富士通半導體（上海）有限公司近日宣布采用其基於矽基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將於2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用於電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。

與傳統矽基功率器件相比
，基於GaNdegonglvqijianjuyoudaotongdianzudihenenggoujinxinggaopincaozuodengtexing。erzhexietexingqiaqiayouliyutigaodianyuandanyuanzhuanhuanxiaolv，bingshidianyuandanyuangengjiajincou。fushitongbandaotijihuazaiguijibanshangjinxingGaN功率器件的商業化，從而可以通過矽晶圓直徑的增加，來實現低成本生產。按照此目標，富士通半導體自2009年起就在開發批量生產技術。此外，富士通半導體自2011年起開始向特定電源相關合作夥伴提供GaN功率器件樣品，並對之進行優化，以便應用在電源單元中。 

圖1：氮化镓功率器件

最近，富士通半導體開始與富士通研究所 (Fujitsu Laboratories Limited) 合作進行技術開發
，包括開發工藝技術來增加矽基板上的高質量GaN晶體數量；開發器件技術，如優化電極的設計，來控製開關期間導通電阻的上升；以及設計電源單元電路布局來支持基於GaN的器件的高速開關。這些技術開發結果使富士通半導體在使用GaN功gong率lv器qi件jian的de功gong率lv因yin數shu校xiao正zheng電dian路lu中zhong成cheng功gong實shi現xian了le高gao於yu傳chuan統tong矽gui器qi件jian性xing能neng的de轉zhuan換huan效xiao率lv。富fu士shi通tong半ban導dao體ti還hai設she計ji了le一yi種zhong具ju有you上shang述shu功gong率lv因yin數shu校xiao正zheng電dian路lu的de服fu務wu器qi電dian源yuan單dan元yuan樣yang品pin，並bing成cheng功gong實shi現xian了le2.5kW的輸出功率。

將該項技術的開發成功也意味著富士通半導體鋪平了其GaN功率器件用於高壓、大電流應用的道路。

富士通半導體最近在其會津若鬆工廠建成了一條6英寸晶圓大規模生產線
，並將在2013年下半年開始GaN功gong率lv器qi件jian的de滿man負fu荷he生sheng產chan。今jin後hou，通tong過guo提ti供gong針zhen對dui客ke戶hu應ying用yong而er優you化hua的de功gong率lv器qi件jian以yi及ji電dian路lu設she計ji技ji術shu支zhi持chi
，富fu士shi通tong半ban導dao體ti將jiang支zhi持chi用yong途tu廣guang泛fan的de低di損sun耗hao、高集成的電源單元的開發。富士通半導體希望其GaN功率器件銷售收入在2015財年達到約100億日元。

圖2：富士通半導體的氮化镓功率器件與傳統矽基功率器件的效率對比