SiTime新款MEMS諧振器超越石英性能,比以前提升30倍
發布時間:2013-07-11 來源:電子元件技術網 責任編輯:Cynthiali
【導讀】以前所有MEMS振蕩器都采用補償電路來達到所需頻率穩定度,現在SiTime公司宣布,推出革命性的TempFlat MEMS,通過消除溫度補償需求,大幅度的促進了性能的提高,尺寸的縮小,功耗和成本的降低。
TempFlat MEMS消除了溫度補償
增長最快的半導體公司SiTime公司(SiTime Corporation)今天宣布推出TempFlat™ MEMS。在TempFlat出現之前,所有MEMS振蕩器都采用補償電路來達到所需頻率穩定度。 而SiTime的TempFlat MEMS是一個革命性的突破,通過消除溫度補償需求,大幅度的促進了性能的提高,尺寸的縮小,功耗和成本的降低。
增長最快的半導體公司SiTime公司(SiTime Corporation)今天宣布推出TempFlat™ MEMS。在TempFlat出現之前,所有MEMS振蕩器都采用補償電路來達到所需頻率穩定度。 而SiTime的TempFlat MEMS是一個革命性的突破,通過消除溫度補償需求,大幅度的促進了性能的提高,尺寸的縮小,功耗和成本的降低。

Yole Developpement的策劃經理和首席分析師Laurent Robin表示:“到2018年,預計MEMS振蕩器市場將以60%的複合年增長率增長,達到4.67億美元,成為MEMS產業前三大增長領域之一。SiTime的TempFlat MEMS的是一個令人興奮的發展,有助於SiTime瞄準任何精密時鍾應用的目標,無一例外。SiTime的TempFlat MEMS技術和半導體基礎設施無與倫比的組合將永久改變時鍾市場,同時加快矽MEMS時鍾解決方案的采用。”
SiTime公司CEO Rajesh Vashist表示:“SiTime始創時就具有了利用改變遊戲規則的MEMS和模擬技術推動時鍾市場革命性突破的願景。2006年,我們的半導體工藝率先實現了MEMS振蕩器第一次量產。從那時起,我們經曆了許多首創 – 我們推出了業界首款MEMS TCXO,首款有500 飛秒(femtoseconds)抖動的MEMS振蕩器和首款集成了MEMS的時鍾發生器 - 所有這些都可用於消費、工業和雲應用。最近,我們憑借我們的第一款基於TempFlat MEMS,針對智能手機的32 kHz振蕩器,進入了高速發展的移動市場。在2011年,SiTime憑借良好的溫度補償展示了100 PPB(十億分之一)穩定性。TempFlat MEMS有超過以前MEMS諧振器30倍的性能;使我們可實現5 PPB MEMS振蕩器和時鍾發生器,用於基站、小型基站(small cell)和光網絡中的Stratum 3E時鍾。現在SiTime在服務電子行業所有細分市場方麵具有獨一無二的地位。”
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