那讓我們來看看3W原則，如下圖所示：

保證線的中心距大於三倍線寬，就是我們通常所說的3W原則。其實嚴謹的來說，3W原則應該改成3H原則，這個H指的是走線與參考平麵的距離，如圖所示，當走線達到3H時
，耦合到靜態線上的邊緣場已經非常少了，大部分的電磁場被包裹在了走線與回流平麵之間。

這裏大家要記得一個值
，當走線達到3W的時候，串擾率大約在2%左右（近端串擾）。

 

可能有人不禁會問了
，難道我不同的W，隻要符合了3W原則
，他們的串擾率都差不多嗎
？

 

沒錯，他們的串擾率還真是差不多的。當然，這是在我們平時FR4材料，阻抗控製在50歐姆的情況下。

 

如果W減小，兩線的實際距離變近，串擾會變大，但是要保持50歐姆阻抗，走線必須更靠近參考平麵，這樣串擾會變小。一來一回之間串擾率變化是沒有多少變化的。W變大的情況同理。

 

記住了3W時的串擾率
，我們就隻要知道走線的中心距與串擾率的變化關係是多少就能對走線之間的串擾進行估值了。

 

中心距離變化改變的不就是兩線之間的互容與互感麼？腦子裏麵是不是duang的冒出了一個這

注意這裏的距離指的都是中心距哦。

 

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