淺述MEMS加速度傳感器的原理與構造
發布時間:2018-05-15 責任編輯:wenwei
【導讀】隨著矽微機械加工技術(MEMS)的迅猛發展,各種基於MEMS技術的器件也應運而生,目前已經得到廣泛應用的就有壓力傳感器、加速度傳感器、光開關等等,它們有著體積小、質量輕、成本低、功耗低、可靠性高等特點。
而且因為其加工工藝一定程度上與傳統的集成電路工藝兼容,易於實現數字化、智能化以及批量生產,因而從問世起就引起了廣泛關注,並且在汽車、醫藥、導航和控製、生化分析、gongyejiancedengfangmiandedaolejiaoweixunsudeyingyong。qizhongjiasuduchuanganqijiushiguangfanyingyongdelizizhiyi。jiasuduchuanganqideyuanlisuiqiyingyongerbutong,youyazushi,dianrongshi,yadianshi,xiezhenshideng。

本文通過不同加速度傳感器的原理、製作工藝及應用展開,能夠使之更加全麵了解加速度傳感器。
壓阻式加速度傳感器
MEMS壓阻式加速度傳感器的敏感元件由彈性梁、質量塊、固定框組成。壓阻式加速度傳感器實質上是一個力傳感器,他是利用用測量固定質量塊在受到加速度作用時產生的力F來測得加速度a的。在目前研究尺度內,可以認為其基本原理仍遵從牛頓第二定律。也就是說當有加速度a作用於傳感器時,傳感器的慣性質量塊便會產生一個慣性力:F=ma,此慣性力F作用於傳感器的彈性梁上,便會產生一個正比於F的應變。,此時彈性梁上的壓敏電阻也會隨之產生一個變化量△R,由壓敏電阻組成的惠斯通電橋輸出一個與△R成正比的電壓信號V。

壓阻式加速度傳感器的原理
本係統的信號檢測電路采用壓阻全橋來作為信號檢測電路。
電橋采用恒壓源供電,橋壓為。設、為正應變電阻,、為負應變電阻,則電橋的輸出表達式為:

我們在電阻布局設計、製造工藝都保證壓敏電阻的一致性,因此可以認為有的壓敏電阻和壓敏電阻的變化量都是相等的,即:
則電橋輸出的表達式變為:
敏感原理
采cai用yong的de是shi壓ya阻zu式shi信xin號hao檢jian測ce原yuan理li,其qi核he心xin是shi半ban導dao體ti材cai料liao的de壓ya阻zu效xiao應ying。壓ya阻zu效xiao應ying是shi指zhi當dang材cai料liao受shou到dao外wai加jia機ji械xie應ying力li時shi,材cai料liao的de體ti電dian阻zu率lv發fa生sheng變bian化hua的de材cai料liao性xing能neng。晶jing體ti結jie構gou的de形xing變bian破po壞huai了le能neng帶dai結jie構gou,從cong而er改gai變bian了le電dian子zi遷qian移yi率lv和he載zai流liu子zi密mi度du,使shi材cai料liao的de電dian阻zu率lv或huo電dian導dao發fa生sheng變bian化hua。一yi根gen金jin屬shu電dian阻zu絲si,在zai其qi未wei受shou力li時shi,原yuan始shi電dian阻zu值zhi為wei:
式中,電阻絲的電阻率;電阻絲的長度;電阻絲的截麵積。
當電阻絲受到拉力作用時,將伸長,橫截麵積相應減少,電阻率則因晶格發生變形等因素的影響而改變,故引起電阻值變化。對全微分,並用相對變化量來表示,則有

壓阻係數
最常用的半導體電阻材料有矽和鍺,摻入雜質可形成P型或N型半導體。其壓阻效應是因在外力作用下,原子點陣排列發生變化,導致載流子遷移率及濃度發生變化而形成的。由於半導體(如單晶矽)是各向異性材料,因此它的壓阻效應不僅與摻雜濃度、溫度和材料類型有關,還與晶向有關。
壓阻效應的強弱可以用壓阻係數來表征。壓阻係數πbeidingyiweidanweiyinglizuoyongxiadianzulvdexiangduibianhua。yazuxiaoyingyougexiangyixingtezheng,yanbutongdefangxiangshijiayingliheyanbutongfangxiangtongguodianliu,qidianzulvbianhuahuibuxiangtong。jingzhouzuobiaoxiyazuxishudejuzhenkexiecheng


MEMS壓阻式加速度傳感器製造工藝
為加工出圖示的加速度傳感器,主要采用下列加工手段來實現。采用注入、推進、氧化的創新工藝來製作壓敏電阻;采用KHO各向異性深腐蝕來形成質量塊;並使用AES來釋放梁和質量塊;最後利用鍵合工藝來得到所需的“三明治”結構。

