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慧榮科技榮獲中國財經峰會“2017年度最具影響力企業大獎”

2017年11月30日，中國北京——在設計和推廣固態存儲設備專用NAND閃存控製器方麵處於全球領導地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達克交易代碼: SIMO）日前榮獲2017年中國財經峰會·冬季論壇組委會頒發的“2017年度最具影響力企業大獎”，以表彰其多年來在閃存控製芯片領域所做出的傑出貢獻。頒獎典禮於今日在北京舉行，慧榮科技市場營銷暨OEM事業資深副總段喜亭先生出席典禮。

2017-12-01
DRAM與NAND差別這麼大，存儲之爭在爭什麼？

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的係統內存。DRAM 隻能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。

2017-03-22
大象關冰箱？NAND FLASH控製器磨損管理算法芯片化硬實現

目前，存儲領域包括eMMC，SATA SSD ,PCIe SSD等控製器是一個非常熱門的領域。通常，由於NAND FLASH易yi於yu損sun壞huai的de特te性xing，因yin此ci需xu要yao控kong製zhi器qi做zuo額e外wai的de工gong作zuo，才cai能neng滿man足zu商shang用yong可ke靠kao存cun儲chu的de需xu要yao。本ben文wen目mu的de提ti出chu一yi種zhong可ke以yi硬ying實shi現xian的de均jun衡heng磨mo損sun，壞huai塊kuai管guan理li，以yi及ji邏luo輯ji地di址zhi映ying射she的de算suan法fa，（可芯片化）。用於替代處理器的軟件（FTL）實現，從總體上較CPU固件實現有較好的功耗比和高速性能的目標。

2016-02-25
揭秘手機內存真相：實際少於16G為何要標稱有16G內存？

目前市麵上的大容量存儲介質分別是NAND FLASH和eMMCzheliangzhong，zhejiushigeleiyidongzhongduanjishoujidezhuyaocunchujiezhi。zheliangzheyouhequbie，cunchuxinpiandeshijidaxiaoyubiaochengzhiyouyoushenmeguanxine？weishenmeshijirongliangwangwanghuibibiaoshideshaone？

2016-01-19
用圖來說話，解答Android設備處理器最大懸念：內核越多性能越強？

日前，來自Anandtech的多位極客進行了一場關於移動芯片核心性能的大規模測試，為Android智能手機是否核心越多性能就越強這一充滿爭議的話題蓋棺定論。

2015-09-07
閃存是什麼？

閃存是什麼？今天我們就一起來學習閃存的知識。本文主要講解的內容有閃存簡介和閃存的概念和閃存的技術及特點以及決定NAND型閃存的因素有哪些和閃卡的優點這些內容。接下來就為大家講解相關的知識。

2013-06-29
集成電路的發展

根據小編所了解早在1830nian，kexuejiayiyushiyanshizhankaiduibandaotideyanjiu。tamenzuichudeyanjiuduixiangshiyixiezaijiarehoudianzuzhihuizengjiadeyuansuhehuahewu。zhexiewuzhiyouyigongtongdian，dangtamenbeiguangxianzhaosheshi，huirongxudianliudanxiangtongguo，womenkejicikongzhidianliudefangxiang，chengweiguangdiandaoxiaoying。zaiwuxiandianjieshouqizhong，fuzezhencexunxidezhengliuqi，jiushiyizhongbandaotidianziyiqidelizi。deguodeFerdinand Braunliyonglebandaotifangqiankuang，yizhongliuhuaqianhuahewudezhengliutexing，chuangzhishishangdiyitaizhengliuzhenceqi，houshisuchengweimaohuzidezhenceqi。jiyubandaotidezhengliutexing，womennengzaizhengliuzhenceqineidejinshujiechumianhebandaotijianjianliqiyidianshicha，lingdianzizaimouyifangxiangliudongshiwei“順流而下”，反之則“逆流而上”。至此，半導體電子儀器起始麵世。

2012-12-02
NOR和NAND比較有何不同

NOR和NAND比較有何不同

2012-11-19
三大因素促USB 3.0需求明年將明顯增長

TrendForce預期NAND Flash合約價的上漲動將持續至11月份，10月下旬合約價格仍上漲了7-12%,但11月過後的價格走勢麵臨較大的下滑壓力。同時受三大因為影響USB 3.0市場將自明年開始加溫。

2012-11-01
NAND閃存單元結構

NAND閃存單元結構

2012-10-31
美光在NAND閃存市場的份額首次超過20%

在NAND閃(shan)存(cun)市(shi)場(chang)，三(san)星(xing)是(shi)絕(jue)對(dui)的(de)老(lao)大(da)，所(suo)占(zhan)市(shi)場(chang)份(fen)額(e)趨(qu)近(jin)一(yi)半(ban)。由(you)於(yu)營(ying)業(ye)收(shou)入(ru)增(zeng)長(chang)，使(shi)得(de)排(pai)名(ming)第(di)三(san)的(de)美(mei)光(guang)縮(suo)小(xiao)與(yu)第(di)二(er)名(ming)東(dong)芝(zhi)之(zhi)間(jian)的(de)差(cha)距(ju)，份(fen)額(e)首(shou)次(ci)突(tu)破(po)20%大關。在第三季，東芝有可能陷入反複下降的狀態，而美光第二季度取得的勝利仍有待檢驗。

2012-09-21
蘋果A6與A7處理器代工將花落誰家？

蘋(ping)果(guo)三(san)星(xing)專(zhuan)利(li)大(da)戰(zhan)已(yi)經(jing)結(jie)束(shu)，但(dan)硝(xiao)煙(yan)卻(que)遲(chi)遲(chi)沒(mei)有(you)散(san)去(qu)，除(chu)了(le)三(san)星(xing)需(xu)賠(pei)付(fu)高(gao)額(e)美(mei)金(jin)外(wai)，蘋(ping)果(guo)已(yi)經(jing)確(que)定(ding)降(jiang)低(di)各(ge)領(ling)域(yu)采(cai)購(gou)三(san)星(xing)零(ling)組(zu)件(jian)比(bi)例(li)。在(zai)麵(mian)板(ban)、NAND Flash、行動式記憶體等領域，三星在蘋果供應鏈比重已呈下降趨勢，A6與A7可能是蘋果在行動運算裝置最後一個去三星化的關鍵零組件，它將花落誰家呢？

2012-09-10

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