-
SiC MOSFET用於電機驅動的優勢
低電感電機有許多不同應用,包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率(50-100kHz)來維持所需的紋波電流。然而,對於50kHz以上的調製頻率使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)無法滿足這些需求,如果是380V係統,矽MOSFET耐壓又不夠,這就為寬禁帶器件開創了新的機會。
2023-12-20
-
電容搞搞“振”,PDN有幫襯
理想電容C的阻抗是隨頻率的增加而逐漸減小的一條斜線,實際上由於電容中等效寄生電阻(ESR)和等效寄生電感(ESL)的攪局,問題開始變得複雜。不同的電容自諧振頻點不同,諧振點阻抗各異,濾波頻段也有區別……
2023-11-30
-
利用IO-Link實現小型高能效工業現場傳感器
無(wu)論(lun)過(guo)去(qu)還(hai)是(shi)現(xian)在(zai),在(zai)許(xu)多(duo)情(qing)況(kuang)下(xia),工(gong)業(ye)傳(chuan)感(gan)器(qi)都(dou)是(shi)使(shi)用(yong)模(mo)擬(ni)型(xing)。其(qi)中(zhong)包(bao)含(han)檢(jian)測(ce)元(yuan)件(jian),以(yi)及(ji)將(jiang)檢(jian)測(ce)數(shu)據(ju)傳(chuan)輸(shu)至(zhi)控(kong)製(zhi)器(qi)的(de)某(mou)種(zhong)方(fang)式(shi)。數(shu)據(ju)采(cai)用(yong)單(dan)向(xiang)模(mo)擬(ni)方(fang)式(shi)進(jin)行(xing)傳(chuan)輸(shu)。之(zhi)後(hou)出(chu)現(xian)了(le)二(er)進(jin)製(zhi)傳(chuan)感(gan)器(qi),該(gai)傳(chuan)感(gan)器(qi)提(ti)供(gong)數(shu)字(zi)開(kai)/關信號,包含檢測元件(電感、電容、超聲波、光電等)和半導體開關元件。
2023-11-24
-
淺談NFC無線充電
近場通信(NFC)和無線充電兩項技術可以改變我們使用設備的方式。NFC可以讓兩個設備在相互靠近時互聯通信,而無線充電可以讓設備通過電感方式充電,從而徹底擺脫線纜的束縛和羈絆。近年來,市場對整合這兩項技術之長的NFC無線充電的關注度越來越高。在這篇文章中,我們將探討NFC無線充電技術及其潛在應用。
2023-11-22
-
如果不說 你會特別留意肖特基二極管的這些參數嗎?
我們在肖特基二極管設計過程中,肖特基二極管與普通二極管有什麼區別,有哪些參數與特點我們需要留意。本文分享那些電感容易忽略關鍵參數。
2023-11-21
-
如何計算地平麵上方走線的電感?
電路模型的作用 一流的 PCB 設計和分析工具無需根據電路模型來檢查阻抗、噪聲和其他效應。不過,電路模型有助於描述 PCB layout 中各種複雜功能和電氣行為。例如,基於基礎無源元件構建的電路模型(RLC 電路)可以描述串擾造成的 EMI 、噪聲敏感性等一係列現象。 串擾通過兩種機製耦合:電容和電感。如果想減少互連之間的串擾,就需要知道各自的電感值。計算地平麵上方走線有好幾種簡單的方法,如微帶線或帶狀線的電感計算。若論更高級、更精準的方法,則需要用到多種技術,尤其是考慮到係統中的信號損耗時。
2023-11-19
-
改進工業電機控製,這款電感位置傳感器脫穎而出
wulunshizhizaoyehaishiyunshuheyuleye,gegelingyudebuduanjinbuwangwangdoulibukaijiqixingnengdetisheng,weiciwomenxuyaonenggougengqingsongdiyigenggaodejingdukongzhijiqi。xuduoxiandaihuajiqizhishaoyouyigehexindianji,eryigenggaodejingdukongzhidianjikeyicongmouzhongchengdushanggaijinjiqiren、電梯、汽車、電動工具等等。
2023-11-10
-
詳解適用於服務器電源電路的TLVR電感器
考慮到上述諸多情況,TLVR 是目前應對低電壓大電流應用中快速負載波動的主流電路配置。這種TLVR能neng使shi半ban導dao體ti處chu理li器qi獲huo得de較jiao高gao的de瞬shun態tai響xiang應ying性xing能neng,滿man足zu負fu載zai要yao求qiu,同tong時shi降jiang低di電dian源yuan損sun耗hao,而er且qie可ke保bao持chi較jiao小xiao的de輸shu出chu電dian容rong值zhi,從cong而er減jian少shao安an裝zhuang麵mian積ji和he係xi統tong成cheng本ben。
2023-11-04
-
具備高功率因數性能的單級 AC-DC 拓撲結構
在AC-DC SMPS應ying用yong中zhong,通tong常chang會hui在zai輸shu入ru級ji使shi用yong功gong率lv橋qiao式shi整zheng流liu器qi,將jiang交jiao流liu電dian壓ya轉zhuan換huan為wei單dan向xiang的de直zhi流liu電dian壓ya。在zai這zhe種zhong拓tuo撲pu結jie構gou中zhong,還hai會hui使shi用yong大da容rong量liang電dian容rong器qi作zuo為wei紋wen波bo濾lv波bo器qi,來lai穩wen定ding總zong線xian電dian壓ya,這zhe會hui導dao致zhi功gong率lv因yin數shu性xing能neng較jiao差cha,並bing將jiang諧xie波bo汙wu染ran反fan饋kui到dao電dian網wang。為wei了le改gai善shan功gong率lv因yin數shu和he諧xie波bo電dian流liu,通tong常chang需xu要yao使shi用yongPFC電路。但額外增加一個功率級意味著會降低係統效率和可靠性。在本文中,我們提出了一種基於單電感結構的單級AC-DC拓撲結構,具備PFC和LLC功能。該拓撲結構保留了傳統LLC諧振轉換器的零電壓開關(ZVS)優勢,同時實現了高功率因數性能。
2023-10-27
-
抑製SPE單對以太網幹擾:想找好用的電感器,往這兒瞧!
