在如此廣泛的應用範圍內，對輔助電源的要求非常多樣化，因而市場上產生了無數替代方案和運用。

 

盡(jin)管(guan)這(zhe)些(xie)電(dian)源(yuan)是(shi)輔(fu)助(zhu)係(xi)統(tong)，但(dan)仍(reng)需(xu)要(yao)確(que)保(bao)高(gao)可(ke)靠(kao)性(xing)和(he)穩(wen)定(ding)性(xing)
，因(yin)其(qi)在(zai)為(wei)關(guan)鍵(jian)模(mo)塊(kuai)供(gong)電(dian)，如(ru)可(ke)能(neng)包(bao)括(kuo)核(he)心(xin)控(kong)製(zhi)器(qi)的(de)邏(luo)輯(ji)級(ji)電(dian)路(lu)
，或(huo)導(dao)通(tong)和(he)關(guan)斷(duan)功(gong)率(lv)金(jin)屬(shu)氧(yang)化(hua)物(wu)矽(gui)場(chang)效(xiao)應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的門極驅動器。
 

同時
，要求緊湊的設計和出色的性價比，因為這些係統不是應用的核心部分
，因此應花費盡可能少的資源來完成工作。

安(an)全(quan)也(ye)是(shi)最(zui)重(zhong)要(yao)的(de)
，在(zai)大(da)多(duo)數(shu)情(qing)況(kuang)下(xia)，係(xi)統(tong)必(bi)須(xu)符(fu)合(he)汽(qi)車(che)標(biao)準(zhun)
，也(ye)規(gui)定(ding)了(le)電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao)限(xian)製(zhi)。而(er)且(qie)，適(shi)應(ying)廣(guang)泛(fan)的(de)輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)範(fan)圍(wei)和(he)適(shi)應(ying)不(bu)同(tong)用(yong)例(li)的(de)靈(ling)活(huo)性(xing)，使(shi)其(qi)脫(tuo)穎(ying)而(er)出(chu)。
 

最後同樣重要的是，輔助電源需要提供高壓隔離，特別是如果法規規定，或功能隔離
，以實現可靠的運行。

 

根據應用相應的上述要求，輔助電源用在不同的拓撲結構-反激
、升壓

、降壓-升壓等。它們可采用替代的開關機製，如：準諧振或固定頻率，並利用集成或分立技術來傳輸所需的功率。

 

圖1.基於反激式拓撲的隔離型輔助電源原理圖，工作在準諧振峰值電流模式控製下

 

安森美半導體最近推出了四個新方案：高壓輔助電源，適用於基於800 V和400 V電池的BEV和PHEV並提供15 W或40 W功率，以及用於IGBT和碳化矽(SiC) MOSFET驅動器的隔離型電源。這些方案解決上述挑戰並滿足所需要求。

 

SECO-HVDCDC1362-15W15V-GEVB和SECO-HVDCDC1362-40W15V-GEVB是極高能效和靈活的初級端調節(PSR)輔助電源，優化用於BEV和PHEV汽車動力總成。這些設計可在250 V至900 V的寬輸入直流電壓範圍內提供穩定的15 V，因此適用於400 V和800 V電池係統。

 

該方案利用NCV1362準諧振峰值電流PSR反激控製器、成本優化的NVHL160N120SC1 160mΩ1200 V碳化矽(SiC) MOSFET和FFSD0665B-F085 SiC二極管的多種優點。

 

得益於SiC FET的高阻斷電壓能力和超低門極電荷(34 nC)值，開關損耗顯著減小，該設計表現出出色的能效，在低交流電條件下高達86％。 

 

NCV1362控製器出色的驅動能力支持SiC FET在12 V下直接運行
，而無需預驅動器，從而簡化了布局並減少了物料單的內容。反激式變壓器提供4 kV的隔離度
，且完全通過汽車級半導體和無源器件實現。

 

圖2. SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB的能效

 

圖3. SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB框圖

 

圖4.15 W高壓輔助電源的優勢

(SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB)

 

SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB是IGBT驅動器的隔離電源，提供所需穩定電壓軌 (-7.5 V和15 V，每個分路50 mA）
，實現在寬輸入電壓範圍（6 Vdc至18 Vdc）高效開關。還提供了額外的+7.5 V電源軌，以支持任何其他較低電壓邏輯。

 

該係統利用NCV3064 DC-DC轉換器，實現緊湊而穩定可靠的設計，最小化材料單內容。該板完全采用汽車認證的器件實現，並且與商用IGBT DC - DC電源引腳兼容
，從而提供了開箱即用的隔離型驅動器電源方案。

 

使用相同NCV3064的另一個SiC變體SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB將適用於SiC MOSFET開關，為門極驅動器提供+ 20 V /-5V電壓軌。

 

圖5.1.5 W IGBT隔離型驅動器電源的優勢 (SECO-LVDCDC3064-IGBT−GEVB)

 

圖6. SECO-LVDCDC3064-IGBT−GEVB框圖

 

新的電源設計用於400 V和800 V電池係統，隔離型電源用於IGBT和SiC門極驅動器，都經過專門設計，可直接集成到應用係統中。

 

安森美半導體用於汽車輔助電源方案的廣泛產品和工具陣容，有助於滿足每種應用的要求並提供最佳方案。

 

除了AC-DC控製器和穩壓器、DC-DC控製器和穩壓器
、功率MOSFET、二er極ji管guan和he保bao護hu器qi件jian的de全quan麵mian產chan品pin陣zhen容rong
，以yi充chong分fen實shi現xian廣guang泛fan的de設she計ji
，我wo們men還hai提ti供gong廣guang泛fan的de硬ying件jian和he軟ruan件jian評ping估gu以yi及ji開kai發fa工gong具ju幫bang助zhu工gong程cheng師shi，可ke加jia快kuai開kai發fa階jie段duan並bing縮suo短duan新xin產chan品pin的de上shang市shi時shi間jian。

 

 

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