(使用的是400μm厚、N型(100)晶向、電阻率p=2-4Ω的雙麵拋光矽片。)
結構部分工藝步驟:

矽帽部分工藝步驟:



鍵合、劃片工藝步驟

電容式加速度傳感器
電容式加速度傳感器,在工業領域有著廣泛的應用,例如發動機,數控車床等等。它具有電路結構簡單,頻率範圍寬約為0~450Hz,線性度小於1%,lingmindugao,shuchuwending,wendupiaoyixiao,celiangwuchaxiao,wentaixiangying,shuchuzukangdi,shuchudianliangyuzhendongjiasududeguanxishijiandanfangbianyiyujisuandengyoudian,juyoujiaogaodeshijiyingyongjiazhi。
電容式加速度傳感器原理
電容式加速度傳感器是基於電容原理的極距變化型的電容傳感器,其中一個電極是固定的,另一變化電極是彈性膜片。彈性膜片在外力(氣壓、液壓等)作用下發生位移,使電容量發生變化。這種傳感器可以測量氣流(或液流)的振動速度(或加速度),還可以進一步測出壓力。
電容器加速度傳感器力學模型
電容式加速度傳感器從力學角度可以看成是一個質量—彈簧—阻尼係統,加速度通過質量塊形成慣性力作用於係統,如圖一所示。



電容式加速度傳感器數學模型




電容式加速度傳感器的構造
當前大多數的電容式加速度傳感器都是由三部分矽晶體圓片構成的,中層是由雙層的SOI矽片製成的活動電容極板。如圖所示, zhongjiandehuodongdianrongjibanshiyoubagewanqudanxinglianjieliangsuozhicheng,jiazaishangxiacengliangkuaigudingdedianrongjibanzhijian。tigaojingduhenzhongyaodeyixiangcuoshijiushicaiyongchadongceliangfangshi,jidaditigaolexinzaobi。yinci,dianrongshiMEMS加速度傳感器幾乎全部采用差動結構。


材料的選擇
MEMSjiasudujiyongdaodecailiaobijiaoduo,butongdebufenhenyoukenengcaiyongbutongdecailiao。liruyongyuzuochendidechendicailiao,yongyuzuoyanmodeyanmocailiao,yongyubiaomianweijiagongdexishengcengcailiaodengdeng。weijiasudujichangyongdecailiaoyoudanjinggui、二氧化矽、碳化矽、氮化矽、duojingguidengdeng,jutinazhongcailiaoyongyunayibufenbushigudingde,xuyaozaishejiguochengzhonggenjuqiwulihuaxuexingzhiyijizaijiasudujizhongdezuoyongjiayizonghekaolv。yinweigaichuanganqidongtaiyaoqiubijiaogao ,因此在進行完結構設計,得到結構的尺 寸以後,進行有限元分析是必不可少的。
運用有限元分析軟件ANSYS對加速度計模型進行分析,可以得到下麵的結果 :
(1)進行靜力分析,可以發現承受應力最大的部位。
(2)進行模態分析,可以得到結構的固有頻率和各固有頻率下的振型。
(3)進行瞬態動力學分析,可以得到結構對外界激勵的響應。
通過以上有限元分析的結果,可以進一步改進設計,使所設計的加速度計具有更好的性能 。
工藝的選擇
電容式MEMS加速度計的工藝一般采用的有:表麵工藝、體矽工藝、LIGA工藝及 SOI+DRIE工藝等。如表 3對這幾種工藝進行了對比。
表(biao)麵(mian)工(gong)藝(yi)是(shi)在(zai)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)平(ping)麵(mian)工(gong)藝(yi)基(ji)礎(chu)上(shang)發(fa)展(zhan)起(qi)來(lai)的(de)一(yi)種(zhong)微(wei)工(gong)藝(yi),隻(zhi)進(jin)行(xing)單(dan)麵(mian)光(guang)刻(ke)。它(ta)利(li)用(yong)矽(gui)平(ping)麵(mian)上(shang)不(bu)同(tong)材(cai)料(liao)的(de)順(shun)序(xu)澱(dian)積(ji)和(he)選(xuan)擇(ze)腐(fu)蝕(shi)來(lai)形(xing)成(cheng)各(ge)種(zhong)微(wei)結(jie)構(gou)。主(zhu)要(yao)包(bao)括(kuo)犧(xi)牲(sheng)層(ceng)澱(dian)積(ji)、犧牲層刻蝕、結構層澱積、結構層刻蝕、犧牲層去除(釋放結構)等。最後使結構材料懸空於基片之上,形成各種形狀的二維或三維結構。
體ti矽gui工gong藝yi是shi指zhi沿yan著zhe矽gui襯chen底di的de厚hou度du方fang向xiang對dui矽gui襯chen底di進jin行xing刻ke蝕shi的de工gong藝yi,包bao括kuo濕shi法fa刻ke蝕shi和he幹gan法fa刻ke蝕shi,是shi實shi現xian三san維wei結jie構gou的de重zhong要yao方fang法fa。為wei了le形xing成cheng完wan整zheng的de微wei結jie構gou,往wang往wang在zai加jia工gong的de基ji礎chu上shang用yong到dao鍵jian合he或huo粘zhan接jie技ji術shu,將jiang矽gui的de鍵jian合he技ji術shu和he體ti矽gui加jia工gong方fang法fa結jie合he起qi來lai。矽gui的de微wei結jie構gou經jing過guo多duo次ci掩yan膜mo、單dan麵mian或huo雙shuang麵mian光guang刻ke以yi及ji各ge向xiang異yi性xing刻ke蝕shi等deng工gong藝yi而er成cheng,然ran後hou將jiang有you關guan部bu分fen精jing密mi對dui準zhun鍵jian合he成cheng一yi整zheng體ti。體ti矽gui加jia工gong工gong藝yi過guo程cheng比bi矽gui表biao麵mian加jia工gong複fu雜za,體ti積ji大da,成cheng本ben高gao。
SO1+DRIE工藝是體矽工藝的一種延伸與發展。利用絕緣體上矽(SOI)製造單晶矽三維微 結構是最近幾年發展異常迅速的方法。利用SOI製造微結構的方法幾乎都是利用DINE(深反應離子刻蝕)對單晶矽進行深刻蝕。根據結構的不同、性能要求等可采用正麵結構釋放和背麵結構釋放。
光波導加速度計
光波導加速度計的原理如下圖所示:光源從波導1進入,經過分束部分後分成兩部分分別通入波導4和波導2,進入波導4的一束直接被探測器2探測,而進入波導2的一束會經過一段微小的間隙後進入波導3,最終被探測器1探測到。有加速度時,質量塊會使得波導2彎曲,進而導至其與波導3的正對麵積減小,使探測器1探測到的光減弱。通過比較兩個探測器檢測到的信號即可求得加速度。

