在低功耗（3W 及以下）反激式電源中，很難在成本上擊敗 BJT。大批量購買時，一個 13003 NPN 晶體管價格可低至 0.03 美元。該器件不僅可處理 700V VCE，而且無需過大的基流便可驅動幾百毫安的電流。使用 BJT，增益和功率耗散可能會將實際使用限製在低功耗應用中。在這些低功耗標準下，MOSFET 與 BJT 之間的效率差異非常細微。下圖 1 對比了兩個相似 5V/1W 設計的效率。第一個設計是“230VAC 輸入
、5.5V/250mA 非隔離式反激轉換器”使用 MOSFET
，而另一個設計則是“120VAC 輸入、5V/200mA 反激轉換器”使用 BJT。這並不是完全公平的對比
，因為這兩個電源在設計上采用不同的輸入電壓運行

，但它說明了它們的效率有多相似。

有些新控製器實際是設計用於驅動 BJT 的，目的是提供最低成本的解決方案。在大多數情況下，具有外部 BJT 的控製器比包含集成型 MOSFET 的控製器便宜。在使用 BJT 控製器進行設計時
，必須注意確保 BJT 的基極驅動與增益足以在變壓器中提供必要的峰值電流。

 

在稍微偏高的功率級下，FET 與 BJT 的效率差異就會變得較為明顯
，原因在於 BJT 較差的開關特性與壓降。但是

，對於輸入電壓高於 100-240VAC 典型家用及商用電壓範圍的應用來說，BJT 可能仍有優勢。工業應用與功率計就是這種情況的兩個實例，它們可能需要更高的輸入電壓。價格合理的 MOSFET 隻能用於 1kV 以下。在有些功率計應用中

，線路電壓可能會超過 480VACrms。在整流器後會達到 680Vdc 以yi上shang的de電dian壓ya。對dui於yu三san相xiang位wei輸shu入ru
，這zhe一yi數shu字zi可ke能neng還hai會hui更geng高gao。電dian源yuan開kai關guan需xu要yao能neng夠gou承cheng受shou這zhe種zhong電dian壓ya以yi及ji反fan射she輸shu出chu電dian壓ya與yu漏lou電dian峰feng值zhi。在zai這zhe些xie應ying用yong中zhong
，MOSFET 可能根本就無法作為選項，因此 BJT 就成了最簡單、最低成本的解決方案。

 

我們之前討論過，當功率級提高到 3W 以上時
，BJT 中的開關損失可能就會成為大問題。使用級聯連接來驅動 BJT 可以緩解這一問題。下圖 2（摘自 PMP7040）是級聯連接的工作情況。BJT （Q1） 的基極連接至 VCC 電軌，同時發射極被拉低用以打開開關。在 UCC28610 內部
，一個低電壓 MOSFET 將 DRV 引腳拉低
，並由一個內部電流感應來安排峰值開關電流。由內部 MOSFET 實現快速關斷，因為它與外部高電壓 BJT 串聯。

總之，BJT 可能會在您的電源中具有重要意義，仍然是有一些原因的。在低於 3W 的應用中，它們可能會在不怎麼影響性能的情況下

，具有低成本優勢。在更高電壓下，它們可在 MOSFET 選擇可能具有局限性的情況下提供更多選擇。