BUCK電路降壓電路輸出電壓小於輸入電壓。

調試中碰到的問題，PWM占空比不穩定，大小波，負載切載時輸出有抖動，起機過衝
，滿載起機抖動，批量生產有少量IC損壞。EMC的問題
，輻射超標。

 

1、PWM占空比不穩定，大小波。可以通過調節環路參數來處理，如圖上的C2，R2
，C1,R1。設計可以參考《開關電源設計第三版》第12章圖12.12。對於改這2個參數無效果的那就要反推設計中的電感和電容是否合適，直接點就是看電感的電流波形，采用電感的串並聯觀察PWM波形變化。另外
，IC的占空比如果在極限附近，如占空比90%，工作時達到88%同樣也會影響PWM的大小波
，這個時候要考慮是否更換占空比更大的IC。

 

2、切載（滿載切空載
，空載切滿載）時輸出有抖動，如振蕩2個周期以上，需要調節環路響應。

 

3
、起機過衝，更改軟啟動電容，IC沒有軟啟動電容的情況可以在圖紙中RS1上並聯電容，或者參考參考書裏麵軟啟動方案。

 

4、滿man載zai起qi機ji抖dou動dong，需xu調tiao節jie軟ruan啟qi動dong和he反fan饋kui電dian阻zu電dian容rong。也ye有you啟qi動dong時shi電dian感gan嘯xiao叫jiao的de，要yao過guo電dian感gan波bo形xing看kan看kan是shi否fou飽bao和he，需xu要yao限xian製zhi電dian感gan電dian流liu，更geng改gai峰feng值zhi電dian流liu電dian阻zu或huo者zhe改gai電dian感gan。

 

5
、批量生產時，有少量的IC損壞，之前碰到過案例，將IC的BOOT電容端增加一個穩壓管解決了。

 

6、輻射問題也跟整改一般的輻射問題一樣，MOSFET驅動電阻增大，MOSFET的DS並聯瓷片電容
，D極串磁珠，二極管增加RC吸xi收shou
，串chuan磁ci珠zhu
，輸shu入ru輸shu出chu的de濾lv波bo電dian感gan電dian容rong。在zai第di三san方fang實shi驗yan室shi整zheng改gai輻fu射she時shi可ke以yi采cai用yong套tao磁ci扣kou的de方fang法fa找zhao出chu是shi輸shu入ru影ying響xiang還hai是shi輸shu出chu影ying響xiang，或huo者zhe找zhao弄nong個ge探tan頭tou測ce試shi是shi哪na個ge元yuan器qi件jian出chu來lai的de幹gan擾rao，再zai整zheng改gai，提ti高gao效xiao率lv。

 

7
、選型需要注意的部分，開關器件都有最大電壓和電流的範圍，要掛波形看管子的應力是否有餘量

，如果有-40℃的設計要降額，MOSFET的DS電壓會下降，電容的容量下降
，ESR增大
，高溫情況需看電感的參數
，外購的電感溫度範圍一般在85℃，如果電感溫度過高，環境溫度過高會有匝間短路的風險。

 

BOOST電路做的案子不多
，碰到的問題比較少，有用模擬IC做的，也有用單片機做的，感覺這個環路比BUCK容易調整（之前的案子，功率小於60W）。

 

碰到過很小的體積做LED60W電源

，溫度不好整
，最後用了鐵矽鋁的磁環搞定了。

 

FLYBACK這個是小功率電源應用很廣泛的拓撲了，大家分析也是特別多的。

 

我講講一款產品從設計到量產過程中的一個流程好了
，以及其中碰到的問題和一些經驗。

借鑒下NXP的這個TEA1832圖紙做個說明。分析裏麵的電路參數設計與優化並做到認證至量產。

 

在所有的元器件中盡量選擇公司倉庫裏麵的元件


，和量大的元件，方便後續降成本拿價格。

 

貼片電阻采用0603的5%，0805的5%，1%，貼片電容容值越大價格越高，設計時需考慮。

 

1、輸入端，FUSE選擇需要考慮到I2T參數。保險絲的分類
，快斷，慢斷，電流
，電壓值
，保險絲的認證是否齊全。保險絲前的安規距離2.5mm以上。設計時盡量放到3mm以上。需考慮打雷擊時，保險絲I2T是否有餘量，會不會打掛掉。

 

2、這個圖中可以增加個壓敏電阻，一般采用14D471,也有采用561的，直徑越大抗浪湧電流越大，也有增強版的10S471,14S471等
，一般14D471打1KV,2KV雷擊夠用了，增加雷擊電壓就要換成MOV+GDT了。有必要時，壓敏電阻外麵包個熱縮套管。

 

3、NTC，這個圖中可以增加個NTC,有的客戶有限製冷啟動浪湧電流不超過60A,30A，NTC的另一個目的還可以在雷擊時扛部分電壓
，減下MOSFET的壓力。選型時注意NTC的電壓，電流
，溫度等參數。

 

4、共模電感
，傳導與輻射很重要的一個濾波元件，共模電感有環形的高導材料5K,7K,0K,12K,15K
，常用繞法有分槽繞，並繞，蝶形繞法等，還有UU型，分4個槽的ET型。這個如果能共用老機種的最好，成本考慮
，傳導輻射測試完成後才能定型。

 

5
、X電容的選擇，這個需要與共模電感配合測試傳導與輻射才能定容值，一般情況為功率越大X電容越大。

 

6

、如果做認證時有輸入L,N的放電時間要求
，需要在X電容下放2並2串的電阻給電容放電。

 

7、橋堆的選擇一般需要考慮橋堆能過得浪湧電流
，耐壓和散熱
，防止雷擊時掛掉。

 

8、VCC的啟動電阻，注意啟動電阻的功耗
，主要是耐壓值，1206的一般耐壓200V,0805一般耐壓150V
，能多留餘量比較好。

 

9、輸入濾波電解電容，一般看成本的考慮，輸出保持時間的10mS，按照電解電容容值的最小情況80%容(rong)值(zhi)設(she)計(ji)，不(bu)同(tong)廠(chang)家(jia)和(he)不(bu)同(tong)的(de)設(she)計(ji)經(jing)驗(yan)有(you)點(dian)出(chu)入(ru)，有(you)一(yi)點(dian)要(yao)注(zhu)意(yi)普(pu)通(tong)的(de)電(dian)解(jie)電(dian)容(rong)和(he)扛(kang)雷(lei)擊(ji)的(de)電(dian)解(jie)電(dian)容(rong)，電(dian)解(jie)電(dian)容(rong)的(de)紋(wen)波(bo)電(dian)流(liu)關(guan)係(xi)到(dao)電(dian)容(rong)壽(shou)命(ming)
，這(zhe)個(ge)看(kan)品(pin)牌(pai)和(he)具(ju)體(ti)的(de)係(xi)列(lie)了(le)。

 

10、輸入電解電容上有並聯一個小瓷片電容，這個平時體現不出來用處
，在做傳導抗擾度時有效果。

 

11、RCD吸收部分，R的取值對應MOSFET上的尖峰電壓值，如果采用貼片電阻需注意電壓降額與功耗。C一般取102/103 1KV的高壓瓷片，整改輻射時也有可能會改為薄膜電容效果好。D一般用FR107,FR207，整改輻射時也有改為1N4007的情況或者其他的慢管，或者在D上套磁珠（K5A,K5C等材質）。小功率電源，RC可以采用TVS管替代，如P6KE160等。

 

12、MOSFET的選擇，起機和短路情況需要注意SOA。高溫時的電流降額，低溫時的電壓降額。一般600V 2-12A足夠用與100W以內的反激，根據成本來權衡選型。整改輻射時很多方法沒有效果的時候，換個MOSFET就過了的情況經常有。

 

13、MOSFET的驅動電阻一般采用10R+20R
，阻值大小對應開關速度，效率，溫升。這個參數需要整改輻射時調整。

 

14、MOSFET的GATE到SOURCE端需要增加一個10K-100K的電阻放電。

 

15、MOSFET的SOURCE到GND之間有個Isense電阻，功率盡量選大
，盡量采用繞線無感電阻。功率小

，或者有感電阻短路時有遇到過炸機現象。

 

16、Isense電阻到IC的Isense增加1個RC
，取值1K,331，調試時可能有作用，如果采用這個TEA1832電路為參考，增加一個C並聯到GND。

 

17、不同的IC外圍引腳參考設計手冊即可，根據自己的經驗在IC引腳處放濾波電容。

 

18
、更改前：bianyaqidesheji
，fanjibianyaqishejiluntanlimiantaolunhenduo，buduoshuo。haishikaolvchengben，jinliangbuzaibianyaqilimianjiapingbiceng，dingduozaibianyaqiwaimianjiageshizipingbi。bianyaqiyidingyaoyansuandelta B值
，delta B=L*Ipk/（N*Ae），L(uH),Ipk（A),N為初級砸數（T）,Ae（mm2）有興趣驗證這個公式可以在最低電壓輸入，輸出負載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時計算結果應該是500mT左右。變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線並繞，之前很大批量時有碰到過有幾個輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時VCC過壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個問題。

 

19、更改後：bianyaqidesheji，fanjibianyaqishejiluntanlimiantaolunhenduo
，buduoshuo。haishikaolvchengben，jinliangbuzaibianyaqilimianjiapingbiceng，dingduozaibianyaqiwaimianjiageshizipingbi。bianyaqiyidingyaoyansuandelta B值，防止高溫時磁芯飽和。delta B=L*Ipk/（N*Ae），L(uH),Ipk（A),N為初級砸數（T）,Ae（mm2）。（參考TDG公司的磁芯特性（100℃）飽和磁通密度390mT，剩磁55mT，所以ΔB值一般取330mT以內
，出現異常情況不飽和，一般取值小於300mT以內。我之前做反激變壓器取值都是小於0.3的）附，學習zhangyiping的經驗（所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。）

 

變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線並繞
，之前很大批量時有碰到過有幾個輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時VCC過壓的情況
，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個問題。

 

附注：有興趣驗證這個公式的話，可以在最低電壓輸入
，輸出負載不斷增加
，看到變壓器飽和波形，飽和時計算結果應該是500mT左右（25℃時，飽和磁通密度510mT）。

 

 

19、輸出二極管效率要求高時
，可以采用超低壓降的肖特基二極管，成本要求高時可以用超快恢複二極管。

 

20、輸出二極管並聯的RC用於抑製電壓尖峰，同時也對輻射有抑製。

 

21、光耦與431的配合，光耦的二極管兩端可以增加一個1K-3K左右的電阻，Vout串聯到光耦的電阻取值一般在100歐姆-1K之間。431上的C與RC用於調整環路穩定，動態響應等。

 

22
、Vout的檢測電阻需要有1mA左右的電流，電流太小輸出誤差大
，電流太大，影響待機功耗。

 

23、輸出電容選擇，輸出電容的紋波電流大約等於輸出電流，在選擇電容時紋波電流放大1.2倍以上考慮。

 

24、2個ge輸shu出chu電dian容rong之zhi間jian可ke以yi增zeng加jia一yi個ge小xiao電dian感gan，有you助zhu於yu抑yi製zhi輻fu射she幹gan擾rao

