本文中
，我們把圖1所示模型的瞬態響應與圖3所示公開刊發的安全工作區域（SOA 曲線）部分進行了對比。


根據CSD17312Q5 MOSFET、引線框以及貼裝MOSFET的印製電路板(PWB)的物理屬性，估算得到圖1的各個值。在查看模型時，可以確定幾個重要的點。PWB到環境電阻（105oC/W）為到環境的最低電阻通路，其設定了電路的允許DC損耗。將溫升限製在100oC

，可將電路的允許DC損耗設定為1瓦。其次
，存在一個10秒鍾的PWB相(xiang)關(guan)時(shi)間(jian)恒(heng)量(liang)
，所(suo)以(yi)其(qi)使(shi)電(dian)路(lu)板(ban)完(wan)全(quan)發(fa)熱(re)的(de)時(shi)間(jian)相(xiang)當(dang)長(chang)。因(yin)此(ci)
，電(dian)路(lu)可(ke)以(yi)承(cheng)受(shou)更(geng)大(da)的(de)電(dian)脈(mai)衝(chong)。例(li)如(ru)，在(zai)一(yi)次(ci)短(duan)促(cu)的(de)脈(mai)衝(chong)期(qi)間(jian)，所(suo)有(you)熱(re)能(neng)對(dui)芯(xin)片(pian)熱(re)容(rong)充(chong)電(dian)，同(tong)時(shi)在(zai)更(geng)小(xiao)程(cheng)度(du)上(shang)引(yin)線(xian)框(kuang)對(dui)熱(re)容(rong)充(chong)電(dian)。通(tong)過(guo)假(jia)設(she)所(suo)有(you)能(neng)量(liang)都(dou)存(cun)儲(chu)於(yu)裸(luo)片(pian)電(dian)容(rong)中(zhong)並(bing)求(qiu)解(jie)方(fang)程(cheng)式(shi)(dV = I * dt / C)得到 I，我們可以估算出芯片電容器可以存儲多少能量。結果是
，I =dV * C /dt = 100 oC * 0.013F / 1ms =1300瓦
，其與圖3的SOA曲線圖相一致。

圖2顯示了圖1的仿真結果以及由此產生的電壓響應。其功耗為80瓦
，不同的時間恒量一眼便能看出。綠色曲線為裸片溫度，其迅速到達一個PWB相關恒定電壓（藍色曲線）。您還可以看到一個引線框的第二時間恒量（紅色曲線）
，其稍微有一些滯後。最後，您還可以看見PWB的近似線性充電
，因為大多數熱能（電流）都流入其散熱電容。


我們進行了一係列的仿真，旨在驗證模型的準確性。圖3顯示了這些仿真的結果。紅色標注表示每次仿真的結果。將一個固定電源（電流）放入電路中，相應間隔以後對裸片電壓（溫升）進行測量。模型始終匹配SOA曲線。這樣做的重要性是，您可以使用該模型的同時使用不同的散熱片和PWB參數。例如，該 SOA 數據是針對缺乏強散熱能力的最小尺寸PWB。我們可以增加電路板尺寸來降低其環境熱阻，或者增加銅使用量來提供更好的熱傳播—最終降低溫度。增加銅使用量也可以提高散熱能力。