1、 標稱電容量和允許偏差

 

標稱電容量是標誌在電容器上的電容量。

 

電解電容器的容值

，取決於在交流電壓下工作時所呈現的阻抗。因此容值，也就是交流電容值，隨著工作頻率
、電壓以及測量方法的變化而變化。在標準JISC 5102 規定：鋁電解電容的電容量的測量條件是在頻率為 120Hz，最大交

 

流電壓為 0.5Vrms，DC bias 電壓為1.5 ～ 2.0V 的條件下進行。可以斷言，鋁電解電容器的容量隨頻率的增加而減小。

 

電容器中存儲的能量

 

E = CV^2/2

 

電容器的線性充電量

 

I = C （dV/dt）

 

電容的總阻抗（歐姆）

 

Z = √ ［ RS^2 + （XC – XL）^2 ］

 

容性電抗（歐姆）

 

XC = 1/（2πfC）

 

電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱誤差
，在允許的偏差範圍稱精度。

 

精度等級與允許誤差對應關係：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）
、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）

 

一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ
、Ⅲ級，電解電容器用Ⅳ、Ⅴ
、Ⅵ級
，根據用途選取。

 

2、額定電壓

 

在zai最zui低di環huan境jing溫wen度du和he額e定ding環huan境jing溫wen度du下xia可ke連lian續xu加jia在zai電dian容rong器qi的de最zui高gao直zhi流liu電dian壓ya有you效xiao值zhi，一yi般ban直zhi接jie標biao注zhu在zai電dian容rong器qi外wai殼ke上shang，如ru果guo工gong作zuo電dian壓ya超chao過guo電dian容rong器qi的de耐nai壓ya，電dian容rong器qi擊ji穿chuan，造zao成cheng不bu可ke修xiu複fu的de永yong久jiu損sun壞huai。

 

3、絕緣電阻

 

直流電壓加在電容上
，並產生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻。

 

當電容較小時
，主要取決於電容的表麵狀態

，容量〉0.1uf 時，主要取決於介質的性能，絕緣電阻越大越好。

 

電容的時間常數：為恰當的評價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數，他等於電容的絕緣電阻與容量的乘積。

 

4、損耗

 

dianrongzaidianchangzuoyongxia，zaidanweishijianneiyinfaresuoxiaohaodenengliangjiaozuosunhao。geleidianrongdouguidingleqizaimoupinlvfanweineidesunhaoyunxuzhi，dianrongdesunhaozhuyaoyoujiezhisunhao
，diandaosunhaohedianrongsuoyoujinshubufendedianzusuoyinqide。

 

在zai直zhi流liu電dian場chang的de作zuo用yong下xia，電dian容rong器qi的de損sun耗hao以yi漏lou導dao損sun耗hao的de形xing式shi存cun在zai，一yi般ban較jiao小xiao
，在zai交jiao變bian電dian場chang的de作zuo用yong下xia，電dian容rong的de損sun耗hao不bu僅jin與yu漏lou導dao有you關guan，而er且qie與yu周zhou期qi性xing的de極ji化hua建jian立li過guo程cheng有you關guan。

 

5、頻率特性

 

隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現下降的規律。

 

電容器參數的基本公式

 

6、 相位角 Ф

 

理想電容器：超前當前電壓 90度

 

理想電感器：滯後當前電壓 90度

 

理想電阻器：與當前電壓的相位相同

 

7、耗散係數 （%）

 

損耗角正切值 Tan δ

 

在電容器的等效電路中，串聯等效電阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比稱之為 Tan δ， 這裏的 ESR 是在 120Hz 下計算獲得的值。顯然
，Tan δ 隨著測量頻率的增加而變大
，隨測量溫度的下降而增大。

 

D.F. = tan δ （損耗角）= ESR / Xc = （2πfC）（ESR）

 

損耗因數，因為電容器的泄漏電阻
、dengxiaochuanliandianzuhedengxiaochuanliandiangan，zhesanxiangzhibiaojihuzongshihennanfenkai，suoyixuduodianrongqizhizaochangjiajiangtamenhebingchengyixiangzhibiao
，chengzuosunhaoyinshu
，zhuyaoyonglaimiaoshudianrongqidewuxiaochengdu。sunhaoyinshudingyiweidianrongqimeizhouqisunhaonengliangyuchucunnengliangzhibi。youchengweisunhaojiaozhengqie。

 

 

圖1中，電容的泄露電阻Rp、有效串聯電阻Rs和有效串聯電感L式寄生元件，可能會降低外部電路的性能。一般將這些元件的效應合並考慮
，定義為損耗因數或DF。

 