想要實現數據驅動的智能製造,必須有高速而可靠的網絡作為支撐,將以太網引入工業應用已經是大勢所趨。
2023-10-26
-
功率逆變器應用采用寬帶隙半導體器件時,柵極電阻選型注意事項
本文為大家介紹氮化镓 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢,以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗,開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放(fang)大(da),造(zao)成(cheng)電(dian)路(lu)噪(zao)聲(sheng)。為(wei)了(le)減(jian)少(shao)電(dian)路(lu)噪(zao)聲(sheng),需(xu)要(yao)認(ren)真(zhen)考(kao)慮(lv)柵(zha)極(ji)電(dian)阻(zu)的(de)選(xuan)擇(ze),從(cong)而(er)不(bu)必(bi)延(yan)長(chang)死(si)區(qu)時(shi)間(jian)而(er)造(zao)成(cheng)功(gong)率(lv)損(sun)耗(hao)。本(ben)文(wen)介(jie)紹(shao)選(xuan)擇(ze)柵(zha)極(ji)電(dian)阻(zu)時(shi)的(de)考(kao)慮(lv)因(yin)素(su),如(ru)脈(mai)衝(chong)功(gong)率(lv)、脈衝時間和溫度、穩定性、寄生電感等。同時,將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應用中的優缺點。
2023-10-22
-
給SiC FET設計PCB有哪些注意事項?
SiC FET(即SiC JFET和矽MOSFET的常閉共源共柵組合)等(deng)寬(kuan)帶(dai)隙(xi)半(ban)導(dao)體(ti)開(kai)關(guan)推(tui)出(chu)後(hou),功(gong)率(lv)轉(zhuan)換(huan)產(chan)品(pin)無(wu)疑(yi)受(shou)益(yi)匪(fei)淺(qian)。此(ci)類(lei)器(qi)件(jian)具(ju)有(you)超(chao)快(kuai)的(de)開(kai)關(guan)速(su)度(du)和(he)較(jiao)低(di)的(de)傳(chuan)導(dao)損(sun)耗(hao),能(neng)夠(gou)在(zai)各(ge)類(lei)應(ying)用(yong)中(zhong)提(ti)高(gao)效(xiao)率(lv)和(he)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)。然(ran)而(er),與(yu)緩(huan)慢(man)的(de)舊(jiu)技(ji)術(shu)相(xiang)比(bi),高(gao)電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流(liu)邊(bian)緣(yuan)速(su)率(lv)與(yu)板(ban)寄(ji)生(sheng)電(dian)容(rong)和(he)電感的相互作用更大,可能產生不必要的感應電流和電壓,導致效率降低,組件受到應力,影響可靠性。此外,由於現在SiC FET導通電阻通常以毫歐為單位進行測量,因此,PCB跡線電阻可能相當大,須謹慎降低以保持低係統傳導損耗。
2023-10-21
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%!力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電!聖邦微電子發布雙輸出電源芯片,簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端:金升陽推出1200W可編程電源,賦能高端裝備製造
- 芯科科技Tech Talks與藍牙亞洲大會聯動,線上線下賦能物聯網創新
- 冬季續航縮水怎麼辦?揭秘熱管理係統背後的芯片力量
- 從HDMI 2.1到UFS 5.0:SmartDV以領先IP矩陣夯實邊緣計算基石
- 小空間也能實現低噪供電!精密測量雙極性電源選型指南,覆蓋小功率到大電流全場景
- 直擊藍牙亞洲大會 2026:Nordic 九大核心場景演繹“萬物互聯”新體驗
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall


