔與提高電源的電力轉換效率直接相關的重要作用。為了實現高效低損耗的功率MOSFET,降低導通電阻和柵極容量是非常重要的,然而權衡兩者的關係後,往往很難同時兼顧。
新係列產品,除了進一步微細化,采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”,同時實現了低柵極容量與低導通電阻。作為DC/DC轉換器用功率MOSFET的性能指數所使用的“FOM”與傳統產品相比降低了50%,達到了業界頂級的高效性。由此,不僅降低了同期整流型DC/DC電源電路的高邊(High Side)的開關損耗,而且降低了低邊(Low Side)dedaotongsunhao,kedadatigaodianluzhengtidexiaolv。lingwai,nenggouzaigaopinxiajinxingtongqizhengliudongzuo,shiwaiweibujiandexiaoxinghuachengweikeneng。ciwai,benchanpinweilequebaozaitongqizhengliudianluzhongdexingneng,zhenduiRg(柵極電阻)、UIS(L負載雪崩耐量)實施了100%試驗,在質量方麵也具有高可靠性。羅姆今後也將充分發揮獨創的先進工藝加工技術,不斷推進設想到客戶需求的晶體管產品的開發。
<特點>
1)低導通電阻、低容量
進一步微細化,同時,采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”,實現了低容量與低導通電阻兼備的元件。與羅姆傳統產品相比,表示功率MOSFET的性能指數的“FOM”數值可降低50%。

在同期整流型DC/DC電源電路中采用此次的功率MOSFET,可大大降低電力損耗,因此有助於設備的更低功耗。特別是高頻下的特性卓越,使外圍部件的小型化成為可能。

根據不同用途,提供3種小型封裝。HSMT8比HSOP8的安裝麵積減少了65%,為節省空間做出巨大貢獻。而且,產品陣容中還包括DC/DC電源電路中的高邊(High Side)用MOSFET與低邊(Low Side)用MOSFET複合化的新封裝HSOP8(Dual)。不僅安裝麵積減小,而且還可有助於減少安裝次數。



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