【導讀】負反饋什麼時候會變成正反饋？當控製工程師想要實現不錯的增益和相位裕度時。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設計人員提供理想性能和多種器件選擇，同時支持更高的設計靈活性，從而實現成本效益最優的功率設計。

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發布
，該公司於 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領先的碳化矽 (SiC) 功率半導體製造商，它的加入促使 Qorvo 將業務擴展到電動汽車 (EV)
、工業電源、電路保護、可再生能源和數據中心電源等快速增長的市場。

反饋是件好事
，控製工程師希望收到負反饋
，以及良好的增益和相位裕度
，而商人則更喜歡正反饋，比如：客戶要求 750V 級 UnitedSiC 第 4 代 SiC FET 有更多的選項。UnitedSiC 的 18 毫歐和 60 haoouqijianzaishichangzhanjulingxiandiwei
，danzaiyouxieyingyongzhong，gengdidianzubujianhegenggaozhongjianzhigengyouyoushi。zhequjueyujutiyingyongheyusuan，daotongdianzufeichangdidedangegaoduan SiC FET 占zhan用yong空kong間jian非fei常chang小xiao，裝zhuang配pei起qi來lai也ye較jiao簡jian單dan
，但dan將jiang低di成cheng本ben部bu件jian並bing聯lian也ye能neng得de到dao相xiang同tong的de導dao通tong電dian阻zu，且qie通tong常chang也ye同tong樣yang有you效xiao，尤you其qi是shi有you一yi些xie散san熱re空kong間jian時shi。然ran而er，這zhe需xu要yao將jiang器qi件jian並bing聯lian，並bing需xu要yao更geng多duo的de設she計ji工gong作zuo。

第 4 代 SiC FET 係列增添了更多部件

為實現這一靈活性
，UnitedSiC 推出了導通電阻為 23、33 和 44 毫歐的第 4 代 750V SiC FET，以及 6、9 和 11 毫歐部件
，這是在已推出的 18 和 60 毫hao歐ou器qi件jian的de基ji礎chu上shang做zuo出chu的de一yi次ci重zhong大da改gai進jin。如ru今jin，客ke戶hu可ke以yi根gen據ju其qi特te定ding的de熱re力li工gong況kuang和he運yun行xing條tiao件jian進jin行xing混hun合he搭da配pei，以yi實shi現xian價jia格ge和he性xing能neng的de最zui佳jia組zu合he
，或huo許xu還hai可ke以yi根gen據ju應ying用yong需xu求qiu或huo多duo或huo少shao地di並bing聯lian一yi些xie低di成cheng本ben部bu件jian，使shi其qi適shi用yong於yu不bu同tong設she計ji，從cong而er享xiang受shou這zhe些xie低di成cheng本ben部bu件jian的de批pi發fa價jia格ge。

並聯 SiC FET henrongyi，erqiezhajiqudonggonglvfeichangdi，shidebinglianchanshengdeewaigonglvtongchangdouwuguanjinyao。youyuzhexieqijiandedaotongdianzujuyouzhengwenduxishu，suoyizirannengshixianjunliu，ciwaihaiyouyigeewaidexiangguanyoushi，jiyudange 9 毫歐器件相比，兩個並聯的 18 毫hao歐ou器qi件jian的de總zong傳chuan導dao損sun耗hao更geng低di。這zhe是shi因yin為wei與yu單dan個ge器qi件jian相xiang比bi
，這zhe兩liang個ge器qi件jian各ge流liu過guo一yi半ban的de電dian流liu，產chan生sheng的de功gong率lv也ye隻zhi有you一yi半ban，每mei個ge器qi件jian的de溫wen升sheng也ye更geng低di，而er且qie導dao通tong電dian阻zu的de增zeng幅fu也ye會hui按an比bi例li減jian少shao。此ci外wai
，隨sui著zhe結jie溫wen的de降jiang低di
，可ke靠kao性xing也ye自zi然ran會hui提ti高gao
，從cong而er為wei已yi經jing很hen高gao的de SiC 最大值提供更多的裕量。UnitedSiC 基於網絡的 FET-Jet 計算器現已推出第 2 個版本
，可用於查看任意數量的並聯 SiC FET 在各種應用和運行條件下的效果

，並提供了一些實際損耗和溫升的數據。

圖 1：競爭激烈環境下 UnitedSiC 全新 750V SiC FET 係列新增產品

第 4 代 SiC FET 仍為行業領先技術

該係列的新增產品與舊有產品一樣具有出色的品質因數，並采用了同樣先進的第4 代製造工藝
，比如：可減少基材傳導損耗的晶圓減薄技術
，以及可實現最低結-殼熱阻和相應低結溫的銀燒結晶粒貼裝技術。這些部件采用 TO-247 3 引腳封裝，且在需要采用源極開爾文連接時
，還可以使用 4 引腳封裝。圖1 總結了與SiC MOSFET 競爭產品相比
，新型 750V SiC FET 的優勢，並且不要忘了
， SiC MOSFET的 額定電壓僅為 650V。

UnitedSiC 750V SiC FET 係列提供更靈活廣泛的部件選擇，可用於許多應用。而且符合 AEC-Q101 汽車級認證要求，因此可用於牽引逆變器、車載和非車載充電器、DC/DC 轉換器以及無線充電

，以實現比 650V 額定部件更高的效率和電壓裕度。在 AC 和 DC 固態斷路器應用中，低傳導損耗對提高效率和縮小尺寸至關重要，因此超低導通電阻具有重要價值。一般來說，在工業和 IT 功率轉換產品中，第 4 代 SiC FET 還可以提高硬開關和軟開關拓撲結構的性能。

請您繼續提供反饋
，UnitedSiC 已根據您的需求優化了環路補償，以實現快速響應，提供更多的選項。

來源：Qorvo Power

作者：UnitedSiC現Qorvo

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