，有you了le小xiao電dian感gan後hou，第di一yi個ge輸shu出chu電dian容rong的de紋wen波bo電dian流liu就jiu會hui比bi第di二er個ge輸shu出chu電dian容rong的de紋wen波bo電dian流liu大da很hen多duo，所suo以yi很hen多duo電dian路lu裏li麵mian第di一yi個ge電dian容rong容rong量liang大da，第di二er個ge電dian容rong容rong量liang較jiao小xiao。

 

25、輸出Vout端可以增加一個共模電感與104電容並聯

，有助於傳導與輻射，還能降低紋波峰峰值。

 

26
、需要做恒流的情況可以采用專業芯片，AP4310或者TSM103等類似芯片做
，用431+358都行
，注意VCC的電壓範圍
，環路調節也差不多。

 

27、有多路輸出負載情況的話
，電源的主反饋電路一定要有固定輸出
，或者假負載，否則會因為耦合
，burst模式等問題導致其他路輸出電壓不穩定。28、初級次級的大地之間有接個Y電容，一般容量小於或等於222，則漏電流小於0.25mA
，不同的產品認證對漏電流是有要求的，需注意。

 

算下來這麼多，電子元器件基本能定型了
，整個初略的BOM可以評審並參考報價了。BOM中元器件可以多放幾個品牌方便核成本。如客戶有特殊要求，可以在電路裏麵增加功能電路實現。如不能實現，尋找新的IC來完成，相等功率和頻率下，IC的更改對外圍器件影響不大。如客戶溫度範圍的要求比較高，對應元器件的選項需要參考元器件使用溫度和降額使用。

 

 

1、PCB對應的SCH網絡要對應，方便後續更新，花不了多少時間的。

 

2、PCB的元器件封裝，標準庫裏麵的按實際情況需要更改
，貼片元件焊盤加大
；插件元件的孔徑比元件管腳大0.3mm，焊盤直徑大於孔0.8mm以上，焊盤大些方便焊接，元器件過波峰焊也容易上錫，PCB廠家做出來也不容易破孔。還有很多細節的東西多了解些對生產是很大的功勞啊。

 

3
、安規的要求在PCB上的體現，保險絲的安規輸入到輸出距離3mm以上，保險絲帶型號需要印在PCB上。PCB的板材也有不同的安規要求

，對應需要做的認證與供應商溝通能否滿足要求。相應的認證編號需印到PCB上。初級到次級的距離8mm以上，Y電容注意選擇Y1還是Y2的
，跨距也要求8mm以上，變壓器的初級與次級，用擋牆或者次級用三層絕緣線飛線等方法做爬電距離。

 

4、橋堆前L,N走線距離2.5mm以上
，橋堆後高壓+，-距離2.5mm以上。走線為大電流回路先走，麵積越小越好。信號線遠離大電流走線，避免幹擾，IC信號檢測部分的濾波電容靠近IC


，信號地與功率地分開走

，星形接地
，或者單點接地，最後彙總到大電容的“-”引腳，避免調試時信號受幹擾，或者抗擾度出狀況。

 

5
、IC方向，貼片元器件的方向，盡量放到整排整列
，方便過波峰焊上錫，提高產線效率，避免陰影效應，連錫
，虛焊等問題出現。

 

6
、打AI的元器件需要根據相應的規則放置元器件，之前看過一個日本的PCB
，焊盤做成水滴狀，AI元件的引腳剛好在水滴狀的焊盤上，很漂亮。

 

7、PCB上的走線對輻射影響比較大，可以參考相關書籍。還有1種情況，PCB當單麵板布線，弄完後，在頂層敷整塊銅皮接大電容地，抑製傳導和輻射很有效果。

 

8、布線時，還需要考慮雷擊，ESD時或其他幹擾的電流路徑，會不會影響IC。

 

 

1、萬用表先測試主電流回路上的二極管，MOSFET
，有沒有短路，有沒有裝反
，變壓器的感量與漏感是否都有測試
，變壓器同名端有沒有繞錯。

 

2、開始上電，我的習慣是先上100V的低壓，PWM沒有輸出。用示波器看VCC，PWM腳
，VCC上升到啟動電壓
，PWM沒有輸出。檢查各引腳的保護功能是否被觸發，或者參數不對。找不到問題，查看IC的上電時序圖
，或者IC的datasheet裏麵IC啟動的條件。示波器使用時需注意，3芯插頭的地線要拔掉

，不拔掉的話最好采用隔離探頭掛波形，要不怎麼炸機的都不知道。用2個以上的探頭時，2根探頭的COM端接同1個點，避免影響電路
，或者夾錯位置燒東西。

 

3、IC啟動問題解決了，PWM有輸出，發現啟動時變壓器嘯叫。掛MOSFET的電流波形，或者看Isense腳底波形是否是三角波
，有可能是飽和波形，有可能是方波。需重新核算ΔB

，還有種情況，VCC繞組與主繞組繞錯位置。也有輸出短路的情況
，還有RCD吸收部分的問題，甚至還碰到過TVS壞了短路的情況。

 