微諧振式加速度計
諧振式加速度計,Silicon Oscillating Accelerometer,簡稱SOA。
一(yi)根(gen)琴(qin)弦(xian)繃(beng)緊(jin)程(cheng)度(du)不(bu)同(tong)時(shi)彈(dan)奏(zou)出(chu)的(de)聲(sheng)音(yin)頻(pin)率(lv)也(ye)不(bu)同(tong),諧(xie)振(zhen)式(shi)加(jia)速(su)度(du)計(ji)的(de)原(yuan)理(li)與(yu)此(ci)相(xiang)同(tong)。振(zhen)梁(liang)一(yi)端(duan)固(gu)定(ding),另(ling)一(yi)端(duan)鏈(lian)接(jie)一(yi)質(zhi)量(liang)塊(kuai),當(dang)振(zhen)梁(liang)軸(zhou)線(xian)方(fang)向(xiang)有(you)加(jia)速(su)度(du)時(shi)梁(liang)會(hui)受(shou)到(dao)軸(zhou)線(xian)方(fang)向(xiang)的(de)力(li),梁(liang)中(zhong)張(zhang)力(li)變(bian)化(hua),其(qi)固(gu)有(you)頻(pin)率(lv)也(ye)相(xiang)應(ying)發(fa)生(sheng)變(bian)化(hua)。若(ruo)對(dui)梁(liang)施(shi)加(jia)一(yi)確(que)定(ding)的(de)激(ji)振(zhen),檢(jian)測(ce)其(qi)響(xiang)應(ying)就(jiu)可(ke)測(ce)出(chu)其(qi)固(gu)有(you)頻(pin)率(lv),進(jin)而(er)測(ce)出(chu)加(jia)速(su)度(du)。激(ji)振(zhen)的(de)施(shi)加(jia)和(he)響(xiang)應(ying)的(de)檢(jian)測(ce)通(tong)常(chang)都(dou)是(shi)通(tong)過(guo)梳(shu)齒(chi)機(ji)構(gou)實(shi)現(xian)的(de)。
SOA的特點在於,它是通過改變二階係統本身的特性來反映加速度的變化的,這區別與電容式、壓電式和光波導式的加速度計。
SOA常見的結構有S結構和雙端固定音叉(Double-ended Tuning Fork,DETF)兩種。S結構原理圖如下圖所示,DEFT式就是在質量塊的另一半加上和左邊對稱的一套機構。DEFT是目前SOA的主流結構。

