場效應晶體管的輸出曲線(實例解讀)
發布時間:2018-11-06 責任編輯:wenwei
【導讀】場效應晶體管的輸出曲線如何理解?場效應管輸出特性曲線分為三個區:可變電阻區、恒流區和擊穿區。VDS較小時,場效應管工作在可變電阻區,ID近似隨VGS作線性變化。VDS較大時,工作在恒流區,ID保持穩定,不隨VGS的變化而改變。當VDS大於某一臨界值時,進入擊穿區,ID開始迅速增大,場效應管不能正常工作。下麵通過一些實例問答來幫助大家加深對場效應晶體管的輸出曲線的認知。
場效應晶體管的輸出曲線實例一:
問:如圖,Vgs=8V,Vds=20V的時候,Id都接近300A了。這個數據是怎麼測試出來的?要知道我把12V的電壓短接在D,S之間,瞬間就爆管了。

答:你看到的部分曲線是指管芯封裝無限製,管芯溫度恒定為25°c時的理想電流曲線,IR的一般有測試的,國內的mos一般沒有做測試,基本上是理論曲線。但是TO220或者其他封裝的mos受到封裝限製,實際Id大小分兩種,一是受到封裝的限製,二是受到管芯溫度的限製,你做這個實驗前可以參考IR官網的應用筆記,或者按照pdf上的測試條件做。按你說的,一般是行不通的,假如12v測試電源電流足夠大,當mos完全導通時,其Id會很高,從而導致mos功耗過大損壞,因此你做的實驗沒有什麼意義。
另外場效應管G極是不能懸空的,否則極易由於感應電壓,使管子導通,導通時的內阻非常低,如果測試電壓內阻也非常小,必爆管無疑。
場效應晶體管的輸出曲線實例二:
模電如何根據他們的輸出特性曲線和轉移特性曲線來分場效應管?
通過輸出特性曲線和轉移特性曲線來區分場效應管前,首先需要了解一個概念,場效應管是壓控型器件,它區別於雙極型晶體管(流控型器件),場效應管工作時柵極一般隻需要一個電壓就可以,電流很小或者為零。所以,要實現這點,結型場效應管和MOS型采用不同的辦法實現了這個效果,導致了其特性曲線不同。
jiexingchangxiaoyingguan,liyongzhajihegoudaojiandeyigefanxiangerjiguan,bingzaierjiguanshangshijiafanxiangdianya,liyongerjiguanfanxianggongzuoshi,dianliuhenxiaodetedian,shixianyakongxiaoguo,suoyijiexingchangxiaoyingguangongzuoshi,zhajikongzhidianyaUG總是需要保證那個二極管反向工作,即N溝道,柵極電壓為負,P溝道柵極電壓為正。至於漏極電流的極性,可以通過N溝道,N代表負,外部電流流入D極,電流方向即為正,P溝道電流流出D極,電流方向即為負。所以,下圖的曲線就很好記憶了。

而MOS管,直接將柵極與溝道間絕緣阻斷,沒有任何電流通過。所以按正常的正電壓控製N溝道,負電壓控製P溝道的原則。工作時,N溝道柵極電壓為正,P溝道柵極電壓為負。電流方向和結型管的判斷方法一樣,N溝道,N代表負,外部電流流入D極,電流方向即為正,P溝道電流流出D極,電流方向即為負。就可以確定MOS管的特性曲線。至於增強型和耗盡型如何區分,隻要看控製曲線與y軸有交叉即可,即,當UG=0時,漏極電流不為零,即為耗盡型,UG=0時,漏極電流為零,即為增強型。如下圖所示。

場效應晶體管的輸出曲線實例三:
根據場效應管的轉移特性曲線,怎麼判斷它是什麼類型的溝道?

首先判斷N型還是P型,這個簡單,隻要觀察曲線是在坐標上方還是下方,上方就是N型溝道(規定);至於是增強型還是耗盡型,也簡單,增強型隻在1/4區間坐標內,而耗盡型一般處於半個坐標內;另ling外wai,關guan於yu結jie型xing還hai是shi絕jue緣yuan柵zha型xing則ze是shi看kan曲qu線xian幅fu度du,無wu限xian接jie近jin於yu坐zuo標biao軸zhou的de是shi結jie型xing,絕jue緣yuan柵zha型xing曲qu線xian是shi有you起qi始shi點dian的de在zai坐zuo標biao軸zhou上shang,且qie曲qu線xian幅fu度du比bi較jiao陡dou。
場效應管根據導電溝道的有無分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵型場效應管(MOS)兩種主要類型。
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