傳感器隨處可見，它們用來測量溫度
、光照
、shengyinheqitagezhonghuanjingcanshu。yixiechuanganqideshuchudianyahuodianliuqujueyumouxiewulicanshu。liru
，redianouchanshengyucankaojiedianheceliangdianzhijianwenduchachengbilidedianya。dabufenchuanganqidechuandihanshuxiangduiyuwulicanshuzunxunyizhideguanxi。chuandihanshutongchangshiyigezukang，dianliushichuanganqishuru，erchuanganqiliangduandedianyabiaoshimubiaocanshu。zuxingchuanganqi（比如稱重傳感器
、RTD和電位計）分別用來測量應力、溫度和角度。就一階而言，阻性傳感器與頻率無關
，並且沒有相位響應。

 

很(hen)多(duo)傳(chuan)感(gan)器(qi)因(yin)為(wei)它(ta)們(men)的(de)傳(chuan)遞(di)函(han)數(shu)隨(sui)頻(pin)率(lv)和(he)相(xiang)位(wei)改(gai)變(bian)
，所(suo)以(yi)要(yao)求(qiu)使(shi)用(yong)交(jiao)流(liu)激(ji)勵(li)信(xin)號(hao)。這(zhe)樣(yang)的(de)例(li)子(zi)有(you)感(gan)性(xing)近(jin)距(ju)離(li)傳(chuan)感(gan)器(qi)和(he)容(rong)性(xing)濕(shi)度(du)傳(chuan)感(gan)器(qi)。生(sheng)物(wu)阻(zu)抗(kang)測(ce)量(liang)可(ke)以(yi)獲(huo)取(qu)有(you)關(guan)呼(hu)吸(xi)率(lv)
、脈搏率、水合作用和其他各種生理參數。這些情況下
，幅度、相位（或兩者）都可用來確定檢測參數的數值。

 

在某些應用中，傳感器可以把待測樣本轉換成感應器。例如，色度計使用LED將(jiang)光(guang)線(xian)照(zhao)射(she)穿(chuan)過(guo)待(dai)測(ce)液(ye)體(ti)樣(yang)本(ben)。樣(yang)本(ben)的(de)光(guang)吸(xi)收(shou)調(tiao)製(zhi)光(guang)電(dian)二(er)極(ji)管(guan)檢(jian)測(ce)的(de)光(guang)量(liang)，以(yi)便(bian)揭(jie)示(shi)待(dai)測(ce)液(ye)體(ti)的(de)特(te)性(xing)。血(xue)氧(yang)含(han)量(liang)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)測(ce)量(liang)血(xue)管(guan)組(zu)織(zhi)中(zhong)的(de)紅(hong)光(guang)和(he)紅(hong)外(wai)光(guang)吸(xi)收(shou)之(zhi)差(cha)來(lai)確(que)定(ding)。超(chao)聲(sheng)傳(chuan)感(gan)器(qi)根(gen)據(ju)超(chao)聲(sheng)在(zai)氣(qi)體(ti)中(zhong)行(xing)進(jin)的(de)多(duo)普(pu)勒(le)頻(pin)移(yi)來(lai)測(ce)量(liang)氣(qi)流(liu)速(su)率(lv)。所(suo)有(you)這(zhe)些(xie)係(xi)統(tong)都(dou)可(ke)以(yi)使(shi)同(tong)步(bu)解(jie)調(tiao)來(lai)實(shi)現(xian)。

 

圖1顯示的是測量傳感器輸出信號的同步解調係統。激勵信號fx用作載波，傳感器以幅度、相位（或兩者同時）作為待測參數的函數進行調製。信號可能經過放大和濾波，然後再由相敏檢波器(PSD)向下調製
，回到直流狀態。輸出濾波器(OF)將信號帶寬限製在待測參數的頻率範圍內。

圖1. 同步解調係統

 

傳感器輸出端的噪聲可能受內部源或外部耦合的影響。低頻(1/f)噪聲經常會限製傳感器或測量電子設備的性能。很多傳感器還容易受到低頻環境噪聲的幹擾。光學測量容易受到背景光照的影響；電磁傳感器容易受到電源輻射的影響。自由選擇激勵頻率以避開噪聲源是同步解調的重要優勢。

 

