圖一：三菱電機半導體首席技術官GourabMajumdar博士記者會演講

 

雖然2016年nian整zheng體ti經jing濟ji環huan境jing不bu佳jia，預yu計ji銷xiao售shou額e會hui有you所suo下xia降jiang。但dan是shi，由you於yu中zhong國guo市shi場chang龐pang大da，並bing且qie根gen據ju國guo家jia相xiang應ying的de十shi三san五wu發fa展zhan規gui劃hua，中zhong國guo將jiang從cong製zhi造zao大da國guo邁mai向xiang製zhi造zao強qiang國guo；因此，三菱電機十分重視拓展本地市場
，同時為中國經濟的結構性調整做貢獻。三菱電機半導體將致力於數控機床、機器人、軌道交通、變頻家電、新能源和電動汽車等領域，為市場提供更高可靠性
、更優性價比的產品。

 

圖二：三菱電機大中國區半導體總經理四個所大亮先生

 

 

在第7代IGBT模塊中，分為NX及STD封裝兩種。NX封裝俗稱扁平形封裝，有2合1
、6合1和7合1的產品；STD是殼式的標準封裝，以2合1的產品為主，兩種封裝同樣提供650V、1200V和1700V的產品。

 

圖三：三菱電機技術人員為媒體解說IGBT等係列產品

 

三菱電機自1968年提出IGBT概念後
，至今已經開發到第7代IGBT產品。IGBT芯片的尺寸越來越小，厚度越來越薄，功耗也越來越低。

 

第七代IGBT產品的壽命和可靠性也有了大幅度提升。對於NX封裝，三菱電機采用樹脂絕緣基板代替傳統的AlN，提升了熱循環壽命，采用黑色的DP樹脂替代傳統的透明凝膠，令功率循環壽命得到大幅度提升。

 

對於STD封裝的第7代IGBT產品，三菱電機采用了全新的厚銅陶瓷基板技術提升熱循環壽命，采用了主端子超聲波焊接技術，降低了封裝內部的雜散電感。

 

為了提高基於第7代IGBT模塊變頻器的生產效率
，三菱電機提供了壓接端子和預塗覆熱界麵材料的可選項。

 

 

針對工業應用，三菱電機設計了G1 係列IPM，它是一種殼式的智能功率模塊，把IGBT芯片驅動和保護電路集成在一起。它功耗低，尺寸小，產品線較豐富。根據不同的電流等級，耐壓等級和實際散熱效果，分為A、B及C三種封裝供客戶選擇。

 

對於電動車和混合電動車，三菱電機最新提供J1係列，集成的散熱器采用針腳式

，可以直接插到電動車下麵的水槽裏
，通過水冷
，提升散熱功能。

 

針對小功率變頻器，三菱電機全新設計了DIPIPM+
，它是在現有DIPIPM™的基礎上
，增加了整流橋和製動單元，將小功率變頻器所需的所有功率器件均集成在內，簡化了客戶的設計。

 

SLIMDIP就是纖細型的DIPIPM™

，比一般的超小型DIPIPM™小30%，它采用了RC-IGBT內置功率芯片數量從原來的12個減少至6個，分為5A和15A兩款。5A產品適合風機和冰箱，15A產品適用於洗衣機和空調。

 

在電力機車牽引方麵，三菱電機的HVIGBT封裝基本上已成為行業默認的標準。為了整體行業的可持續發展，三菱電機與競爭對手一起開發下一代產品的封裝標準。

 

在新一代二合一HVIGBT封裝中，中低壓的叫LV100
，絕緣耐壓是6kV
，電壓等級從1700到3300V，電流等級分450A和900A兩款。高壓的叫HV100，絕緣極限達到10kV，電壓等級從3500V到6500V，電流等級有225A、330A及450A。

 

最新推出的X係列HVIGBT采(cai)用(yong)了(le)新(xin)一(yi)代(dai)的(de)功(gong)率(lv)芯(xin)片(pian)，功(gong)耗(hao)更(geng)低(di)。由(you)於(yu)提(ti)高(gao)了(le)電(dian)流(liu)密(mi)度(du)
，在(zai)相(xiang)同(tong)電(dian)壓(ya)等(deng)級(ji)下(xia)，電(dian)流(liu)等(deng)級(ji)可(ke)以(yi)更(geng)大(da)。該(gai)產(chan)品(pin)能(neng)在(zai)四(si)倍(bei)額(e)定(ding)電(dian)流(liu)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia)正(zheng)常(chang)地(di)關(guan)斷(duan)，不(bu)至(zhi)於(yu)失(shi)效(xiao)。

 

 

三菱電機從1994年開始，已經啟動碳化矽的功率器件的研究，至今已有20多款產品麵世，部分產品應用在日本新幹線和700係列車上。三菱電機在牽引變流器、工業自動化、變頻空調器裏麵都已采用混合碳化矽功率模塊，並實現商業化。

 

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