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PCIe結構和RAID如何在GPUDirect存儲中釋放全部潛能

隨著更快的圖形處理單元（GPU）能夠提供明顯更高的計算能力，存儲設備和GPU存儲器之間的數據路徑瓶頸已經無法實現最佳應用性能。NVIDIA的Magnum IO GPUDirect存儲解決方案通過在存儲設備和GPU存儲器之間實現直接路徑，可以極大地幫助解決該問題。

2023-01-06
2022中國（深圳）集成電路峰會圓滿落下帷幕

“2022中國（深圳）集成電路峰會”(簡稱ICS2022峰會)於12月29日和30日成功舉辦高峰論壇和全球存儲器行業創新論壇二個主論壇，以及六場專題論壇，包括集成電路設計創新論壇、芯火平台產教融合創新發展論壇、半導體供應鏈發展論壇、集成電路產業融合論壇、珞珈聚芯協同創新論壇和國微 EDA 生態建設論壇。專業觀眾與行業專家和行業領導可廣泛討論了技術、產品、市場、投資、產學研商合作、國際環境對策、人才戰略和務實的技術創新路線。

2023-01-01
為什麼FeFET變得如此有趣？

隨著芯片製造商尋找新的選擇來維持驅動電流，鐵電體正在接受認真的重新考慮。鐵電材料可以提供非易失性存儲器，填補 DRAM 和閃存之間的重要功能空白。事實上，用於存儲器的鐵電體和用於晶體管的 2D 溝道是最近 IEEE 電子設備會議的兩個亮點。

2022-12-30
集成電路峰會首日內容精彩：成熟技術創新，供應鏈安全，補人才短板，半脫鉤下策略發展

今天，深圳坪山格蘭雲天大酒店分外熱鬧，來賓歡聚一堂，觀眾與嘉賓互動，成功舉辦高峰論壇和全球存儲器行業創新論壇。它們是“2022 中國（深圳）集成電路峰會”的二個主論壇，圍繞“創新強鏈，雙驅發展”主zhu題ti，產chan學xue研yan政zheng商shang企qi業ye代dai表biao齊qi聚ju一yi堂tang，行xing業ye頭tou部bu企qi業ye家jia，芯xin片pian供gong需xu方fang特te色se代dai表biao，多duo位wei院yuan士shi，教jiao授shou，行xing業ye分fen析xi師shi，政zheng府fu官guan員yuan和he行xing業ye協xie會hui負fu責ze人ren發fa表biao主zhu旨zhi講jiang演yan。今jin天tian的de互hu動dong內nei容rong，論lun今jin天tian，論lun明ming天tian，總zong結jie過guo去qu，給gei與yu會hui代dai表biao四si個ge行xing動dong指zhi導dao思si想xiang。“把脈行業務實產品創新，分析國際環境半脫鉤有對策，掌握市場數據促進供應鏈安全發展，展望未來人才短缺是共識”。

2022-12-29
提高電源轉換器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架構顯示出多項優勢）

近年來隨著高性能計算需求的持續增長，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）總線接口被應用到越來越多的芯片產品中，然而HBM的layout實現完全不同於傳統的Package/PCB設計，其基於2.5D interposer的設計中，由於interposer各層厚度非常薄且信號線細，使得直流損耗、容性負載、容性/感性耦合等問題嚴重，給串擾和插損指標帶來了非常大的挑戰。

2022-12-08
如何加速HBM仿真迭代優化？

近年來隨著高性能計算需求的持續增長，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）總線接口被應用到越來越多的芯片產品中，然而HBM的layout實現完全不同於傳統的Package/PCB設計，其基於2.5D interposer的設計中，由於interposer各層厚度非常薄且信號線細，使得直流損耗、容性負載、容性/感性耦合等問題嚴重，給串擾和插損指標帶來了非常大的挑戰。