選(xuan)擇(ze)一(yi)個(ge)可(ke)以(yi)降(jiang)低(di)這(zhe)些(xie)噪(zao)聲(sheng)源(yuan)影(ying)響(xiang)的(de)激(ji)勵(li)頻(pin)率(lv)是(shi)優(you)化(hua)係(xi)統(tong)性(xing)能(neng)的(de)重(zhong)要(yao)途(tu)徑(jing)。所(suo)選(xuan)激(ji)勵(li)頻(pin)率(lv)應(ying)當(dang)具(ju)有(you)較(jiao)低(di)的(de)噪(zao)底(di)，並(bing)離(li)開(kai)噪(zao)聲(sheng)源(yuan)足(zu)夠(gou)距(ju)離(li)
，以(yi)便(bian)適(shi)當(dang)進(jin)行(xing)濾(lv)波(bo)便(bian)可(ke)將(jiang)噪(zao)聲(sheng)降(jiang)低(di)至(zhi)可(ke)以(yi)接(jie)受(shou)的(de)水(shui)平(ping)。傳(chuan)感(gan)器(qi)激(ji)勵(li)通(tong)常(chang)是(shi)功(gong)耗(hao)預(yu)算(suan)中(zhong)最(zui)大(da)的(de)一(yi)塊(kuai)。如(ru)果(guo)傳(chuan)感(gan)器(qi)的(de)靈(ling)敏(min)度(du)與(yu)頻(pin)率(lv)的(de)關(guan)係(xi)已(yi)知(zhi)
，則(ze)在(zai)靈(ling)敏(min)度(du)較(jiao)高(gao)的(de)頻(pin)率(lv)處(chu)激(ji)勵(li)傳(chuan)感(gan)器(qi)即(ji)可(ke)降(jiang)低(di)功(gong)耗(hao)。

 

 

若要理解抗混疊濾波器(AAF)和OF的要求，則需理解PSD。考慮通過激勵信號將輸入信號同步擴大+1和–1倍的PSD。這等效於輸入信號乘以相同頻率的方波。圖2a顯示的是輸入信號、基準電壓源和PSD輸出的時域波形；圖中
，輸入信號為方波
，任意相位與基準電壓源相關。

 

當輸入和基準電壓完全無相移時，相對相位為0°
，開關輸出為直流
，且PSD輸出電壓為+1。隨著相對相位增加，開關輸出成為基準頻率兩倍的方波，且占空比和均值線性下降。相對相位為90°時，占空比為50%
，平均值為0。在180°相對相位處，PSD輸出電壓為–1。圖2b顯示了相對相位在0°至360°範圍內掃描時的PSD平均輸出值
，輸入信號為方波和正弦波。

圖2. (a) PSD時域波形 (b) PSD輸出平均值與相對相位成函數關係

 

正弦波情形沒有方波情形那麼直觀，但可以通過逐項相乘並分解為相加項和相減項而計算，如下所示：

圖3. 有助於PSD輸出的信號輸入頻譜

 

zhakanzhixia，xiebodewuxianqiuhehundiejinrushuchulvboqitongdai，sihushizhezhongfangfashixiao。raner，youyumeiyigexieboxiangdouchengbeisuoxiao，bingqiegexiebozaoshengyipingfanghedepingfanggenfangshixiangjia，zaoshenghundiedeyingxiangdeyijianqing。jiasheshuruxinhaodezaoshengpinpumidububian
，namejiukeyijisuanxiebohundiedezaoshengyingxiang。

 

使Vn成為以基頻為中心的傳輸窗口的積分噪聲。總RMS噪聲VT為：

因此，所有諧波窗口產生的RMS噪聲使總噪聲僅增加11%（或1dB）。輸出依然容易受到帶通濾波器的通帶波動影響，並且PSD之(zhi)前(qian)的(de)傳(chuan)感(gan)器(qi)或(huo)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)諧(xie)波(bo)失(shi)真(zhen)將(jiang)導(dao)致(zhi)輸(shu)出(chu)信(xin)號(hao)產(chan)生(sheng)誤(wu)差(cha)。如(ru)果(guo)這(zhe)些(xie)諧(xie)波(bo)失(shi)真(zhen)項(xiang)過(guo)大(da)而(er)無(wu)法(fa)接(jie)受(shou)
，可(ke)以(yi)使(shi)用(yong)抗(kang)混(hun)疊(die)濾(lv)波(bo)器(qi)使(shi)其(qi)下(xia)降(jiang)。下(xia)一(yi)個(ge)設(she)計(ji)示(shi)例(li)中(zhong)將(jiang)考(kao)慮(lv)抗(kang)混(hun)疊(die)和(he)輸(shu)出(chu)濾(lv)波(bo)器(qi)要(yao)求(qiu)。

 

圖4顯示的是一個同步解調電路
，該電路可從線性可變位移變壓器（LVDT，一種特殊的繞線變壓器

，具有活動內核，貼在待測位置）提取位置信息。激勵信號施加於初級端。次級端電壓隨內核位置成比例變化。

 

LVDT的類型有很多，此外提取位置信息的方法也各不相同。該電路采用4線模式LVDT。將兩個LVDT的次級輸出相連使其電壓相反
，從而執行減法。當LVDT內核位於零點位置時，次級端上的電壓相等
，繞組上的電壓差為零。隨著內核從零點位置開始移動，次級繞組上的電壓差也隨之增加。LVDT輸出電壓符號根據方向而改變。本例選擇的LVDT測量±2.5 mm滿量程內核位移。電壓傳遞函數為0.25，意味著當內核偏離中心2.5 mm時
，施加於初級端的每伏特電壓的差分輸出等於250 mV。

圖4. 簡化LVDT位置檢測電路

 

 

