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驅動電路設計（七）——自舉電源在5kW交錯調製圖騰柱PFC應用
隨著功率半導體IGBT，SiC MOSFET技術的發展和係統設計的優化，電平位移驅動電路應用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛淩1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A，可驅動中功率IGBT，包括Easy係列模塊。目標10kW+應用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器、泵和風機。本文就來介紹一個設計案例，采用電平位移驅動器碳化矽SiC MOSFET 5kW交錯調製圖騰柱PFC評估板。
2025-05-07
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能效升級新引擎！拆解IGBT的三大技術優勢
在消費電子市場高速發展的當下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現代家電設備中不可或缺的核心器件。憑借其優異的開關特性、低導通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術正持續推動家電產品能效升級。安世半導體推出的650 V G3 IGBT平台產品，通過性能優化與可靠性提升，為家電設備的高效化、節能化發展提供了關鍵解決方案。
2025-05-07
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第18講：SiC MOSFET的動態特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低於Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，並仔細設計控製電路布線，這是為了防止噪聲幹擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
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第15講：高壓SiC模塊封裝技術
SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內部的封裝技術。
2025-02-14
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功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱係數Ψth(j－top)獲取結溫信息
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiCgaogonglvmidudejichu，zhiyouzhangwogonglvbandaotidereshejijichuzhishi，cainengwanchengjingqueresheji，tigaogonglvqijiandeliyonglv，jiangdixitongchengben，bingbaozhengxitongdekekaoxing。
2025-01-24
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IGBT並聯設計指南，拿下！
大功率係統需要並聯 IGBTlaichuligaodashushiqianwashenzhishubaiqianwadefuzai，binglianqijiankeyishifenlifengzhuangqijian，yekeyishizuzhuangzaimokuaizhongdeluoxinpian。zheyangzuokeyihuodegenggaodeedingdianliu、改善散熱，有時也是為了係統冗餘。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響並聯器件的靜態和動態電流分配。
2025-01-24
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第14講：工業用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
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IGBT的並聯知識點梳理：靜態變化、動態變化、熱係數
大功率係統需要並聯 IGBTlaichuligaodashushiqianwashenzhishubaiqianwadefuzai，binglianqijiankeyishifenlifengzhuangqijian，yekeyishizuzhuangzaimokuaizhongdeluoxinpian。zheyangzuokeyihuodegenggaodeedingdianliu、改(gai)善(shan)散(san)熱(re)，有(you)時(shi)也(ye)是(shi)為(wei)了(le)係(xi)統(tong)冗(rong)餘(yu)。部(bu)件(jian)之(zhi)間(jian)的(de)工(gong)藝(yi)變(bian)化(hua)以(yi)及(ji)布(bu)局(ju)變(bian)化(hua)，會(hui)影(ying)響(xiang)並(bing)聯(lian)器(qi)件(jian)的(de)靜(jing)態(tai)和(he)動(dong)態(tai)電(dian)流(liu)分(fen)配(pei)。係(xi)統(tong)設(she)計(ji)工(gong)程(cheng)師(shi)需(xu)要(yao)了(le)解(jie)這(zhe)些(xie)，才(cai)能(neng)設(she)計(ji)出(chu)可(ke)靠(kao)的(de)係(xi)統(tong)。
2025-01-16
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功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiCgaogonglvmidudejichu，zhiyouzhangwogonglvbandaotidereshejijichuzhishi，cainengwanchengjingqueresheji，tigaogonglvqijiandeliyonglv，jiangdixitongchengben，bingbaozhengxitongdekekaoxing。
2025-01-14
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IGBT 模塊在頗具挑戰性的逆變器應用中提供更高能效
製造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對於保護環境、限製汙染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業紛紛入場，試圖將商用和農業車輛 (CAV) 改造成由電力驅動。
2025-01-08
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柵極驅動器選得好，SiC MOSFET高效又安全
矽基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產品的需求，以及設計人員麵臨的提高電源能效的壓力，使得碳化矽（SiC）MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
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功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態熱阻計算二極管浪湧電流
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiCgaogonglvmidudejichu，zhiyouzhangwogonglvbandaotidereshejijichuzhishi，cainengwanchengjingqueresheji，tigaogonglvqijiandeliyonglv，jiangdixitongchengben，bingbaozhengxitongdekekaoxing。
2024-12-25
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