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利用軟齊納鉗位電路實現節能
因其低成本、隔離性以及可以實施更多輸出電壓的方便性，反向轉換器廣受歡迎。就多輸出反向而言，可利用控製電路反饋來嚴格穩壓一個輸出電壓（一般為最高功率輸出）。我們一般通過將變壓器繞組與主穩壓繞組緊密耦合，來添加額外的輸出。我們可能會添加一些線性穩壓器或 DC/DC 開關，huozhebuduishuchujinxingwenya。zuihouyizhongxuanxiangzuiweiyouxiao，danhenduoshihouzaishuchuzhonghuoqingfuzaierzhushuchudianyadefuzaiquexiangfanshi，dianyawenyachengshoujudadefudan。zhezhongjiaochawenyawentizhuyaoqujueyubianyaqiloudianheraozujiegou，yequjueyuqitajishengdianluzujian。
2020-08-12
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如何看保險絲電阻？各個領域的保險絲電阻是多少？
在開關電源電路裏，一般的保險管（保險絲、保險電阻====）yibanyongyudianyuanshuruduan，chuanlianzaidianyuanshuruduandexianlushang，dangdianyuandedianluyouguoliuxingguzhangshibaoxianguanhuirongduan，duankaidianyuanshurudianlu，yimianfashengdamianjideyuanjiansunhuai，tazaixianlubanshangdebiaozhiyibanshiFUSE，符號為類似於電阻的標誌，不過它的端子引線是穿過矩形框的（電阻的標誌不穿過）。
2020-08-12
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SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估
本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFETgonglvbianhuanqi，tebieshidiandongqichequdongdianjigonglvbianhuanqi，xuyaonenggounaishouyidingdegongzuotiaojian。ruguoqijianzaixuliudaotongqijianchuxianshixiaohuozhajiqudongminglingxinhaocuowu，jiuhuizhishibianhuanqigonglv開關管在雪崩條件下工作。因此，本文通過模擬雪崩事件，進行非鉗位感性負載開關測試，並使用不同的SiC MOSFET器件，按照不同的測試條件，評估技術的失效能量和魯棒性。
2020-08-10
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門極驅動器方案–––即插即用快速評估和測試
電力電子在當今世界無處不在：bandaotideyinzanggongneng，keshixianguangfanyingyong，congjiadianhexiaofeipindaoshujuchulihewuxianwangluo，zaidaoriqudianzihuadeqiche。dianlidianzixitongyijigaonengxiaozaijiaoliuhezhiliuxingshizhijianyijizhiliudianyazhijianzhuanhuandianli，congershigengduodediannengliuxiangzuizhongyingyong。dianyuanzhuanhuandezhuyaodonglishi開關：功率MOSFET、IGBT、寬禁帶(WBG)半導體器件、SiC MOSFET和氮化镓(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。在大多數拓撲中，這些晶體管以kHz至MHz的頻率開和關。
2020-08-10
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一文掌握 GaN 器件的直接驅動配置！
在設計開關模式電源時，主要品質因數（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關損耗。由於GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢複，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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利用isoPower器件屏蔽電源，從而提高精度
許多傳感器接口應用要求信號和電源隔離。為了運行模數轉換器(ADC)、提供傳感器偏置以及實現數字信號隔離，電源是必需的，但隔離電源的開關噪聲可能會影響高精度測量。例如，當ADuM5201 isoPower的儲能電路工作時，會產生360 MHz的噪聲。如果該噪聲與ADC的采樣時間重合，噪聲將耦合到傳感器偏置、ADC電源或基準電壓源中，導致測量喪失一定的保真度。為減少幹擾，數字係統的常規做法是在時鍾沿之間開始ADC轉換，確保開關噪聲不與電壓轉換相互作用。
2020-08-05
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新型功率開關技術和隔離式柵極驅動器不斷變化的格局
基於碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率開關技術的出 現促使性能大幅提升，超越了基於MOSFET和IGBT技術的傳統係 統。更高的開關頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、係統尺 寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率 開關還將促使其控製元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本 文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些主要差異，以及柵 極驅動器將如何為這些差異提供支持。
2020-08-04
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具集成型電壓限製功能的3A、1MHz降壓模式LED驅動器
LT3952 單片式 LED 驅動器包括一個 4A、60V DMOS 功率開關，非常適合在降壓模式中驅動高電流 LED。輸入電流檢測放大器是其諸多特點之一，可用於在降壓模式中提供內置的 LED 電壓限製。
2020-08-03
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利用模擬開關實現555自激振蕩器的脈衝轉換
本設計實例描述一種新方法，用一隻基於555定ding時shi器qi的de自zi激ji振zhen蕩dang器qi產chan生sheng一yi個ge占zhan空kong比bi可ke變bian波bo形xing。該gai電dian路lu有you寬kuan的de調tiao製zhi範fan圍wei，可ke在zai很hen寬kuan的de占zhan空kong比bi值zhi範fan圍wei內nei作zuo高gao度du線xian性xing化hua控kong製zhi，出chu色se的de線xian性xing使shi它ta適shi合he基ji於yu PWM（脈衝寬度調製）的控製應用。圖1為基本電路，工作原理如下：當 IC1的輸出為高電平時，開關S1閉合，而IC1的內部放電開關S2打開。電容器C1通過R1和R2充電。當IC1輸出為低電平時，S1打開，而S2閉合，C1通過R2和R3放電。
2020-08-03
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具備負載斷開功能的同步升壓轉換器SGM6612A
SGM6612A是一顆20V/10A同步升壓轉換器芯片，內置門驅動器用於驅動外部開關斷開負載。通過集成兩個14mΩ高/低壓側電源開關，SGM6612A可提供高達10A的開關峰值電流和20V輸出電壓，從而為包括便攜式揚聲器、液晶顯示器源驅動、功率放大器電源、電機驅動器電源及USB Type-C電源在內的便攜式設備提供一種高效率、小尺寸的電源解決方案。
2020-08-03
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無需專用隔離反饋回路，簡潔的反激式控製器是醬紫滴~
圖1顯示了傳統的隔離型反激式轉換器的架構。這些轉換器的功率等級通常可達60W左右。通過調整變壓器的匝數比，借助原邊開關和可以將電源電壓轉換為輸出電壓。有關輸出電壓的信息會通過反饋路徑傳輸到原邊的PWM發生器，以使該輸出電壓盡可能保持穩定。如果輸出電壓太高或太低，則將調整PWM發生器的占空比。
2020-07-24
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詳解電力晶體管GTR的開關特性
電力晶體管是一種雙極型大功率高反壓晶體管，由於其功率非常大，所以，它又被稱作為巨型晶體管，簡稱GTR。GTR是由三層半導體材料兩個PN結組成的，三層半導體材料的結構形式可以是PNP，也可以是NPN。
2020-07-22
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