4、輸(shu)出(chu)有(you)了(le)
，但(dan)是(shi)輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)不(bu)對(dui)，或(huo)者(zhe)高(gao)了(le)
，或(huo)者(zhe)低(di)了(le)。這(zhe)個(ge)需(xu)要(yao)判(pan)斷(duan)是(shi)初(chu)級(ji)到(dao)問(wen)題(ti)，還(hai)是(shi)次(ci)級(ji)的(de)問(wen)題(ti)。掛(gua)輸(shu)出(chu)二(er)極(ji)管(guan)電(dian)壓(ya)電(dian)流(liu)波(bo)形(xing)，是(shi)否(fou)是(shi)正(zheng)常(chang)的(de)反(fan)激(ji)波(bo)形(xing)
，波(bo)形(xing)不(bu)對(dui)，估(gu)計(ji)就(jiu)是(shi)同(tong)名(ming)端(duan)反(fan)了(le)。檢(jian)查(zha)光(guang)耦(ou)是(shi)否(fou)損(sun)壞(huai)，光(guang)耦(ou)正(zheng)常(chang)，采(cai)用(yong)穩(wen)壓(ya)管(guan)+1K電阻替換431的位置，即可判斷輸出反饋431部分
，或者恒流，或者過載保護等保護的動作。常見問題
，光耦腳位畫錯，導致反饋到不了前級。431封裝弄錯，一般431的封裝有2種，腳位有鏡像了的。同名端的問題會導致輸出電壓不對。

 

5

、輸出電壓正常了，但是不是精確的12V或者24V，這個時候一般采用2個電阻並聯的方式來調節到精確電壓。采樣電阻必須是1%或者0.5%。

 

6
、輸出能帶載了，帶滿載變壓器有響聲
，輸出電壓紋波大。掛PWM波形，是否有大小波或者開幾十個周期，停幾十個周期，這樣的情況調節環路。431上的C與RC
，現在的很多IC內部都已經集成了補償，環路都比較好調整。環路調節沒有效果
，可以計算下電感感量太大或者太小，也可以重新核算Isense電阻，是否IC已經認為Isense電阻電壓較小
，IC工作在brust mode。可以更改Isense電阻阻值測試。

 

7、高低壓都能帶滿載了，波形也正常了。測試電源效率，輸入90V與264V時效率盡量做到一致(改占空比，匝比)，方便後續安規測試溫升。電源效率一般參考老機種效率，或者查能效等級裏麵的標準參考。

8、輸出紋波測試，一般都有要求用47uF+104,或者10uF+104電容測試。這個電解電容的容值影響紋波電壓
，電容的高頻低阻特性（不同品牌和係列）yehuiyingxiangwenbodianya。shiboqiceshiwenboshitantoushangyongdanhuangceshitantouceshikeyibimianganraojianfeng。shuchuwenbogaobudingdeqingkuangxia
，keyigairongliang，gaidianrongdexilie，shenzhikaolvcaiyonggutaidianrong。

 

9
、輸出過流保護

，客戶要求精度高的，要在次級放電流保護電路，要求精度不高的，一般初級做過流保護，大部分IC都有集成過流或者過功率保護。過流保護一般放大1.1-1.5倍(bei)輸(shu)出(chu)電(dian)流(liu)。最(zui)大(da)輸(shu)出(chu)電(dian)流(liu)時(shi)，元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)應(ying)力(li)都(dou)需(xu)要(yao)測(ce)試(shi)，並(bing)留(liu)有(you)餘(yu)量(liang)。電(dian)流(liu)保(bao)護(hu)如(ru)增(zeng)加(jia)反(fan)饋(kui)環(huan)路(lu)可(ke)以(yi)做(zuo)成(cheng)恒(heng)流(liu)模(mo)式(shi)，無(wu)反(fan)饋(kui)環(huan)路(lu)一(yi)般(ban)為(wei)打(da)嗝(ge)保(bao)護(hu)模(mo)式(shi)。做(zuo)好(hao)過(guo)流(liu)保(bao)護(hu)還(hai)需(xu)要(yao)測(ce)試(shi)滿(man)載(zai)+電解電容的測試
，客戶端有時提出的要求並未給出是否是容性負載
，能帶多大的電容起機測試了後心裏比較有底。

 

10、輸出過壓保護，穩定性要求高的客戶會要求放2個光耦，1個正常工作的

，一個是做過壓保護的。無要求的，在VCC的輔助繞組處增加過壓保護電路，或者IC裏麵已經有集成的過壓保護
，外圍器件很少。

 

11、過guo溫wen保bao護hu一yi般ban要yao看kan具ju體ti情qing況kuang添tian加jia的de
，安an規gui做zuo高gao溫wen測ce試shi時shi對dui溫wen度du都dou有you要yao求qiu

，能neng滿man足zu安an規gui要yao求qiu溫wen度du都dou還hai可ke以yi，除chu非fei環huan境jing複fu雜za或huo者zhe異yi常chang情qing況kuang，需xu要yao增zeng加jia過guo溫wen保bao護hu電dian路lu。

 

12、啟動時間，一般要求為2S,或者3S內起機，都比較好做，待機功耗做到很低功率的方案，一般IC都考慮好了。沒有什麼問題。

 

13、上升時間和過衝，這個通過調節軟啟動和環路響應實現。

 

14、負載調整率和線性調整率都是通過調節環路響應來實現。

 

15

、保持時間，更改輸入大電容容量即可。

 

16、輸出短路保護，現在IC的短路保護越做越好，一般短路時，IC的VCC輔助繞組電壓低，IC靠啟動電阻供電，IC啟動後，Isense腳檢測過流會做短路保護，停止PWM輸出。一般在264V輸入時短路功率最大，短路功率控製住2W以內比較安全。短路時需要測試MOSFET的電流與電壓，並通過查看MOSFET的SOA圖（安全工作區）對應短路是否超出設計範圍。

 

 

1、空載起機後，輸出電壓跳。有可能是輕載時VCC的輔助繞組感應電壓低導致，增加VCC繞組匝數，還有可能是輸出反饋環路不穩定，需要更新環路參數。

 

2
、帶載起機或者空載切重載時電壓起不來。重載時，VCC輔助繞組電壓高，需查看是否過壓

，或者是過流保護動作。

 