ADA2200集成式同步解調器采用獨特的電荷共享技術來執行模擬域內的分立式時間信號處理。該器件的信號路徑由輸入緩衝器、FIR抽取濾波器（進行抗混疊濾波）、可編程IIR濾波器
、相敏檢波器以及差分輸出緩衝器組成。其時鍾生成功能可將激勵信號與係統時鍾同步。通過SPI兼容接口可配置可編程特性。

圖5. ADA2200同步解調器

 

24位Σ-Δ型ADC AD7192生成的4.92 MHz時鍾用作主機時鍾。ADA2200生成濾波器和PSD時鍾所需的一切內部信號，此外還在RCLK引腳上生成激勵信號。該器件將主機時鍾進行1024分頻，以便生成4.8 kHz信號，控製CMOS開關。CMOS開關將低噪聲3.3 V源轉換為LVDT的方波激勵信號。用於激勵源的3.3 V電源還用作ADC基準電壓源，因此電壓源中的一切漂移都不會降低測量精度。在滿量程位移處，LVDT輸出1.6 V峰峰值輸出電壓。

 

 

LVDT輸出和ADA2200輸入之間的RC網絡為LVDT輸出信號提供低通濾波，同時產生使解調器輸出信號最大所需的相對相移。如前所述，圖2b顯示了最大PSD輸出發生在相對相移為0°或180°處。ADA2200具有90°相位控製


，因而還可以使用±90°相對相位失調。

 

解調頻率奇數倍的信號能量將出現在輸出濾波器的通帶內。FIR抽取濾波器實現抗混疊濾波
，能為這些頻率提供至少50 dB衰減。

 

如有需要
，IIR濾波器可提供額外的濾波或增益。由於IIR濾波器在相敏檢波器前麵，其相位響應將會影響PSD信號輸出帶寬。設計濾波器響應時

，必須考慮這一點。

 

應選擇輸出濾波器的通帶，使其匹配待測參數的帶寬
，但限製係統的寬帶噪聲。輸出低通濾波器必須還要能夠抑製PSD偶數倍產生的輸出雜散。

 

該電路使用Σ-Δ型ADC AD7192內置的LPF。它可以通過編程實現sinc3或sinc4響應，並且傳遞函數在輸出數據速率的倍數處為零。

 

將ADC的輸出數據速率設為解調頻率可以抑製PSD輸出雜散。ADC的可編程輸出數據速率用作可選帶寬輸出濾波器。可用的輸出數據速率(fDATA)為4.8 kHz/n，其中1 ≤ n ≤ 1023。因此
，ADC對每個輸出數據數值的n個解調時鍾周期內求解調器輸出的平均值。由於主機時鍾和ADC時鍾同步
，ADC輸出濾波器傳遞函數的零點將直接落在調製頻率的每一個諧波上，並且抑製任意n值的所有輸出雜散。

圖6顯示了歸一化為ADC輸出數據速率的sinc3傳輸函數。

 

可編程輸出數據速率具有噪聲和帶寬/建立時間之間的直觀權衡取舍關係。輸出濾波器噪聲帶寬為0.3 × fDATA、3 dB頻率為0.272 × fDATA

，建立時間為3/fDATA。

 

在最高4.8 kHz輸出數據速率下
，ADC數字濾波器具有1.3 kHz左右的3 dB帶寬。在不超過此頻率的範圍內
，解調器和ADC之間的RC濾波器相對平坦，最大程度降低了ADC的帶寬要求。在最大數據速率較低的係統中，RC濾波器轉折頻率可以按比例降低。

 

 

該電路的輸出噪聲是ADC輸出數據速率的函數。表1顯示數字化數據相對於ADC采樣速率的有效位數，假設滿量程輸出電壓為2.5 V。噪聲性能與LVDT內核位置無關。

表1. 噪聲性能與帶寬的關係

 

如果ADA2200輸出噪聲與頻率無關，則預計有效位數將在輸出數據速率每4×下降時增加一位。ENOB在較低輸出數據速率下不會上升太多
，這是由於ADA2200輸出驅動器的1/f噪聲所導致的
；該噪聲在較低的輸出數據速率下成為噪底的主要成分。

 

 

首先在±2.0 mm內核位移處執行一次兩點校準即可測量線性度結果。由這些測量結果可確定斜率和失調，從而實現最佳直線擬合。然後，在±2.5 mm滿量程範圍內測量內核位移。從直線數據中減去測量數據即可確定線性度誤差。

圖7. 位置線性度誤差與LVDT內核位移的關係

 

用於電路評估的E係列LVDT線性度額定值為±0.5%（±2.5 mm位移範圍）電路性能超過了LVDT的規格。

 

 

電路總功耗為10.2 mW，包括驅動LVDT的6.6 mW以及電路其餘部分的3.6 mW。電路SNR可以通過增加LVDT激勵信號而得到改善
，但代價是功耗更高。或者，可以通過降低LVDT激勵信號從而降低功耗

，同時使用低功耗雙通道運算放大器來放大LVDT輸出信號，以便保留電路的SNR性能。