電容的泄漏是指施加電壓時流過電介質的微小電流。雖然模型中表現為與電容並聯的簡單絕緣電阻Rp，但實際上泄露與電壓並非線性關係。製造商常常將將泄漏規定為 MΩ-μF 積

，用來描述電介質的自放電時間常數，單位為秒。其範圍介於 1 秒或更短與數百秒之間，前者如鋁和鉭電容，後者如陶瓷電容。玻璃電容的自放電時間常數為 1,000 或更大
；特氟龍和薄膜電容（聚苯乙烯、聚丙烯）的泄漏性能最佳，時間常數超過 1,000,000 MΩ-μF。對於這種器件，器件外殼的表麵汙染或相關配線、物理裝配會產生泄漏路徑，其影響遠遠超過電介質泄漏。

 

有效串聯電感 ESL（圖 1）產生自電容引腳和電容板的電感，它能將一般的容抗變成感抗，尤其是在較高頻率時
；qifuzhiqujueyudianrongneibudejutigouzao。guanshibojuandianrongdeyinjiaodianganxianzhudayumozhifusheshiyinjiaopeizhideyinjiaodiangan。duocengtaocihebomodianrongdechuanlianzukangtongchangzuidi，erlvdianjiedianrongdechuanlianzukangtongchangzuigao。yinci，dianjiedianrongyibanbushihegaopinpangluyingyong。

 

電容製造商常常通過阻抗與頻率的關係圖來說明有效串聯電感。不出意料的話，這些圖會顯示：在低頻時，器件主要表現出容性電抗；頻率較高時
，由於串聯電感的存在，阻抗會升高。

 

有效串聯電阻 ESR（圖 1 的電阻 Rs）由引腳和電容板的電阻組成。如上文所述，許多製造商將 ESR、ESL 和泄漏的影響合並為一個參數，稱為“損耗因數”或 DF。損(sun)耗(hao)因(yin)數(shu)衡(heng)量(liang)電(dian)容(rong)的(de)基(ji)本(ben)無(wu)效(xiao)性(xing)。製(zhi)造(zao)商(shang)將(jiang)它(ta)定(ding)義(yi)為(wei)每(mei)個(ge)周(zhou)期(qi)電(dian)容(rong)所(suo)損(sun)失(shi)的(de)能(neng)量(liang)與(yu)所(suo)存(cun)儲(chu)的(de)能(neng)量(liang)之(zhi)比(bi)。特(te)定(ding)頻(pin)率(lv)的(de)等(deng)效(xiao)串(chuan)聯(lian)電(dian)阻(zu)與(yu)總(zong)容(rong)性(xing)電(dian)抗(kang)之(zhi)比(bi)近(jin)似(si)於(yu)損(sun)耗(hao)因(yin)數(shu)
，而(er)前(qian)者(zhe)等(deng)於(yu)品(pin)質(zhi)因(yin)數(shu) Q 的倒數。

 

損耗因數常常隨著溫度和頻率而改變。采用雲母和玻璃電介質的電容，其 DF 值一般在 0.03% 至 1.0% 之間。室溫時，陶瓷電容的 DF 範圍是 0.1% 至 2.5%。電解電容的 DF 值通常會超出上述範圍。薄膜電容通常是最佳的
，其 DF 值小於 0.1%。

 

8、品質因素

 

Q = cotan δ = 1/ DF

 

9
、等效串聯電阻ESR（歐姆）

 

ESR = （DF） Xc = DF/ 2πfC

 

10、功率消耗

 

Power Loss = （2πfCV2） （DF）

 

11
、功率因數

 

PF = sin δ （loss angle） – cos Ф （相位角）

 

12、阻抗 Z

 

在特定的頻率下
，阻礙交流電流通過的電阻即為所謂的阻抗（Z）。它與電容等效電路中的電容值
、電感值密切相關，且與 ESR 也有關係。

 

Z = √ ［ESR^2 + （XL - XC）^2 ］

 

式中
，XC = 1 / ωC = 1 / 2πfC

 

XL = ωL = 2πfL

 

電容的容抗（XC）在低頻率範圍內隨著頻率的增加逐步減小，頻率繼續增加達到中頻範圍時電抗（XL）降至 ESR 的值。當頻率達到高頻範圍時感抗（XL）變為主導，所以阻抗是隨著頻率的增加而增加。

 

13、漏電流

 