熱對流加速度計
reduiliujiasududeyuanliyuqitajiasudujiyougenbenshangdequbie,qitajiasudujideyuanlidoushijianlizaiyigeerjiexitongdejichuzhishang,erreduiliujiasudujicaiyongdeshiwanquanbutongdeyuanli。
yigebeifangzhizaixinpianzhongyangdereyuanzaiyigekongqiangzhongchanshengyigexuanfudereqituan,tongshiyoulvheduojingguizuchengderedianouzubeidengjuliduichengdifangzhizaireyuandesigefangxiang。zaiweishoudaojiasuduhuoshuipingfangzhishi,wendudexiajiangdoudushiyireyuanweizhongxinwanquanduichengde。cishisuoyousigeredianouzuyinganyingwenduerchanshengdedianyashixiangtongde(見下圖)。youyuziyouduiliurechangdechuandixing,renhefangxiangdejiasududouhuiraoluanrechangdelunkuo,congerdaozhiqibuduicheng。cishisigeredianouzudeshuchudianyahuichuxianchayi,erredianouzushuchudianyadechayishizhijieyusuoganyingdejiasuduchengbilide。zaijiasuduchuanganqineibuyouliangtiaowanquanxiangtongdejiasuduxinhaochuanshulujing:一條是用於測量X軸上所感應的加速度,另一條則用於測量Y軸上所感應的加速度。

由(you)於(yu)熱(re)對(dui)流(liu)加(jia)速(su)度(du)計(ji)中(zhong)沒(mei)有(you)可(ke)運(yun)動(dong)的(de)質(zhi)量(liang)塊(kuai),所(suo)以(yi)其(qi)製(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)相(xiang)對(dui)簡(jian)單(dan),也(ye)比(bi)較(jiao)容(rong)易(yi)加(jia)工(gong),而(er)且(qie)其(qi)抗(kang)衝(chong)擊(ji)性(xing)能(neng)非(fei)常(chang)好(hao),可(ke)抗(kang)五(wu)萬(wan)倍(bei)重(zhong)力(li)加(jia)速(su)度(du)的(de)加(jia)速(su)度(du)。但(dan)環(huan)境(jing)溫(wen)度(du)對(dui)熱(re)對(dui)流(liu)加(jia)速(su)度(du)計(ji)的(de)影(ying)響(xiang)較(jiao)大(da),而(er)溫(wen)度(du)變(bian)化(hua)會(hui)導(dao)致(zhi)零(ling)點(dian)漂(piao)移(yi);同時熱對流加速度計的頻響範圍低,通常是小於35Hz。
壓電式加速度計
壓(ya)電(dian)式(shi)加(jia)速(su)度(du)計(ji)的(de)數(shu)學(xue)和(he)物(wu)理(li)模(mo)型(xing)與(yu)壓(ya)阻(zu)式(shi)和(he)電(dian)容(rong)式(shi)的(de)加(jia)速(su)度(du)計(ji)類(lei)似(si),都(dou)是(shi)通(tong)過(guo)測(ce)量(liang)二(er)階(jie)係(xi)統(tong)中(zhong)質(zhi)量(liang)塊(kuai)的(de)位(wei)移(yi)來(lai)間(jian)接(jie)測(ce)量(liang)加(jia)速(su)度(du),三(san)者(zhe)的(de)差(cha)別(bie)就(jiu)是(shi)在(zai)於(yu)測(ce)量(liang)這(zhe)個(ge)質(zhi)量(liang)塊(kuai)位(wei)移(yi)的(de)方(fang)法(fa)。
yadianshijiasudujiliyongleyadianxiaoying,huozhegengqueqiedishuo,shiliyonglezhengyadianxiaoying,jimouxiedianjiezhizaiyanyidingfangxiangshangshoudaowailidezuoyongerbianxingshiqineibuchanshengjihuaxianxiang,tongshizaitadelianggexiangduibiaomianshangchuxianzhengfuxiangfandedianhe。tongguoceliangyadiancailiaoliangjidedianshichajikeqiudeqixingbianyadianyuanlizaihongguanchidudejiasudujizhongyingyongpoweiguangfan,zheleijiasudujidegouzaoduoweijizuohezhiliangkuaizhijianjiayiyazucailiao(如下圖)。

而MEMS壓電式加速度計采用的結構與壓阻式微加速度計類似(如下圖),都是懸臂梁末端加質量塊的震動係統,二者差別在於鍍在梁上的材料不同,壓電式加速度計自然隻要鍍上壓電材料,而非壓阻材料。

本文轉載自傳感器技術。
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