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一文讀懂SiC Combo JFET技術
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用於需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關係統。得益於碳化矽（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件並聯以高效管理大電流負載的應用場景。
2025-06-26
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離座秒鎖屏！意法半導體新推人體存在檢測技術守護PC智能設備隱私安全
意法半導體（STMicroelectronics）近日發布新一代人體存在檢測（HPD）技術，通過集成FlightSense™飛行時間（ToF）傳感器與AI算法，為筆記本電腦、PC及顯示設備帶來能效與安全性的雙重突破。該方案可降低設備日用電量超20%，同時強化隱私保護與信息安全。其核心功能包括：基於頭部姿態識別的智能屏幕亮度調節、用戶離席自動鎖屏與返座喚醒，以及多人圍觀時的隱私警報。結合Windows Hello生物識別技術，用戶無需手動操作即可完成設備交互，體驗全麵升級。
2025-06-26
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安森美SiC技術賦能AI數據中心，助力高能效電源方案
緊跟人工智能的算力步伐，全球數據中心正麵臨前所未有的能耗挑戰。麵對大模型訓練、實時推理等場景帶來的指數級能耗增長，全球領先的智能電源與感知技術供應商安森美（onsemi）正式推出《AI數據中心係統方案指南》，首次係統性展示其基於尖端碳化矽（SiC）技術的全鏈路電源解決方案，為下一代超算中心提供從電網接入到芯片供電的完整能效優化路徑。
2025-06-25
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控製回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設計中，控製回路的穩定性是確保電源可靠運行的關鍵。一個設計不當的控製回路可能導致電源振蕩、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性(xing)能(neng)。此(ci)外(wai)，控(kong)製(zhi)回(hui)路(lu)的(de)響(xiang)應(ying)速(su)度(du)直(zhi)接(jie)影(ying)響(xiang)到(dao)電(dian)源(yuan)對(dui)負(fu)載(zai)變(bian)化(hua)和(he)輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)波(bo)動(dong)的(de)適(shi)應(ying)能(neng)力(li)。為(wei)了(le)確(que)保(bao)電(dian)源(yuan)的(de)穩(wen)定(ding)性(xing)和(he)高(gao)效(xiao)性(xing)，控(kong)製(zhi)回(hui)路(lu)的(de)仿(fang)真(zhen)分(fen)析(xi)至(zhi)關(guan)重(zhong)要(yao)。
2025-06-25
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破局電動車續航！羅姆第4代SiC MOSFET驅動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導體製造商羅姆（總部位於日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用於豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）麵向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
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戰略布局再進一步：意法半導體2025股東大會關鍵決議全票通過
意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025niangudongdahuiyuhelanemusitedanyuanmanluomu，dahuiquanpiaotongguosuoyoujueyian。zuoweiquanqiuduozhongdianziyingyonglingyulingdaozhe，cicijueyijiangweigongsizhanlvebujuzhuruxindongneng。
2025-06-20
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從單管到並聯：SiC MOSFET功率擴展實戰指南
在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現並存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活並聯擴容能力突圍——當單管功率不足時，隻需並聯一顆MOSFET即可實現功率躍升，為工業電源、新能源係統提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
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破解工業電池充電器難題：升壓or圖騰柱？SiC PFC拓撲選擇策略
工業設備電動化浪潮下，電池充電器麵臨嚴苛挑戰：需兼容120-480V寬壓輸入，在震動/粉塵/溫變等惡劣條件下實現高效供電，同時滿足尺寸重量極限壓縮與無風扇散熱需求。本文聚焦PFC級核心設計，對比升壓與圖騰柱拓撲的實戰優劣，解析SiC MOSFET如何重構工業充電器性能邊界。
2025-06-19
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高結溫IC設計避坑指南：5大核心挑戰與應對策略
在商業、工業及汽車電子領域，高溫環境對集成電路的性能、可靠性和安全性構成嚴峻挑戰。隨著應用場景向極端溫度條件延伸，高結溫引發的漏電增加、壽(shou)命(ming)衰(shuai)減(jian)等(deng)問(wen)題(ti)日(ri)益(yi)凸(tu)顯(xian)，亟(ji)需(xu)通(tong)過(guo)創(chuang)新(xin)設(she)計(ji)技(ji)術(shu)突(tu)破(po)技(ji)術(shu)瓶(ping)頸(jing)。本(ben)文(wen)將(jiang)解(jie)析(xi)高(gao)溫(wen)對(dui)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)的(de)深(shen)層(ceng)影(ying)響(xiang)，揭(jie)示(shi)高(gao)結(jie)溫(wen)帶(dai)來(lai)的(de)五(wu)大(da)核(he)心(xin)挑(tiao)戰(zhan)，並(bing)探(tan)討(tao)針(zhen)對(dui)性(xing)的(de)高(gao)功(gong)率(lv)設(she)計(ji)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)。
2025-06-18
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高功率鍍膜新突破！瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運行
近日，瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研發的 HiPSTER 25 緊湊型高性能高功率脈衝磁控濺射（HiPIMS）脈衝電源成功完成首次運行。Ionautics 成立於 2010 年，長期深耕於電離物理氣相沉積領域， HiPSTER 25提供高達 25kW 功率，不僅重新定義了行業高效運行模式，還極大提升了性能與能量效率。
2025-06-13
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安森美SiC Cascode技術：共源共柵結構深度解析
碳化矽結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢，特別是在給定芯片麵積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處於懸空狀態，那麼JFET將完全導通。
2025-06-12
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低排放革命！貿澤EIT係列聚焦可持續技術突破
全球電子元器件及工業自動化產品授權代理商——貿澤電子(Mouser Electronics)，近日發布了其Empowering Innovation Together (EIT) 技術係列的新一期內容《低排放、再利用、重塑未來的技術》。本期EIT係列專注於探索那些能夠改善環境的清潔技術，並提供麵向未來的創新工程解決方案，旨在通過技術革新推動可持續發展的進程。
2025-06-11
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
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