【導讀】中國北京
，2023年9月14日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，新增集成無源器件（IPD）製造能力
，進一步增強其在射頻（RF）領域的廣泛實力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝
；參加此次活動的人員可與X-FAB技術人員（位於438C展位）就這一創新進行交流。

X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結構

XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器件設計中直接集成無源元件（電感器、電容器和電阻器）
，從而顯著節省空間及成本。借助公司在銅金屬化技術領域的豐富經驗，相關生產製造將在X-FAB位於法國科爾貝—埃索訥（Corbeil-Essonnes）的工廠進行。

5G蜂窩基礎設施的不斷推出
、6G通信的發展，以及最新一代雷達和衛星通信技術的湧現，均需要能夠支持更寬頻率的器件。基於XIPD平台，可製造出具有更高性能特征的全集成高質量無源元件
，從而滿足對更緊湊RF/EMI濾波器、匹配網絡、平衡器和耦合器的需求。

由於使用表麵貼裝或分立無源元件可能會因元件在高頻率下的偏差或元件采購複雜性的增加而帶來不便，XIPD提供了一種更為有效的途徑，可簡化整體係統設計、加快開發周期、簡化製造過程，並降低相關工程費用
，還可以適應從sub—6GHz頻段一直到毫米波高頻段的廣泛頻率範圍。

X-FAB技術的獨特之處在於可為任何批量的集成無源器件製造提供代工服務。我們推出全麵的工藝設計套件（PDK），同時支持Cadence和Keysight ADS設計環境
，使客戶能夠進行完整RF子係統的精確仿真，並獲得首次成功（first-time-right）設計。目前，與幾家主要客戶的初步原型設計現已啟動。

“雖然RF半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)不(bu)斷(duan)縮(suo)小(xiao)
，但(dan)與(yu)之(zhi)配(pei)套(tao)的(de)無(wu)源(yuan)元(yuan)件(jian)仍(reng)相(xiang)對(dui)較(jiao)大(da)。兩(liang)者(zhe)間(jian)的(de)這(zhe)種(zhong)不(bu)匹(pi)配(pei)占(zhan)用(yong)了(le)過(guo)多(duo)的(de)電(dian)路(lu)板(ban)麵(mian)積(ji)，不(bu)符(fu)合(he)對(dui)更(geng)時(shi)尚(shang)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)的(de)需(xu)求(qiu)。”X-FAB首席執行官Rudi De Winter指出，“通過采用我們的XIPDjishu
，bujinkeyijieshengduogeshuliangjidekongjian，haikeyijiangdixiangguanchengben。zheduiyuwomendekehuquneryan
，youkenengzhenzhenggaibianxingyedeyouxiguize，yunxuyouyuanhewuyuanxinpiangongtongfengzhuang，tongshishixiangaochanliang。”

X-FAB射頻技術總監Greg U'Ren補充說：“此外
，目前基於聲學技術的濾波解決方案無法實現毫米波頻率工作
，難以滿足下一代通信標準的要求。我們的XIPD解決方案使客戶能夠實現緊湊的RF係統設計，並通過完全集成的硬件最大限度地減少損耗，從而為市場創造價值。我們已經在開展70—80GHz頻段的工作項目，而使用分立式無源方案是無法想象的。”

縮略語：

ADSKeysight的先進設計係統

EMI電磁幹擾（Electromagnetic Interference）

IPD集成無源器件

RF射頻

SOI絕緣體上矽

關於X-FAB：

X-FAB是領先的模擬/混合信號和MEMS晶圓代工集團，生產用於汽車、工業、消費、醫療和其它應用的矽晶圓。X-FAB采用尺寸範圍從1.0µm至110nm的模塊化CMOS和SOI工藝，及其特色SiC與微機電係統（MEMS）長壽命工藝
，為全球客戶打造最高的質量標準
、卓越的製造工藝和創新的解決方案。X-FAB的模擬數字集成電路（混合信號IC）、傳感器MEMS在德國
、法國、馬來西亞和美國的六家生產基地生產
，並在全球擁有約4,200名員工。www.xfab.com

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