電(dian)容(rong)器(qi)的(de)介(jie)質(zhi)對(dui)直(zhi)流(liu)電(dian)流(liu)具(ju)有(you)很(hen)大(da)的(de)阻(zu)礙(ai)作(zuo)用(yong)。然(ran)而(er)，由(you)於(yu)鋁(lv)氧(yang)化(hua)膜(mo)介(jie)質(zhi)上(shang)浸(jin)有(you)電(dian)解(jie)液(ye)，在(zai)施(shi)加(jia)電(dian)壓(ya)時(shi)，重(zhong)新(xin)形(xing)成(cheng)的(de)以(yi)及(ji)修(xiu)複(fu)氧(yang)化(hua)膜(mo)的(de)時(shi)候(hou)會(hui)產(chan)生(sheng)一(yi)種(zhong)很(hen)小(xiao)的(de)稱(cheng)之(zhi)為(wei)漏(lou)電(dian)流(liu)的(de)電(dian)流(liu)。通(tong)常(chang)，漏(lou)電(dian)流(liu)會(hui)隨(sui)著(zhe)溫(wen)度(du)和(he)電(dian)壓(ya)的(de)升(sheng)高(gao)而(er)增(zeng)大(da)。

 

14、紋波電流和紋波電壓

 

在一些資料中將此二者稱做“漣波電流”和“漣波電壓”
，其實就是 ripple current，ripple voltage。 含義即為電容器所能耐受紋波電流/電壓值。 它們和ESR 之間的關係密切，可以用下麵的式子表示：

 

Urms = Irms × R

 

式中，Vrms 表示紋波電壓，Irms 表示紋波電流
，R 表示電容的ESR

 

由上可見，當紋波電流增大的時候，即使在 ESR 保持不變的情況下，漣波電壓也會成倍提高。換言之，當紋波電壓增大時，紋波電流也隨之增大，這也是要求電容具備更低 ESR 值的原因。疊加入紋波電流後，由於電容內部的等效串連電阻（ESR）引起發熱，從而影響到電容器的使用壽命。一般的
，紋波電流與頻率成正比
，因此低頻時紋波電流也比較低。

 

各種電容關鍵參數：

 

1、 鋁電解電容器

 

yongjinyouhuzhuangdianjiezhidexishuizhijiazailiangtiaolvbozhongjianjuanraoercheng，bodehuayanghuamozuojiezhidedianrongqi。yinweiyanghuamoyoudanxiangdaodianxingzhi，suoyidianjiedianrongqijuyoujixing。rongliangda
，nengnaishoudademaidongdianliu，rongliangwuchada，xieloudianliuda；普通的不適於在高頻和低溫下應用，不宜使用在25kHz 以上頻率低頻旁路
、信號耦合、電源濾波。

 

電容量：0.47--10000u

 

額定電壓：6.3--450V

 

主要特點：體積小，容量大，損耗大，漏電大

 

應用：電源濾波，低頻耦合，去耦
，旁路等

 

2、 鉭電解電容器（CA）铌電解電容（CN）

 

用燒結的鉭塊作正極，電解質使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可靠性均優於普

 

tongdianjiedianrongqi，tebieshiloudianliujixiao
，zhucunxinglianghao，shoumingchang，rongliangwuchaxiao
，erqietijixiao
，danweitijixianengdedaozuidadedianrongdianyachengjiduimaidongdianliudenaishounenglicha
，ruosunhuaiyichengduanluzhuangtaichaoxiaoxinggaokekaojijianzhong。

 

電容量：0.1--1000u

 

額定電壓：6.3--125V

 

主要特點：損耗、漏電小於鋁電解電容

 

應用：在要求高的電路中代替鋁電解電容

 

3
、 薄膜電容器

 

結構與紙質電容器相似
，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質頻率特性好，介電損

 

耗小不能做成大的容量，耐熱能力差濾波器
、積分
、振蕩

、定時電路。

 

a 聚酯（滌綸）電容（CL）

 

電容量：40p--4u

 

額定電壓：63--630V

 

主要特點：小體積，大容量，耐熱耐濕，穩定性差

 

應用：對穩定性和損耗要求不高的低頻電路

 

b 聚苯乙烯電容（CB）

 

電容量：10p--1u

 

額定電壓：100V--30KV

 

主要特點：穩定，低損耗
，體積較大

 

應用：對穩定性和損耗要求較高的電路

 

c 聚丙烯電容（CBB）

 

電容量：1000p--10u

 

額定電壓：63--2000V

 

主要特點：性能與聚苯相似但體積小，穩定性略差

 

應用：代替大部分聚苯或雲母電容
，用於要求較高的電路

 

4
、 瓷介電容器

 

