PN節的反向偏置漏電流有很強的正溫度係數，每升高10℃,漏電流大約增大一倍。在figure1歸一化曲線中可以看出，這種指數增長使得漏電流快速增加。到125℃時，漏電流相對室溫下增長了約1000倍。

 

 

不同的二極管特性使得漏電流增加的速率不一樣
，兩倍的漏電流可能在8℃到11℃左右的範圍內發生。這種高溫下的漏電流增長在一些電路中將會是重要問題
，也可能是一個選擇在室溫下有著非常低輸入偏置電流的FET或CMOS運放很好的理由。某些情況下

，為了實現高溫度下的低IB ，會使用在高溫度下IB沒那麼誇張增長的BJT運放。

 

yibanwomenhuijiashezaidiwenshi，loudianliuyejixujiangdi，danshiqitadexielouyuanyexuhuigaibianzhezhongqushi。zhexiezasanxielukenenghuiyoubutongdewendutexing。tanlvshuo，diyushiwendeqingkuangwomenzhidaodejiaoshao
，yinweiwomengengguanzhuzaishiwenjishiwenyishangdejiaogaodexielu。womenzuihaobuyaozaiyuandiyushiwendeqingkuangxiaduiqitexingtaizixin。zaidiwenxiagengnengchengweizhongyaowentideshishuikenenghuiningjie，zhekeyishidexieluxiangshangmengzeng。

 

之前討論過CMOSyunfangdeshurupianliuzhuyaolaiziyushurujishangfenbielianjiezaidianyuanguishangdelianggeqianweierjiguandefanxiangxieludianliudechayi。jishiyigewanquanpinghengdeshijie，lianggeyouzhejihuxiangtongxielutexingdeerjiguanzhijiandeloudianliucanyuchazhirengranyouzhexiangtongdezhishuwendubianhua，zhishichushi

 

值較低。I_B 的極性是不確定的，並由於二極管特性的微小不同
，淨餘的電流可能會在某個溫度下降到零（對數坐標圖上無法顯示其絕對數值）。

 

所以，什麼結論？如果在您的FETyunfangdianluzhongjidideshurupianzhidianliuhenguanjian
，zerenzhenkaolvtasuiwendushangshengerzengjiadetexing。xuexiquanbudecanshuhedianxingxingnengtubiao。bimianmingandianlujiejinreyuan。ruguobiyaodehua，zhizuoninzijideceliang。duiyuzhenzhengguanjiandeyingyong，youteshuyongtudechaodishurupianzhidianliudefangdaqi。tamenyongfuyouchuangzaoxingdebaohudianluhedutedeyinjiaopaibu
，shixianshiwenxia3fA範圍內的IB
，低於通用器件3個數量級。例如：

 

● LMP7721——3fA輸入偏置電流CMOS運算放大器

● INA116——超低輸入偏置電流儀表放大器

 

 

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