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表麵貼裝功率MOSFET封裝的演進
矽技術的創新已經與滿足市場需求的表麵貼裝封裝的創新形影不離，為了實現更小的占板麵積、更好的散熱性能、更高的效率，表麵貼裝封裝工藝在不斷進步。Vishay Si l iconixPolarPAK具有在MOSFET封裝上下表麵進行冷卻的封裝能力。尺寸類似於標準SO-8封裝，卻有兩個熱路徑，如果采用來自風扇的氣流或附加的散熱器，PolarPAK功率MOSFET就可以處理高得多的電流。
2009-01-05
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Si7633DP/135DP：Vishay最新低導通電阻MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20V 柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。
2008-12-24
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VLMW84：Vishay超薄SMD LED係列
日前，Vishay推出業界首個采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基於藍寶石 InGaN/TAG 技術的高強度白光功率 SMD LED 係列 --- VLMW84…。該係列器件可降低高容量應用的成本，它們具有 25K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率。
2008-12-22
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Vishay提供計算IHLP電感開關損失的在線工具
Vishay目前在其網站上提供了計算 IHLP® 電感器開關損失的基於 Web 的(de)免(mian)費(fei)工(gong)具(ju)。這(zhe)種(zhong)易(yi)於(yu)使(shi)用(yong)的(de)開(kai)關(guan)損(sun)失(shi)計(ji)算(suan)器(qi)可(ke)針(zhen)對(dui)各(ge)個(ge)單(dan)獨(du)應(ying)用(yong)進(jin)行(xing)定(ding)製(zhi)，從(cong)而(er)使(shi)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)能(neng)夠(gou)選(xuan)擇(ze)正(zheng)確(que)的(de)部(bu)件(jian)以(yi)優(you)化(hua)板(ban)設(she)計(ji)，同(tong)時(shi)加(jia)速(su)產(chan)品(pin)上(shang)市(shi)時(shi)間(jian)。該(gai)開(kai)關(guan)損(sun)失(shi)計(ji)算(suan)器(qi)可(ke)用(yong)於(yu)降(jiang)壓(ya)、升壓及降壓/升壓直流到直流轉換器拓撲結構。
2008-12-18
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IHLP-2020CZ-11：Vishay最新薄型、高電流電感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出采用 2020 封裝尺寸的新型IHLP薄型、高電流電感器 --- IHLP-2020CZ-11。這款小型 IHLP-2020CZ-11 器件具有 3.0mm 的超薄厚度、寬泛的電感範圍及低 DCR。
2008-12-18
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VBUS052CD-FAH/4CD-FHI：Vishay新型ESD保護陣列
日前，Vishay推出兩款具有低電容及漏電流的最新小型ESD 保護陣列--- 2 線路的 VBUS052CD-FAH 和 4 線路的 VBUS054CD-FHI，這些器件可保護高速數據線，以防止瞬態電壓信號。
2008-12-16
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SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
日前，Vishay宣布推出業界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅動時規定的額定導通電阻的 MOSFET 進行了完美結合。
2008-12-15
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SiP4613A/B ：Vishay新型高端負載開關器件
日前，Vishay推出一款新型有保護的高端負載開關-- SiP4613A/B。隨著該型器件的麵世，Vishay進一步擴充了其電流限製保護負載開關係列。該器件可在 2.4V～5.5V 的電源電壓範圍內運行，並可處理 1A 的持續輸出電流。
2008-12-11
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EKX係列：Vishay最新高性能鋁電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新係列徑向鋁電容器--- EKX係列器件，這些器件可實現 +105°C 的高溫運行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
2008-12-08
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Vishay推出采用TurboFET技術第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 係列。這些器件首次采用 TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
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VSMF4720：Vishay新型SMD PLCC2封裝高功率紅外發射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出采用 PLCC2 封裝的新型 870nm SMD 紅外發射器，拓寬其光電子產品係列。該器件具有業界最低的正向電壓及最高的輻射強度。
2008-11-25
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VBUS053AZ-HAF：Vishay新型USB-OTG總線端口保護陣列
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新型超薄 ESD 保護陣列，該器件具有低電容和漏電流，可保護 USB-OTG 端口免受瞬態電壓信號損壞。新器件在工作電壓為 5.5V 時提供三線 USB ESD 保護，在工作電壓為 12V 時提供單線 VBUS 保護。
2008-11-20
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
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