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有效測量碳化矽信號

碳化矽（SiC）技術已超越傳統的矽（Si）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）應用，因為它具有大功率係統的主要熱和電氣優勢。這些優勢包括更高的開關頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基於矽的組件和模塊，作為係統升級和係統設計的新選擇。

2023-08-22
IGBTs給高功率帶來了更多的選擇

絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）麵市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發布了其首款IGBT產品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應用的主要器件，包括供暖通風與空氣調節（HVAC）係統以及電焊和感應加熱等高電流應用。隨著太陽能麵板、電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)充(chong)電(dian)器(qi)和(he)工(gong)業(ye)伺(si)服(fu)電(dian)機(ji)的(de)日(ri)益(yi)普(pu)及(ji)，市(shi)場(chang)對(dui)高(gao)壓(ya)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)的(de)需(xu)求(qiu)也(ye)在(zai)不(bu)斷(duan)攀(pan)升(sheng)。為(wei)了(le)滿(man)足(zu)各(ge)個(ge)行(xing)業(ye)的(de)需(xu)求(qiu)，並(bing)進(jin)一(yi)步(bu)完(wan)善(shan)持(chi)續(xu)擴(kuo)大(da)的(de)高(gao)壓(ya)技(ji)術(shu)產(chan)品(pin)組(zu)合(he)（GaN和SiC），Nexperia （安世半導體）正在推出多個 IGBT係列，首先便是600 V 器件。

2023-08-22
BLDC 電機控製設計

在無刷電機中，電流反轉是通過微控製器控製的一組功率晶體管（通常是 IGBT）以電子方式獲得的。驅動它們的主要問題是了解電機的準確位置；zhiyouzheyangkongzhiqicainengquedingqudongnayixiang。zhuanzideweizhitongchangshiyonghuoerxiaoyingchuanganqihuoguangxuechuanganqihuode。zaixiaolvfangmian，youyumocajianshao，wushuadianjibitongdengjiaoliudianjichanshengdereliangshaodeduo。

2023-08-17
如何優化SiC MOSFET的柵極驅動？這款IC方案推薦給您

在高壓開關電源應用中，相較傳統的矽MOSFET和IGBT，碳化矽（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用矽MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用於非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使其僅限於低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET的(de)獨(du)特(te)器(qi)件(jian)特(te)性(xing)意(yi)味(wei)著(zhe)它(ta)們(men)對(dui)柵(zha)極(ji)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)有(you)特(te)殊(shu)的(de)要(yao)求(qiu)。了(le)解(jie)這(zhe)些(xie)特(te)性(xing)後(hou)，設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)就(jiu)可(ke)以(yi)選(xuan)擇(ze)能(neng)夠(gou)提(ti)高(gao)器(qi)件(jian)可(ke)靠(kao)性(xing)和(he)整(zheng)體(ti)開(kai)關(guan)性(xing)能(neng)的(de)柵(zha)極(ji)驅(qu)動(dong)器(qi)。在(zai)這(zhe)篇(pian)文(wen)章(zhang)中(zhong)，我(wo)們(men)討(tao)論(lun)了(le)SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅動電路的要求，然後介紹了一種能夠解決這些問題和其它係統級考慮因素的IC方案。

2023-08-15
電機控製設計基礎知識

軟件和硬件都是所有電機控製係統的一部分，例如 IGBT、WBG 半導體和 MCU。工業4.0的de發fa展zhan強qiang烈lie依yi賴lai於yu電dian機ji控kong製zhi，但dan能neng源yuan消xiao耗hao是shi一yi個ge關guan鍵jian問wen題ti，因yin為wei它ta正zheng在zai快kuai速su增zeng長chang，並bing且qie需xu求qiu隨sui著zhe設she計ji的de複fu雜za性xing而er增zeng長chang，因yin為wei許xu多duo電dian子zi技ji術shu都dou有you嚴yan格ge的de控kong製zhi要yao求qiu。寬kuan帶dai隙xi (WBG) 材料就是這種情況的一個例子。

2023-08-15
IGBT單管數據手冊參數解析——下

IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基於英飛淩單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。

2023-08-14
IGBT如何選擇，你真的了解嗎？

最近，碳化矽 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等寬禁帶半導體的應用日益增多，受到廣泛關注。然而，在這些新技術出現之前，許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實上，許多此類應用仍然適合繼續使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結構和運行，並列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結構，然後探討這種多用途可靠技術的新興拓撲結構。

2023-08-04
使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅動優化電源係統

在電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 係統等綠色能源應用所需的 DC-DC 轉換器、電池充電器、電機驅動器和交流 (AC) 逆變器中，碳化矽 (SiC) MOSFET 和矽 (Si) IGBT 是關鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導通和關斷時需要精確的驅動電壓（具體取決於所使用的器件）。

2023-08-03
基於模型設計提高車規級芯片功能安全設計效率

在汽車電氣化、智能化、網(wang)聯(lian)化(hua)快(kuai)速(su)發(fa)展(zhan)的(de)今(jin)天(tian)，汽(qi)車(che)所(suo)用(yong)的(de)芯(xin)片(pian)數(shu)量(liang)與(yu)種(zhong)類(lei)也(ye)日(ri)益(yi)增(zeng)多(duo)。電(dian)氣(qi)化(hua)引(yin)領(ling)了(le)汽(qi)車(che)電(dian)子(zi)電(dian)氣(qi)架(jia)構(gou)的(de)革(ge)新(xin)，催(cui)生(sheng)出(chu)域(yu)控(kong)製(zhi)器(qi)等(deng)集(ji)中(zhong)式(shi)大(da)算(suan)力(li)芯(xin)片(pian)和(he) IGBT 等功率芯片。智能化則引入了多種類的傳感器和 AI 應用，帶動了雷達、激光雷達、攝像頭、智能座艙、5G 車聯網等模組、處理器、存儲芯片、以及 AI 計算芯片的發展。

2023-07-28
用於SiC MOSFET的隔離柵極驅動器使用指南

SiC MOSFET zaigonglvbandaotishichangzhongzhengxunsupuji，yinweitazuichudeyixiekekaoxingwentiyidedaojiejue，bingqiejiaweiyidadaofeichangyouxiyinlideshuiping。suizheshichangshangdeqijianyuelaiyueduo，bixulejie SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本係列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態係統的一部分，還將提供 NCP51705（用於 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP51705 SiC 柵極驅動器的使用指南。

2023-07-26
深度剖析IGBT柵極驅動注意事項

IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 複雜得多。它結合了這兩種器件的特點，並且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發射極。就柵極驅動而言，該器件的行為類似於 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。

2023-07-20
具有更高效率與優勢的碳化矽技術

碳化矽（SiC）技術具有比傳統的矽（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等(deng)技(ji)術(shu)具(ju)有(you)更(geng)多(duo)優(you)勢(shi)，包(bao)括(kuo)更(geng)高(gao)的(de)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)，更(geng)低(di)的(de)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(du)，更(geng)高(gao)的(de)電(dian)流(liu)和(he)電(dian)壓(ya)容(rong)量(liang)，以(yi)及(ji)更(geng)低(di)的(de)損(sun)耗(hao)，進(jin)而(er)可(ke)以(yi)實(shi)現(xian)更(geng)高(gao)的(de)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發展趨勢與在儲能係統（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。

2023-07-19

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