本次內容主要針對內置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自於驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益
，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓
，所以為了降低芯片的功耗
，必須想辦法降低c、v和f.如果c
、v和f不能改變，那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的散熱吧。

　　

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、功率管發熱

　　

關於這個問題
，也見到過有人在電源網論壇發過貼。功率管的功耗分成兩部分，開關損耗和導通損耗。要注意，大多數場合特別是LED市電驅動應用，開關損害要遠大於導通損耗。開關損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅動能力和工作頻率有關
，所以要解決功率管的發熱可以從以下幾個方麵解決：A、不能片麵根據導通電阻大小來選擇MOS功率管
，因為內阻越小
，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時，夠用就可以了。B、shengxiadejiushipinlvhexinpianqudongnenglile，zhelizhitanpinlvdeyingxiang。pinlvyudaotongsunhaoyechengzhengbi，suoyigonglvguanfareshi
，shouxianyaoxiangxiangshibushipinlvxuanzedeyoudiangao。xiangbanfajiangdipinlvba！不(bu)過(guo)要(yao)注(zhu)意(yi)，當(dang)頻(pin)率(lv)降(jiang)低(di)時(shi)，為(wei)了(le)得(de)到(dao)相(xiang)同(tong)的(de)負(fu)載(zai)能(neng)力(li)，峰(feng)值(zhi)電(dian)流(liu)必(bi)然(ran)要(yao)變(bian)大(da)或(huo)者(zhe)電(dian)感(gan)也(ye)變(bian)大(da)，這(zhe)都(dou)有(you)可(ke)能(neng)導(dao)致(zhi)電(dian)感(gan)進(jin)入(ru)飽(bao)和(he)區(qu)域(yu)。如(ru)果(guo)電(dian)感(gan)飽(bao)和(he)電(dian)流(liu)夠(gou)大(da)，可(ke)以(yi)考(kao)慮(lv)將(jiang)CCM(連續電流模式)改變成DCM(非連續電流模式)
，這樣就需要增加一個負載電容了。

　　

　　

這個也是用戶在調試過程中比較常見的現象，降頻主要由兩個方麵導致。輸入電壓和負載電壓的比例小、係統幹擾大。對於前者
，注意不要將負載電壓設置的太高，雖然負載電壓高，效率會高點。對於後者，可以嚐試以下幾個方麵：a
、將最小電流設置的再小點
；b、布線幹淨點，特別是sense這個關鍵路徑；c、將電感選擇的小點或者選用閉合磁路的電感
；d、加RC低通濾波吧，這個影響有點不好，C的一致性不好，偏差有點大
，不過對於照明來說應該夠了。無論如何降頻沒有好處，隻有壞處
，所以一定要解決。

　　

終於談到重點了
，我還沒有入門，隻能瞎說點飽和的影響了。很多用戶反應，相同的驅動電路，用a生產的電感沒有問題
，用b生產的電感電流就變小了。遇到這種情況，要看看電感電流波形。有的工程師沒有注意到這個現象，直接調節sense電阻或者工作頻率達到需要的電流，這樣做可能會嚴重影響LED的de使shi用yong壽shou命ming。所suo以yi說shuo
，在zai設she計ji前qian，合he理li的de計ji算suan是shi必bi須xu的de，如ru果guo理li論lun計ji算suan的de參can數shu和he調tiao試shi參can數shu差cha的de有you點dian遠yuan，要yao考kao慮lv是shi否fou降jiang頻pin和he變bian壓ya器qi是shi否fou飽bao和he。變bian壓ya器qi飽bao和he時shi
，L會變小，導致傳輸delay引起的峰值電流增量急劇上升，那麼LED的峰值電流也跟著增加。在平均電流不變的前提下
，隻能看著光衰了。

　　

　　

大家都知道LEDripple過大的話，LED壽命會受到影響，影響有多大，也沒見過哪個專家說過。以前問過LED廠這個數據，他們說30%以內都可以接受，不過後來沒有經過驗證。建議還是盡量控製小點。如果散熱解決的不好的話，LED一定要降額使用。也希望有專家能給個具體指標，要不然影響LED的推廣。