該款全新產品係列針對軟開關應用，在1000V至1400V的電壓範圍內，利用固有的反並聯二極管進行了優化。

隨著超越典型非穿通型(NPT) IGBT技術的不斷進步，飛兆半導體的陽極短路矽技術可提供更低的飽和電壓，比額定功率相同的NPT-trench IGBT要低12%以上。 此外，如果與競爭對手的IGBT產品相比


，該產品係列的拖尾電流速率要低20%以上。 由於具有這些豐富特性，飛兆半導體先進的IGBT因而能提供更佳的熱性能
、更高的效率以及更低的功耗。

特點與優勢：

高速開關頻率範圍： 10至50 kHz
業界最低的拖尾電流，可改進開關損耗(FGA20S140P)
與現有的NPT trench IGBT相比，飽和壓降更低
電位計檢測抗噪能力強健，可提高可靠性
高溫穩定特性： Tj(max) = 175 ºC
符合RoHS標準（無鉛引腳電鍍）

封裝和報價信息

（1,000片起訂
，價格單位：美元）
按請求提供樣品。交貨期：收到訂單後8-12周內

采用TO-3P 3L封裝：

1250V FGA20S125P     $2.03
1250V FGA25S125P     $2.03
1300V FGA30S120P     $5.25
1400V FGA20S140P     $2.25

采用TO-247 3L封裝：

1300V FGH30S130P    $3.40

飛兆半導體的場截止陽極短路trench IGBT提供業界領先的技術，以應對在當今設計中遇到的能效和形狀因數挑戰。 這些應用都是飛兆半導體節能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分
，而這些解決方案可在功率敏感型應用中實現最大限度的節能。