碳化矽（SiC）功率器件領域的市場領先者科銳公司日前宣布推出第二代碳化矽MOSFET器件。相對於同等成本的基於矽器件的係統

，科銳新型碳化矽MOSFET器件可實現更高的係統效率及更小的係統尺寸。全新科銳1200V MOSFET器件可提供業界領先的功率密度及轉換效率，而每安培成本僅為上一代產品的50%。更高的性價比使得新型碳化矽MOSFET器件可為OEM廠商帶來更低的係統成本，並且由於基於碳化矽的係統尺寸更小、重量更輕
，能夠提高效率並降低安裝成本，從而為最終用戶節省額外費用。

德國弗萊堡 Fraunhofer研究所著名業界專家Bruno Burger教授指出：“我們已經在我們新型先進太陽能電路中對科銳第二代碳化矽 MOSFET器件進行了評估，科銳的產品擁有頂尖水平的效率，可以使得係統在更高開關頻率下進行工作
，從而實現更小的無源器件尤其是更小的電抗器。這將從根本上提高太陽能逆變器的性價比
，從而獲得更小
、更輕以及更高效的係統。”

新型碳化矽MOSFET器件出色的性能可以降低某些大功率應用領域對功率器件50%-70%的de額e定ding電dian流liu需xu求qiu。經jing過guo適shi當dang的de優you化hua，客ke戶hu能neng以yi與yu矽gui器qi件jian方fang案an相xiang當dang甚shen至zhi更geng低di的de成cheng本ben得de到dao碳tan化hua矽gui器qi件jian所suo帶dai來lai的de係xi統tong性xing能neng優you勢shi。對dui於yu太tai陽yang能neng逆ni變bian器qi和he不bu間jian斷duan電dian源yuan（UPS）係(xi)統(tong)
，性(xing)能(neng)提(ti)升(sheng)的(de)同(tong)時(shi)伴(ban)隨(sui)著(zhe)尺(chi)寸(cun)和(he)重(zhong)量(liang)的(de)減(jian)少(shao)。在(zai)電(dian)機(ji)驅(qu)動(dong)應(ying)用(yong)方(fang)麵(mian)，在(zai)增(zeng)加(jia)效(xiao)率(lv)的(de)同(tong)時(shi)可(ke)以(yi)達(da)到(dao)一(yi)倍(bei)以(yi)上(shang)的(de)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)，與(yu)矽(gui)器(qi)件(jian)相(xiang)比(bi)能(neng)提(ti)供(gong)高(gao)達(da)兩(liang)倍(bei)的(de)輸(shu)出(chu)扭(niu)矩(ju)。該(gai)產(chan)品(pin)覆(fu)蓋(gai)範(fan)圍(wei)已(yi)經(jing)擴(kuo)展(zhan)到(dao)25 mΩ芯片

，目標定位30 KW以上電源模塊市場。80 mΩ器件的目標定位是作為第一代MOSFET 器件的升級產品，以更低的成本提供更高的性能。

科銳功率與射頻器件副總裁兼總經理Cengiz Balkas表示：“基於科銳新型MOSFET平台
，我們已經在多個細分市場獲得成功案例，由於市場對第二代碳化矽 MOSFET器件接受迅速，我們目前可以提前給到客戶一些產品，同時我們也正在加速量產以滿足客戶的需求。”

一顆25 mΩ裸片可為大功率模塊提供50 A單元。80 mΩ MOSFET器件采用TO-247封裝

，較科銳第一代MOSFET CMF20120D產品，得到更高性能和更低成本。