還有變壓器設計時按照正常輸出帶載設計，導致重載或者過流保護前變壓器飽和。

 

3、元器件的應力都應測試，滿載、過載、異常測試時元器件應力都應有餘量
，餘量大小看公司規定和成本考慮。

 

性能測試與調試基本完成。調試時把自己想成是設計這顆IC的人
，就能好好理解IC的工作情況並快速解決問題。

這些全都按記憶寫的
，有點亂，有些沒有記錄到，後續想到了再補上。

 

 

1、溫升測試，45℃烤箱環境，輸入90，264時變壓器磁芯

，線包不超過110℃
，PCB在130℃以內。其他的元器件具體值參考下安規要求，溫度最難整的一般都是變壓器。

 

2、絕緣耐壓測試DC500V
，阻值大於100MΩ，初次級打AC3000V時間60S,小於10mA
，產線量產可以打AC3600V,6S。建議采用直流電壓DC4242打耐壓。耐壓電流設置10mA，測ce試shi過guo程cheng中zhong測ce試shi儀yi器qi報bao警jing
，要yao檢jian查zha初chu次ci級ji距ju離li，初chu級ji到dao外wai殼ke，次ci級ji到dao外wai殼ke距ju離li，能neng把ba測ce試shi室shi拉la上shang窗chuang簾lian更geng好hao，能neng快kuai速su找zhao到dao放fang電dian的de位wei置zhi的de電dian火huo花hua。

 

3、對地阻抗
，一般要小於0.1Ω，測試條件電流40A。

 

4

、ESD一般要求接觸4K,空氣8K，有個電阻電容模型問題。一般會把等級提高了打，打到最高的接觸8K,空氣15K。打ESD時
，共模電感底下有放電針的話，放電針會放電。電源的ESD還會在散熱器與不同元器件之間打火，一般是距離問題和PCB的layout問題。打ESD打到15K把電源打壞就知道自己做的電源能抗多大的電壓，做安規認證時，心裏有底。如果客戶有要求更高的電壓也知道怎麼處理。參考EN61000-4-2。

 

5、EFT這個沒有出現過問題2KV。參考EN61000-4-4。

 

6、雷擊，差模1K
，共模2K，采用壓敏14D471
，有輸入大電解，走線沒有大問題基本PASS。碰到過雷擊不過的情況
，小功率5W,10W的打掛了
，采用能抗雷擊的電解電容。單極PFC做反激打掛了MOSFET,在輸入橋堆後加入二極管與電解電容串聯
，電容吸收能量。LED電源打2K與4K的情況
，4KV就要采用壓敏電阻+GDT的形式。參考EN61000-4-5。
 

EFT,ESD,SURGE有A,B,C等級。一般要A等級：幹擾對電源無影響。

 

7
、低溫起機。一般便宜的電源
，溫度範圍是0-45℃
，貴的，工業類，或者LED什麼的有要求-40℃-60℃，甚至到85℃。-40℃的時候輸入NTC增大了N倍

，輸入電解電容明顯不夠用了，ESR很大，還有PFC如果用500V的MOSFET也是有點危險的（低溫時MOSFET的耐壓值變低）。之前碰到過90V輸入的時候輸出電壓跳，或者是LED閃幾次才正常起來。增加輸入電容容量
，改小NTC,增加VCC電容，軟啟動時間加長，初級限流（輸入容量不夠
，導致電壓很低，電流很大
，觸發保護）從1.2倍放大到1.5倍，IC的VCC繞組增加2T輔助電壓抬高；查找保護線路是否太極限，低溫被觸發（如PFC過壓易被觸發）。

 

基本性能和安規基本問題解決掉，剩下個傳導和輻射問題。這個時候可以跟客戶談後續價格
，自己優化下線路。

 

跟安規工程師確認安規問題
，跟產線的工程師確認後續PCB上元器件是否需要做位置的更改，產線是否方便操作等問題。或者有打AI


，過回流焊波峰焊的問題，及時對元器件調整。

 

傳chuan導dao和he輻fu射she測ce試shi大da家jia看kan得de比bi較jiao多duo，論lun壇tan裏li麵mian也ye講jiang的de多duo，實shi際ji上shang這zhe個ge是shi個ge砸za錢qian的de事shi情qing。砸za錢qian砸za多duo了le，自zi然ran就jiu會hui了le，整zheng改gai也ye就jiu快kuai了le。能neng改gai的de地di方fang就jiu那na麼me幾ji個ge。1、這個裏麵看不見的，特別重要的就算是PCB了，有厲害的可以找到PCB上的線，割斷，換個走線方式就可以搞掉3個dB,餘量就有了。

 

2、一般看到筆記本電源適配器，接電腦的部分就有個很醜的砣
，這個就是個EMI濾波器，從適配器出線的部分到筆記本電腦這麼長的距離
，可以看成是1條天線，增加一個濾波器，就可以濾除損耗。所以一般開關電源的輸出端有一個濾波電感，效果也是一樣的。

3、輸入濾波電感，功率小的
，UU型很好用，功率大的基本用環型和ETxing。gongsiyouchuandaoshiyanshihuozhechuandaoyiqidedaoshikeyiyouxiangfalejiuquzhetengxia。yaoshiyaoqudisanfangshiyanshidejiubijiaotongkule，guangzhenggaicailiaodouyaodaiyidui。lvbodianganyonggaodaode10K材料比較好
，對傳導輻射抑製效果都不錯
，如果傳導差的話
，可以改12K,15K的，輻射差的話可以改5K,7K的材質。

 

4、輸入X電容，能用小就用小，主要是占地方。這個要配合濾波電感調整的。

 

5、Y電容，初次級沒有裝Y電容，或者Y電容很小的話一般從150K-30M都是飄的，或者飛出限值了的
，裝個471-222就差不多了。Y電容的接法直接影響傳導與輻射的測試數據，一般為初級地接次級的地，也有初級高壓，接次級地
，或者放2個Y電容初級高壓和初級地都接次級的地
，沒有調好之前誰也說不準的。Y電容上串磁珠，對10MHz以yi上shang有you效xiao果guo，但dan也ye不bu全quan是shi。每mei個ge人ren調tiao試shi傳chuan導dao輻fu射she的de方fang法fa和he方fang式shi都dou有you差cha異yi機ji種zhong也ye不bu同tong
，問wen題ti也ye不bu同tong

，所suo以yi也ye許xu我wo的de方fang法fa隻zhi適shi合he我wo自zi己ji用yong。無wuY方案大部分是靠改變變壓器來做的

，而且功率不好做大。

 

6、MOSFET吸收，DS直接頂多能接個221
，要不溫度就太高了，一般47pF

，100pF。RCD吸收，可以在C上串個10-47Ω電阻吸收尖峰。還可以在D上串10-100Ω的電阻，MOSFET的驅動電阻也可以改為100Ω以內。

 

7
、輸出二極管的吸收，一般采用RC吸收足夠了。

 

8、變bian壓ya器qi
，變bian壓ya器qi有you銅tong箔bo屏ping蔽bi和he線xian屏ping蔽bi，銅tong箔bo屏ping蔽bi對dui傳chuan導dao效xiao果guo好hao

，線xian屏ping蔽bi對dui輻fu射she效xiao果guo好hao。至zhi於yu初chu包bao次ci，次ci包bao初chu，還hai有you些xie其qi他ta的de繞rao法fa都dou是shi為wei了le好hao過guo傳chuan導dao輻fu射she。

 

9

、對於PFC做反激電源的，輸入部分還需要增加差模電感。一般用棒形電感
，或者鐵粉芯的黃白環做。

 

10、整改傳導的時候在10-30MHz部分盡量壓低到有15-20dB餘量，那樣輻射比較好整改。

 

開關頻率一般在65KHz
，看傳導的時候可以看到65K的倍頻位置
，一般都有很高的值。

 

總之：chuandaodexianxiangkeyikanchengshigonglvqijiandekaiguanyinqidezhendangzaishuruxianshangbeifangdalexianshichulai，bimianzhendangxinhaochuqujiuyaobimiangaopinzhendang，huozhebagaopinzhendangxishoudiao
，sunhaodiao，yizhiyuxianshichulaideshihoubuchaobiao。

上個傳導的圖，僅供參考，之前傳導整改大致分了幾個區去調整的
，有些細節不用太糾結。

 

每個人的整改經驗都還有所不同的
，想法也有差異。

上個輻射的垂直於水平測試圖，僅供參考，之前的輻射整改大致分了幾個區去調整的
，有些細節不用太糾結。

 

每個人的整改經驗都還有所不同的，想法也有差異。

電源的幹擾一般在200MHz以後基本沒有了，垂直比較難整改
，水平方向一般問題不大
，有DC/DC的情況水平方向幹擾會大些。

 

1、PCB的走線按照布線規則來做即可。當PCB有空間的時候可以放2個Y電容的位置：初級大電容的+到次級地；初級大電容-到次級地，整改輻射的時候可以調整。

 

2、對於2芯輸入的
，Y電容除了上述接法還可以在L,N輸入端，保險絲之後接成Y型
，再接次級的地，3芯輸入時
，Y電容可以從輸入輸出地接到輸入大地來測試。

 

3、磁珠在輻射中間很重要，以前用過的材料是K5A,K5C
，磁珠的阻抗曲線與磁芯大小和尺寸有關。如圖所示，不同的磁珠對不同的頻率阻抗曲線不同。但是都是把高頻雜波損耗掉，成了熱量（30MHz-500MHz）。一般MOSFET,輸出二極管
，RCD吸收的D
，橋堆，Y電容都可以套磁珠來做測試。

 

4
、輸入共模電感：如果是2級濾波
，第一級的濾波電感可以考慮用0.5-5mH左右的感量
，蝶形繞法，5K-10K材質繞製，第一級對輻射壓製效果好。如果是3芯輸入
，可以在輸入端進線處用三層絕緣線在K5A等同材質繞3-10圈，效果巨好。

 

5、輸出共模電感
，一般采用高導磁芯5K-10K的材料

，特殊情況輻射搞不定也可以改為K5A等同材質。

 

6
、MOSFET
，漏極上串入磁珠，輸入電阻加大
，DS直接並聯22-220pF高壓瓷片電容可以改善輻射能量
，也可以換不同電流值的MOS，或者不同品牌的MOSFET測試。

 

7、輸出二極管

，二極管上套磁珠可以改善輻射能量。二極管上的RC吸收也對輻射有影響。也可以換不同電流值來測試，或者更換品牌。8、RCD吸收

，C更改容量，R改阻值
，D可以用FR107，FR207改為慢管，但是需要注意慢管的溫度。RCD裏麵的C可以串小阻值電阻。

 

9、VCC的繞組上也有二極管
，這個二極管也對輻射影響大，一般采取套磁珠

，或者將二極管改為1N4007或者其他的慢管。

 

10、最zui關guan鍵jian的de變bian壓ya器qi。能neng少shao加jia屏ping蔽bi就jiu少shao加jia屏ping蔽bi
，沒mei辦ban法fa的de情qing況kuang也ye隻zhi能neng改gai變bian壓ya器qi了le。變bian壓ya器qi裏li麵mian的de銅tong箔bo屏ping蔽bi對dui輻fu射she影ying響xiang大da
，線xian屏ping蔽bi是shi最zui有you效xiao果guo的de。一yi般ban改gai不bu動dong的de時shi候hou才cai去qu改gai變bian壓ya器qi。