穿心式或支柱式結構瓷介電容器，它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小
，頻率特

 

性好
，介電損耗小
，有溫度補償作用不能做成大的容量，受振動會引起容量變化特別適於高頻旁路。

 

a 高頻瓷介電容（CC）

 

電容量：1--6800p

 

額定電壓：63--500V

 

主要特點：高頻損耗小，穩定性好

 

應用：高頻電路

 

b 低頻瓷介電容（CT）

 

電容量：10p--4.7u

 

額定電壓：50V--100V

 

主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩定性差

 

應用：要求不高的低頻電路

 

5、 獨石電容器

 

（多層陶瓷電容器）在若幹片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料


，疊合後一次繞結成一塊不可分割的整體，外麵再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器，高介電常數的低頻獨石電容器也具有穩定的性能
，體積極小
，Q 值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器
、積分、振蕩電路。

 

容量範圍：0.5PF--1UF

 

耐壓：二倍額定電壓。

 

電容量大、體積小
、可靠性高、電容量穩定，耐高溫耐濕性好等。

 

應用範圍：廣泛應用於電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振
、耦合、濾波
、旁路。

 

6、 紙質電容器

 

一般是用兩條鋁箔作為電極
，中間以厚度為0.008～0.012mm 的電容器紙隔開重疊卷繞而成。製造工藝簡單，價格便宜，能得到較大的電容量。

 

一般在低頻電路內，通常不能在高於3～4MHz 的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質。電容器高，穩定性也好，適用於高壓電路。

 

7
、 微調電容器

 

電容量可在某一小範圍內調整
，並可在調整後固定於某個電容值。 瓷介微調電容器的Q 值高，體積也小，通常可分為圓管式及圓片式兩種。 雲母和聚苯乙烯介質的通常都采用彈簧式東
，結構簡單，但穩定性較差。 線繞瓷介微調電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的
，故容量隻能變小
，不適合在需反複調試的場合使用。

 

a 空氣介質可變電容器

 

可變電容量：100--1500p

 

主要特點：損耗小，效率高；可根據要求製成直線式
、直線波長式、直線頻率式及對數式等

 

應用：電子儀器，廣播電視設備等

 

b 薄膜介質可變電容器

 

可變電容量：15--550p

 

主要特點：體積小

，重量輕；損耗比空氣介質的大

 

應用：通訊，廣播接收機等

 

c 薄膜介質微調電容器

 

可變電容量：1--29p

 

主要特點：損耗較大，體積小

 

應用：收錄機
，電子儀器等電路作電路補償

 

d 陶瓷介質微調電容器

 

可變電容量：0.3--22p

 

主要特點：損耗較小，體積較小

 

應用：精密調諧的高頻振蕩回路

 

8
、 陶瓷電容器

 

用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，並用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極製成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。 具(ju)有(you)小(xiao)的(de)正(zheng)電(dian)容(rong)溫(wen)度(du)係(xi)數(shu)的(de)電(dian)容(rong)器(qi)，用(yong)於(yu)高(gao)穩(wen)定(ding)振(zhen)蕩(dang)回(hui)路(lu)中(zhong)，作(zuo)為(wei)回(hui)路(lu)電(dian)容(rong)器(qi)及(ji)墊(dian)整(zheng)電(dian)容(rong)器(qi)。低(di)頻(pin)瓷(ci)介(jie)電(dian)容(rong)器(qi)限(xian)於(yu)在(zai)工(gong)作(zuo)頻(pin)率(lv)較(jiao)低(di)的(de)回(hui)路(lu)中(zhong)作(zuo)旁(pang)路(lu)或(huo)隔(ge)直(zhi)流(liu)用(yong)
，或(huo)對(dui)穩(wen)定(ding)性(xing)和(he)損(sun)耗(hao)要(yao)求(qiu)不(bu)高(gao)的(de)場(chang)合(he)〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈衝電路中，因為它們易於被脈衝電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用於高頻電路。

 

9
、 玻璃釉電容器（CI）

 

由一種濃度適於噴塗的特殊混合物噴塗成薄膜而成，介質再以銀層電極經燒結而成“獨石”結構性能可與雲母電容器媲美
，能耐受各種氣候環境，一般可在200℃或更高溫度下工作
，額定工作電壓可達500V，損耗tgδ0.0005～0.008

 

電容量：10p--0.1u

 

額定電壓：63--400V

 

主要特點：穩定性較好，損耗小，耐高溫（200 度）

 

應用：脈衝、耦合、旁路等電路

 

 

推薦閱讀：