1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應用
發布時間:2023-06-26 來源:英飛淩 責任編輯:wenwei
【導讀】英飛淩TRENCHSTOP™ IGBT7係列單管具有兩種電壓等級(650V&1200V)和三個係列(T7,S7,H7)。其中,H7係列單管針對光儲、UPS、EV charger、焊機等應用進行了專門的優化,並配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關損耗、導通損耗和豐富的產品係列,H7單管正在成為光伏和儲能應用的新星。
產品特點
● 按照應用需求去定義產品,去掉短路能力從而獲得更低的開關損耗和導通損耗,如圖1所示。完美適配於不需要短路能力的光儲等應用。
● 1200V H7係列有四種封裝,電流規格覆蓋40A-140A。其中140A的電流規格為市場首發,如圖2所示。而英飛淩上一代1200V 高速單管HIGHSPEED3 H3的最大電流規格僅為75A。
● 1200V H7全係列配置全電流規格的EC7 Rapid二極管,適配整流工況。
● 更強的防潮和抗宇宙射線能力。
圖1 英飛淩不同1200V單管的開關損耗和導通損耗對比
產品係列
圖2 1200V H7單管產品係列
標注:TO247-4pin assymetric為開爾文引腳、柵極引腳變細的TO247-4封裝,有助於避免連錫、加強絕緣性能。
TRENCHSTOP™ IGBT7 H7與HIGHSPEED H3對比
1200V HIGHSPEED3 H3 IGBT針對高頻應用進行了優化,具有很短的拖尾電流和很小的關斷損耗;因為采用了TRENCHSTOP™技術,其導通損耗也很低。因此,H3單管廣泛應用於光伏、儲能、UPS等領域。而1200V H7單管更近一步,表現出更優越的性能。
下圖為IKW40N120H3和IKW40N120CH7的在相同條件下的雙脈衝測試結果:
● 測試電壓:600V
● 測試電流:20A
● 測試溫度:室溫25°C
● 柵極電阻:10Ω
圖3 H3開通波形 @600V,20A,25°C
圖4 H7開通波形 @600V,20A,25°C
圖5 H3關斷波形 @600V,20A,25°C
圖6 H7關斷波形 @600V,20A,25°
分析雙脈衝結果可見,H7係列單管具有更快的開關速度,而且其開通損耗比H3降低22.4%,關斷損耗降低了34.5%,且具有更短的拖尾電流。另外,規格書顯示,IKW40N120H7的Vce(sat)比IKW40N120CH3低25.9%。
由雙脈衝結果可知,1200V H7單管適用於光儲中的Boost、T型三電平、DCDC等高開關頻率拓撲。下麵以T型三電平為例,通過PLECS軟件和英飛淩官網提供的PLECS模型進行仿真:
圖7 仿真拓撲:T型三電平
工況:20kW、10%過載、Vout=380V、PF=1、fsw=18kHz、風冷
在相同工況下,H7單管的導通損耗略低於H3,開關損耗降低接近一半,較低的總損耗會使得散熱器的溫度降低。但H7芯片的麵積比H3小,導致的較大熱阻不利於結溫的降低,盡管如此,H7單管的結溫仍然比H3單管低13.8°C。也就是說,可以用H7單管代替之前設計中的同電流規格H3單管,並獲得更高的結溫裕量。
隨著1200V H7單管電流規格的增大,其芯片麵積增大,熱阻降低,帶來更好的性能。下麵使用75A規格的IKQ75N120CH7與100A規格的IKQ100N120CH7分別應用於30kW和40kW的T型三電平拓撲進行仿真。
工況:30kW、10%過載、380V輸出、PF=1、fsw=18kHz、風冷
工況:40kW、10%過載、Vout=380V輸出、PF=1、fsw=16kHz、風冷
可見,可以通過單顆大電流單管進行更高功率逆變器的設計,但是需要合理的散熱來解決單顆TO247PLUS封裝上高達80W的功耗。值得一提的是:對大電流的單管,降低其Rth(c-h)將獲得更大的收益。因為大電流單管的Rth(c-h)占有更大比例。
1200V H7單管在光伏和儲能係統中的應用
1200V H7係列單管完美適用於T型三電平的豎管。通常情況下,T型三電平的直流母線在700-850V之間,豎管需要選用1200V耐壓的IGBT;逆變器開關頻率通常較高,同時其工作原理決定了開關損耗占比較大,所以豎管需要具有低的開關損耗;光伏逆變器要求支持±0.8的功率因數,儲能逆變器要求達到-1的功率因數,1200V H7係列單管配置的全電流規格EC7 Rapid二極管可以處理這種整流工況。為了增大IGBT出電流能力,50A至140A的1200V H7單管提供TO247PLUS封裝,在裝載更大麵積芯片的同時提供了比TO247封裝具有更大的散熱焊盤。
圖8 TO247-3 VS TO247PLUS-3
當下,光伏逆變器降本壓力增大,越來越多的光伏逆變器企業開始嚐試100kW及以上逆變器的大電流單管並聯解決方案。目前,英飛淩1200V H7單管的100A、120A、140A規格是其豎管的最優解決方案。通過仿真和熱測試的評估發現,兩並聯或三並聯方案配合良好的散熱設計,1200V H7係列單管可以輕鬆實現100kW+的逆變器。
值得一提的是,對TO247PLUS-4封裝的單管,由於開爾文射極的存在,驅動回路電感減小,開關速度增快;同芯片技術、同電流規格時,其開關損耗比TO247PLUS-3降低20%。這對光伏逆變器廠家衝擊更高功率規格的逆變器提供巨大幫助。但增快的開關速度會增大IGBT的關斷電壓尖峰,需要注意功率回路雜感的優化。
總結
► 英飛淩1200V TRENCHSTOP7™ IGBT7 H7係列單管具有多種電流規格、豐富的封裝形式、極低的開關損耗、導通損耗,是光儲應用中的優選型號。
► 相較於英飛淩上一代1200V H3單管,H7單管具有更好的表現,同電流規格的單管可以實現更大功率的機型。
► 多顆大電流H7單管並聯可以實現100kW及以上逆變器。
► 大電流單管應用中降低Rth(c-h)會獲得更大收益。
作者:王藝軒
來源:英飛淩
免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在於傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請聯係小編進行處理。
推薦閱讀:
單個MCU即可實現多電機控製!基於RX72T的4電機控製示例
TC2 100BASE-T1信道基本概念及連接器級別測試解讀(上篇)
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%!力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電!聖邦微電子發布雙輸出電源芯片,簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端:金升陽推出1200W可編程電源,賦能高端裝備製造
- 芯科科技Tech Talks與藍牙亞洲大會聯動,線上線下賦能物聯網創新
- 冬季續航縮水怎麼辦?揭秘熱管理係統背後的芯片力量
- 從HDMI 2.1到UFS 5.0:SmartDV以領先IP矩陣夯實邊緣計算基石
- 小空間也能實現低噪供電!精密測量雙極性電源選型指南,覆蓋小功率到大電流全場景
- 直擊藍牙亞洲大會 2026:Nordic 九大核心場景演繹“萬物互聯”新體驗
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall



