瞄準RF寬帶通信應用，美高森美新較大功率電壓MOSFET器件-RF/微波-電子元件技術網

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瞄準RF寬帶通信應用，美高森美新較大功率電壓MOSFET器件

發布時間：2013-09-16 責任編輯：xueqi

【導讀】美高森美新型VRF2944 和VRF3933MOSFET器件，VRF2944在50V供電電壓下可提供業界最高輸出功率，瞄準RF和寬帶通信應用。可用於工業、科學、醫療、商業、國防RF功率和寬帶通信。

美高森美公司宣布擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導體(VDMOS) MOSFET產品係列，兩款更大功率、更高電壓(V) VRF2944 和VRF3933器件經設計在2-60 megahertz (MHz)的工業、科學和醫療(ISM)頻率範圍運作，目標應用包括需要大功率和高增益而不影響可靠性、穩定性或互調失真的商業和國防RF功率和寬帶通信。

與包括SD2933競爭器件相比，業界領先VRF2944器件在50V供電電壓下提供400W或提高33%的輸出功率。美高森美公司的較大功率器件允許客戶將現有係統的功率增加33%，或減少其RF功率係統的每瓦費用。此外，通過在MOSFET器件上集成一個柵極電阻來提升寄生阻抗，以保持60MHz的最大工作頻率。VRF2944器件與美高森美的前代產品VRF2933相似，能夠在最高65V供電電壓下運作，單一VRF2944器件可以提供675W輸出功率。

VRF3933器件能夠在最高100V供電電壓下運作，並且提供300W輸出功率，較高電壓MOFET器件還具有較高的輸出阻抗，可以更便利地匹配50Ω負載。例如，四個VRF3933器件兩兩並聯，而且這兩個並聯對器件采用推挽式，能夠通過4:1變壓器，使用83V供電電壓向50Ω負載發送1.1 kW功率。

美高森美公司VRF產品係列的主要特性包括：

●高於大多數競爭器件的電壓實現較高的輸出功率：Po與V2成比例

●氮鈍化芯片具有高可靠性

●金塗敷和金線粘接獲得更高的可靠性

●通過美高森美的應用工程技術團隊獲得設計支持

供貨

美高森美公司現提供VRF2944和VRF3933器件現貨。

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