 

11、輻射整改時的效率。套滿磁珠的電源先做測試
，PASS的情況

，再逐個剪掉磁珠。

 

fail的情況，在輸入輸出端來套磁環，判斷輻射信號是從輸入還是輸出發射出來的。

 

套了磁環還是fail的(de)話(hua)
，證(zheng)明(ming)輻(fu)射(she)能(neng)量(liang)是(shi)從(cong)板(ban)子(zi)上(shang)出(chu)來(lai)的(de)。這(zhe)個(ge)時(shi)候(hou)要(yao)找(zhao)實(shi)驗(yan)室(shi)的(de)兄(xiong)弟(di)搞(gao)個(ge)探(tan)頭(tou)來(lai)測(ce)試(shi)
，看(kan)看(kan)是(shi)哪(na)個(ge)元(yuan)器(qi)件(jian)輻(fu)射(she)的(de)能(neng)量(liang)最(zui)大(da)，哪(na)個(ge)原(yuan)件(jian)在(zai)超(chao)出(chu)限(xian)值(zhi)的(de)頻(pin)率(lv)點(dian)能(neng)量(liang)最(zui)高(gao)，再(zai)對(dui)對(dui)應(ying)的(de)元(yuan)件(jian)整(zheng)改(gai)。

 

fushedexianxiangkeyikanchengshigonglvqijianzaigaosukaiguanqingkuangxia
，jishengcanshuyinqidezhendangzaibutongdetianxianshangfashechuqu，beitianxianjieshoufangdalexianshichulai
，bimianzhendangxinhaochuqujiuyaobimiangaopinzhendang
，gaibianzhendangpinlvhuozhebagaopinzhendangxishoudiao，sunhaodiao，yizhiyuxianshichulaizhideshihoubuchaobiao。

 

磁珠的運用有個需要注意的地方，套住MOSFET的時候，MOSFET最好是要打K腳，套入磁珠後點膠固定，如果磁珠鬆動
，可能導電引起MOSFET短路。有空間的情況下盡量采用帶線磁珠。

 

傳導輻射整改完成後
，PCB可以定型了，最好按照生產的工藝要求來做改善，更新一版PCB，避免生產時碰到問題。
 

1
、驗(yan)證(zheng)電(dian)源(yuan)的(de)時(shi)刻(ke)到(dao)了(le)
，客(ke)戶(hu)要(yao)求(qiu)
，規(gui)格(ge)書(shu)。電(dian)源(yuan)樣(yang)品(pin)拿(na)給(gei)測(ce)試(shi)驗(yan)證(zheng)組(zu)做(zuo)測(ce)試(shi)驗(yan)證(zheng)了(le)。之(zhi)前(qian)問(wen)題(ti)都(dou)解(jie)決(jue)了(le)的(de)話(hua)，驗(yan)證(zheng)組(zu)是(shi)沒(mei)問(wen)題(ti)的(de)，到(dao)時(shi)間(jian)拿(na)報(bao)告(gao)就(jiu)可(ke)以(yi)了(le)。

 

2
、準備小批量試產

，走流程，準備物料，整理BOM與提供樣機給生產部同事。

 

3、準備做認證的材料（保險絲
，MOSFET等元器件）與樣機以及做認證的關鍵元器件清單等文檔性材料。關鍵元器件清單裏麵的元件一般寫3個以上的供應商。認證號一定要對準，錯了的話，後續審廠會有不必要的麻煩。剩下的都是一些基本的溝通問題了。

 

做(zuo)認(ren)證(zheng)時(shi)碰(peng)到(dao)過(guo)做(zuo)認(ren)證(zheng)的(de)時(shi)候(hou)溫(wen)升(sheng)超(chao)標(biao)了(le)的(de)，隻(zhi)能(neng)加(jia)導(dao)熱(re)膠(jiao)導(dao)出(chu)去(qu)。或(huo)者(zhe)提(ti)高(gao)效(xiao)率(lv)，把(ba)傳(chuan)導(dao)與(yu)輻(fu)射(she)的(de)餘(yu)量(liang)放(fang)小(xiao)。這(zhe)種(zhong)問(wen)題(ti)一(yi)般(ban)是(shi)自(zi)己(ji)做(zuo)測(ce)試(shi)時(shi)餘(yu)量(liang)留(liu)得(de)太(tai)少(shao)，很(hen)難(nan)碰(peng)到(dao)的(de)。

 

4、一般認證2個月左右能拿到的。2個月的時間足夠把試產做好了。

 

5、試產問題：基本上都是要改大焊盤
，插件的孔大小更改
，絲印位置的更改等。

 

6
、試產的測試按IPS和產線測試的規章製度完成。

 

碰到過裸板耐壓打不過的
，原因竟然是把裸板放在綠色的靜電皮上操作；也有是麥拉片折痕處貼的膠帶磨損了。

 

7、輸入有大電容的電源，需要要求測試的工序裏麵增加一條，測試完畢給大電容放電的一個操作流程。

 

8、試產完成後開個試產總結會，試產PASS
，PCB可以開模了。量產基本上是不會找到研發工程師了，頂多就是替代料的事宜。

 

9

、做完一個產品
，給自己寫點總結什麼的
，其中的經驗教訓，或者是有點失敗的地方，或者是不同IC的特點。項目做多了
，自然就會了。

 

