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IGBT技術——半導體技術與封裝的完美匹配

本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導體技術之間的區別，並展示了在某些情況下新IGBT4技術所帶來的性能提升。

2008-10-23
IGBT集成驅動模塊的研究

本文主要研究IGBT集成驅動模塊，首先闡述了IGBT驅動保護電路的原則，接著著重分析了EXB841、M57962AL、GH一039、HL402四類模塊的結構和典型應用，最後結合IR、UC37係列驅動器進行比較得出結論。

2008-10-17
IGBT 在不間斷電源中的應用

在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控矽和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易於驅動，控製簡單、開關頻率高的優點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態電流大的優點、使用IGBT 成為UPS 功率設計的首選，隻有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計，才能發揮IGBT 的優點。本文介紹UPS 中的IGBT 的應用情況和使用中的注意事項。

2008-10-16
IGCT門極驅動電路的原理分析

在目前的中電壓大功率應用領域，占主導地位的功率半導體器件有晶閘管、GTO和IGBT等，這些傳統的功率器件在實用方麵都存在一些缺陷。ABB半導體公司率先提出了一種新型功率半導體器件—IGCT。它的關鍵思想是將改進結構的GTO與反並聯二極管和門極驅動電路集成在一起，再與其門極驅動器在外圍以低電感方式連接。在性能上明顯優於目前廣泛使用的GTO和IGBT器件。著重對IGCT門極驅動電路的結構和原理進行了介紹和分析。

2008-10-14
IGBT驅動電路M57962L的剖析

IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀末出現的一種複合全控型電壓驅動式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優點集於一身：輸入阻抗高，開關頻率高，工作電流大等，在變頻器、開關電源，弧焊電源等領域得到廣泛地應用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由於采用- 10V關斷電壓，能更可靠關斷，同時具有封閉性軟關斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。

2008-10-11
SPWM全橋逆變器輸出變壓器直流偏磁的抑製

分析了SPWMkaiguanxingbianhuanqizhongshuchubianyaqichanshengzhiliupiancidejili。tichuleyizhongjiyudianyadianliufankuikongzhijishuyizhizhengxianbonibianqipiancidefangfa，bingtigonglejiaoweishiyongdetuopudianlu，tongshifenxiletadegongzuojili。gaidianludeyouxiaoxingzaijiezhizudangqiangdianlifangdianyongIGBT全橋逆變電源中得到了驗證。

2008-10-07
用於有源電力濾波器的IGBT驅動及保護研究

絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種複合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控製、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用於有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅動器的設計進行討論，並提出一種具有完善保護功能的驅動電路。

2008-10-02
用於功率變換器的IGBT驅動核心電路

用於IGBTgonglvmokuaishangdequdongdianlubixunenggouwanchengmenjiqudonghemokuaibaohugongneng。tamenhaibixunengweikongzhibufenhegonglvbandaotizhijiantigongdianqigeli，bingmanzuduozhongbutongxinghaoIGBT的(de)驅(qu)動(dong)要(yao)求(qiu)。為(wei)了(le)滿(man)足(zu)上(shang)述(shu)要(yao)求(qiu)，必(bi)須(xu)對(dui)現(xian)有(you)的(de)門(men)極(ji)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)進(jin)行(xing)優(you)化(hua)。具(ju)體(ti)地(di)說(shuo)，就(jiu)是(shi)必(bi)須(xu)在(zai)諸(zhu)多(duo)因(yin)素(su)如(ru)功(gong)能(neng)，靈(ling)活(huo)性(xing)以(yi)及(ji)性(xing)價(jia)比(bi)之(zhi)間(jian)尋(xun)求(qiu)最(zui)優(you)平(ping)衡(heng)，所(suo)幸(xing)的(de)是(shi)，在(zai)新(xin)的(de)門(men)極(ji)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)SKYPER中我們做到了這一點。

2008-10-01
等離子體荷電噴霧逆變電源的研究

本文依據等離子體荷電噴霧的特點，以IGBT為核心器件，設計了脈寬調製型（PWM）15kHz高壓逆變電源，介紹了逆變電源主回路、PWM控製電路及過流保護回路。試驗結果表明：在噴霧中使用等離子體技術，不僅噴霧的特性達到了改善，而且還增加了霧滴的荷電數量。

2008-09-30
中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點

在中國中，電源|穩壓器管理IC仍舊占據市場首要位置，MOSFET位於第二位，大功率晶體管位於第三位，此三大產品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業控製、消費電子領域中應用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產品。

2008-09-24
ACPL-33xJ係列：安華高智能型門極驅動光電耦合器產品

Avago推出最新的智能型門極驅動光電耦合器產品，ACPL-333J和ACPL-330J係列高速IGBT光電耦合器。它們非常容易集成到工業變頻器和電源管理等應用，例如隔離式IGBT/MOSFET門極驅動、交流和無刷直流電機驅動、工業變頻器以及不間斷電源等。

2008-08-26
STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT係列

意法半導體推出一係列新的IGBT，新係列產品采用高效的壽命控製工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用於工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。

2008-05-13

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