半橋式電路中的IGBT尤其多用於電機控製應用。圖騰柱式布局創造出一種需要最佳柵極電阻設計的場景。優化步驟是基於開關功耗、產生的EMI


，直通電流和可導致故障的可能性之間的權衡。所有這些因素都隨應用環境變化，包括母線電壓和開關電流大小，這些綜合起來確定IGBT的大小。IGBT的大小決定器件的寄生元件，包括相關的電容。一旦知道了寄生參數和係統參數
，就可以選擇最佳的柵極電阻值。

 

在設計半橋式布局中的柵極驅動時，應該認真考慮圖1中的Rg_on和Rg_off。較低的Rg_on值由於會使IGBT速度更快
，因而能夠減少開關能耗。

 

由於開關時間減少，高電壓和高電流狀況持續的時間較短。然而
，快速開關速度可能導致幾個負麵效應 ，比如EMI 增加

，並且可能出現意外的直通電流。

 

在這些負麵效應中
，本博文介紹意外直通電流。如圖1所示，該穿通電流會通過將相反 IGBT柵極充電至超過閥值電壓的點而導致寄生導通。當一顆IGBT導通時

，會對另外一顆IGBT施加上升的dvce/dt電壓 。上升電壓為米勒電容(Cgc)充電。因此，充電電流可通過以下方程式描述：

 

Eq˙Icharging = CgcXdvce/dt。

 

該電流流入柵極電容Cge和Rg_off
，如圖1中的藍線所示。基於Rg_off電阻、Cge，和電流
，IGBT柵極-發射極兩端產生一個電壓。如果柵極-發射極電壓高於IGBT柵極-發射極閥值電壓 (VGEth)，產生直通電流，如圖1中的紅線所示，並據此繪製出綠色波形，如圖2所示。

1

圖1: C˙dv/dt電流和寄生導通

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圖2：因C˙dv/dt效應產生穿通電流時的真實開關波形

 

為了防止出現這種現象，可以采用的一種方法是增大IGBT VGEth的閥值。然而
，IGBT的Vce(sat)行為與VGEth之間存在權衡。增大柵極閥值電壓會導致額外的功耗，因為IGBT飽和電壓Vce(sat)會增大。因此
，就效率而言，存在對增大 VGEth的局限性。

 

因此，應該控製這種現象發生
，通過在考慮固定IGBT特性如寄生電容和 VGEth時選擇合適的柵極電阻值實現。

為了優化柵極控製電阻
，要求知道影響圖2中觀察到的“Vge bump”的各種外部因素交互。

 

“Vge bump”電平會因為下列A到D項描述的關係中的因素增大：

3

因素C、D和E與工作條件相關。為了最小化穿通電流和產生的“Vge bump”，應該在最壞的C、D、E條件下考慮因素A和B。

 

圖3xianshiruhetongguotiaojiezhajiguanduansudujiangkaiguanneiboxingyouhuadaojibenxiaochudianliuzhitongdedian。zongzhi，weilezuzhihuojianshaozhezhongchuantongwenti

，tuijiancaiyongjizhongtiaojiefangfa，rubiao1所示。圖3顯示通過減小Rg_off值的調節方法的實例。推薦采用其他 調節方法，最小化直通電流的效應，同時優化整體開關性能和效率。該表格總結了可以嚐試的調節方法
、預期效應和可能缺點。建議嚐試各種調節方法，從而獲得能夠最大化效率同時最小化產生的直通電流和EMI的最佳情況。

圖3：通過減小Rg_off進行優化的實例

 

 

●開關及導通損耗優於輸入數據範圍

 

●支持 Sine PWM、Space Vector PWM及四種間斷模式PWM

 

●指定電機頻率下的ΔTj（紋波溫度）
；預測模塊的長期可靠性

 

●以圖形顯示低變頻輸出頻率下的結溫紋波

 

●散熱器的散熱要求滿足既定標準

 

●結合等式與實證結果計算損耗
，提供額外的數據保障