2022-12-07
15種不同輸出電流配置，工業應用的電源轉換器設計都給你想全了

當今的工業電子係統包含了許多與消費電子產品相同的組件，如微控製器、FPGA、片上係統 ASIC 及其他電子器件，因而在眾多不同的負載電流條件下需要多個低電壓軌。另外，工業應用還需要一個按鈕接口、一個始終保持接通的電源以用於實時時鍾 (RTC) 或存儲器、以及從一個高電壓電源獲得輸入功率的能力。其他所需的特性可能包括一個看門狗定時器 (WDT)、一個總停或複位按鈕、軟件可調的電壓電平、以及低輸入/輸出電壓和高芯片溫度的錯誤報告功能。

2022-11-21
【未來可測】係列之二：憶阻器單元基礎研究和性能研究測試方案

憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構gou成cheng四si種zhong基ji本ben無wu源yuan電dian路lu器qi件jian，它ta是shi連lian接jie磁ci通tong量liang與yu電dian荷he之zhi間jian關guan係xi的de紐niu帶dai，其qi同tong時shi具ju備bei電dian阻zu和he存cun儲chu的de性xing能neng，是shi一yi種zhong新xin一yi代dai高gao速su存cun儲chu單dan元yuan，通tong常chang稱cheng為wei阻zu變bian存儲器（RRAM）。

2022-09-29
Xilinx FPGA DDR3設計（一）DDR3基礎掃盲

DDR3 SDRAM 全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動態隨機存儲器。雙倍速率（double-data-rate），是指時鍾的上升沿和下降沿都發生數據傳輸；同步，是指DDR3數據的讀取寫入是按時鍾同步的；動態，是指DDR3中的數據掉電無法保存，且需要周期性的刷新，才能保持數據；隨機，是指可以隨機操作任一地址的數據。

2022-05-12
KIOXIA鎧俠慶祝NAND閃存發明35周年

2022年4月25日，中國上海 — 20世紀90年代的MP3播放器與如今的智能手機有什麼共同之處？如果沒有NAND閃存這一影響力貫穿幾十年的創新技術，這兩者都將不會存在。全球存儲器解決方案領導者KIOXIA鎧俠近日宣布，其已達成一座新的裏程碑——2022年是公司發明NAND閃存的35周年。

2022-05-01
SRII推出兩款ALD新品，滿足泛半導體應用多功能性和靈活性的需求

原子層沉積（ALD）工藝被認為是邏輯和存儲半導體器件微縮化的重要推動力。過去20年，ALD工藝及設備已經廣泛應用於邏輯和存儲器件的大批量製造，不斷推動諸如動態隨機存取存儲器（DRAM）、先進的鰭式場效應晶體管（FinFET）以及柵極環繞晶體管等器件性能的改進與創新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸滲透到更多應用領域，如超摩爾(More-than-Moore，MtM)器件的生產中，正在推動新的架構、材料和性能的改進。

2022-01-26
主控芯片CPU/FPGA存儲及單粒子翻轉科普

每一次神舟載人飛船和SpaceX衛(wei)星(xing)的(de)發(fa)射(she)升(sheng)空(kong)，都(dou)能(neng)吸(xi)引(yin)眾(zhong)多(duo)人(ren)關(guan)注(zhu)。對(dui)於(yu)這(zhe)些(xie)神(shen)秘(mi)的(de)航(hang)天(tian)飛(fei)信(xin)器(qi)，你(ni)知(zhi)道(dao)它(ta)們(men)的(de)信(xin)息(xi)都(dou)是(shi)怎(zen)麼(me)處(chu)理(li)的(de)嗎(ma)？航(hang)天(tian)飛(fei)行(xing)器(qi)信(xin)息(xi)的(de)處(chu)理(li)依(yi)靠(kao)CPU/FPGA，而指令的執行則憑借存儲器。目前市場上大多數售賣主芯片的廠商都是靠存儲器起家的。

2022-01-25

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