整(zheng)個(ge)開(kai)發(fa)過(guo)程(cheng)中(zhong)都(dou)是(shi)一(yi)個(ge)團(tuan)隊(dui)的(de)協(xie)作(zuo)，所(suo)以(yi)很(hen)厲(li)害(hai)的(de)工(gong)程(cheng)師(shi)

，溝(gou)通(tong)能(neng)力(li)也(ye)是(shi)很(hen)強(qiang)的(de)
，研(yan)發(fa)一(yi)個(ge)產(chan)品(pin)要(yao)跟(gen)很(hen)多(duo)部(bu)門(men)打(da)交(jiao)道(dao)
，技(ji)術(shu)類(lei)的(de)書(shu)要(yao)看(kan)，技(ji)術(shu)問(wen)題(ti)也(ye)要(yao)探(tan)討(tao)，同(tong)時(shi)溝(gou)通(tong)與(yu)禮(li)儀(yi)方(fang)麵(mian)的(de)知(zhi)識(shi)也(ye)要(yao)學(xue)習(xi)，有(you)這(zhe)些(xie)前(qian)提(ti)條(tiao)件(jian)
，開(kai)發(fa)起(qi)來(lai)也(ye)就(jiu)容(rong)易(yi)多(duo)了(le)。

 

一個項目做完，接著做下一個，一個接著一個，一不小心就做了好幾年了。

 

就jiu會hui開kai始shi迷mi茫mang了le，開kai始shi會hui胡hu思si亂luan想xiang，什shen麼me時shi候hou是shi個ge頭tou啊a，什shen麼me的de，想xiang去qu探tan索suo著zhe做zuo自zi己ji沒mei有you做zuo過guo的de
，以yi及ji新xin技ji術shu的de應ying用yong等deng。同tong時shi也ye會hui發fa現xian剛gang入ru門men2年3niandedixiongchuliwentiyebubizijicha，youfaxianzuodeleisidexiangmuyuelaiyuerongyile

，pingjingyanzhikeyidechushenmeyangdedianyuanyongshenmexinpianfangan，cixingqijian
，kaiguanyuanqijiandeng，chengbenshenmededoukeyilejiedaole，butongpinpaideyuanqijiandechayixing，zenmequjiangchengben，zengjialirunshenmede。huozheyoukaishizhuanxing

，zuoyewu，zuoguanli，kaishizijichuangyedexiangfadeng。

 

迷茫過後

，在我當時看來
，這些技術的問題才剛剛開始，就像美劇一樣，第一季往往隻是個序幕。

 

基礎知識如高等數學
、電路分析，模擬電路，數字電路，等專業基礎東西大學都學過，不用講了。

 

但是出學校後，一旦開始設計就會看到datasheet，大部分的英文版，少部分的中文版。未來的中國場對IC公司來講是個必爭之地
，所以現在中文版的IC資料也越來越多了。

 

如何學習datasheet裏麵的參數，沒有人教過，有個文檔推薦看下
，如附件。看不到附件的可以搜索： how to read a datasheet 的PDF檔了解下。

 

dianludeshejishijiyudianziyuanqijian
，shejijinianhou，mimangle，zaihuixiangxiang，dianziyuanqijianlimiandecanshudougaodongle
？zhexiecanshushizenmelaide，ceshi？cailiaotexing？chicun？dengdeng。zheyangdeyiwenhuigensuihenchangshijian。

 

電阻，我們忽略了它部分特點，想想有幾個人能全新設計完一款電源，不用改裏麵的電阻阻值、類別或者封裝。電阻的老化，壽命
，溫飄
，精度
，時間阻值特性曲線

，溫度曲線等等。這些參數

，我很久不看都忘了。但是查看datasheet後還是有所了解，datasheet裏麵的曲線也是對了解電阻很有幫助的。

 

常用的NTC,PTC,MOV，GDT，zhexietexingheyuanli。haiyouzhexieyuanjiandejisuan，jiusuanbujide，yehaishiyaolejie，shenmeqingkuangyongshenmeyangdeyuanqijiannengmanzuyaoqiu
，ruguobunengmanzuyaoqiu，youshishenmefangmiandeyuanyin。zhegeshihoudatasheet裏麵就可以找到答案來對應。

 

電容：有幾個特性是需要注意的，做0-40℃的產品可能都還很順利，但是做到-40℃—60℃的產品時就出問題了，起機不正常，跳了幾次後才起來，LED電源最明顯
，輸出帶載抖動，PFC的MOSFET低溫炸了，或者反激的MOSFET炸了。

 

這個就是電容低溫時的特性導致的。 電解電容在低溫時ESR很大，容量很小，可以看成1個NTCyuyigexiaodianrongchuanlian，qijideqianjigezhouqi，dianrongfengzhidianyagao，chunengbugou
，wufamanzaiqiji
，zhezhongqingkuangyaojiadadianrongrongliang
，huozhehuangenghaodexiliededianrong。

 

 如輸出抖動之類的情況基本就是反饋環路上的電容容值太臨界，低溫時容量的差異導致環路不穩定
，熱機後問題就沒有重複出現了。 對於電容的材質
、溫度特性
、以及datasheet裏li麵mian圖tu表biao和he參can數shu多duo少shao都dou必bi須xu要yao有you了le解jie

，並bing且qie能neng用yong理li論lun與yu自zi身shen經jing驗yan來lai證zheng明ming設she計ji是shi對dui的de。與yu電dian容rong在zai電dian路lu裏li麵mian不bu同tong的de作zuo用yong必bi須xu弄nong清qing楚chu，才cai能neng選xuan對dui電dian容rong。 電容的壽命也是需要關注的，瓷片電容，陶瓷電容雖然比電解電容壽命長，但是都是有壽命的，相關的問題都可以查找資料來參考。