我們分析一下源邊感抗帶來的影響：

 

1.使得MOS管的開啟延遲和關斷延遲增加

 

youyucunzaiyuanbiandiangan
，zaikaiqiheguanduanchuqi，dianliudebianhuabeizhuaile，shidechongdianhefangdiandeshijianbianchangle。tongshiyuangankanghedengxiaoshurudianrongzhijianhuifashengxiezhen（這個諧振是由於驅動電壓的快速變壓形成的，也是我們在G端看到震蕩尖峰的原因），我們加入的門電阻Rg和內部的柵極電阻Rm都會抑製這個震蕩（震蕩的Q值非常高）。

 

 

我們需要加入的優化電阻的值可以通過上述的公式選取，如果電阻過大則會引起G端電壓的過衝（優點是加快了開啟的過程），電阻過小則會使得開啟過程變得很慢，加大了開啟的時間（雖然G端電壓會被抑製）。

 

園感抗另外一個影響是阻礙Id的變化
，當開啟的時候，初始時di/dt偏大
，因此在原感抗上產生了較大壓降，從而使得源點點位抬高，使得Vg電壓大部分加在電感上麵，因此使得G點的電壓變化減小，進而形成了一種平衡（負反饋係統）。

 

另外一個重要的寄生參數是漏極的感抗，主要是有內部的封裝電感以及連接的電感所組成。

 

在開啟狀態的時候Ld起到了很好的作用（Subber吸收的作用），開啟的時候由於Ld的作用，有效的限製了di/dt/（同時減少了開啟的功耗）。在關斷的時候，由於Ld的作用
，Vds電壓形成明顯的下衝（負壓）並顯著的增加了關斷時候的功耗。

 

下麵談一下驅動（直連或耦合的）的一些重要特性和典型環節：

 

直連電路最大挑戰是優化布局

 

實際上驅動器和MOS管一般離開很遠，因此在源級到返回路徑的環路上存在很大的感抗，即使我們考慮使用地平麵，那麼我們仍舊需要一段很粗的PCB線連接源級和地平麵。

 

 

另外一個問題是大部分的集成芯片的輸出電流都比較小，因為由於控製頻率較高，晶圓大小受到限製。同時內部功耗很高也導致了IC的成本較高，因此我們需要一些擴展分立的電路。

 

旁路電容的大小

 

由於開啟的瞬間，MOS管需要吸取大量的電流，因此旁路電容需要盡可能的貼近驅動器電源端。

 

有兩個電流需要我們去考慮：第一個是驅動器靜態電流
，它收到輸入狀態的影響。他可以產生一個和占空比相關的紋波。

 

另外一個是G極電流，MOS管開通的時候

，充電電流時將旁路電流的能量傳輸至MOS管輸入電容上。其紋波大小可用公式來表明
，最後兩個可合在一起。

 

驅動器保護

 

 

如果驅動器輸出級為晶體管，那麼我們還需要適當的保護來防止反向電流。一般為了成本考慮，我們采用NPN的輸出級電路。NPNguanzizhinengchengshoudanxiangdianliu，gaobiandeguanzishuchudianliu

，dibiandeguanzixishoudianliu。zaikaiqiheguanbideshihou，wukebimiandeyuangankangheshurudianrongzhijiandezhendangshidedianliuxuyaoshangxialianggefangxiangdouyoutonglu，weiletigongyitiaofangxiangtonglu，didianyadexiaotejierjiguankeyiyonglaibaohuqudongqideshuchuji，zhelizhuyizhelianggeguanzibingbunengbaohuMOS管的輸入級（離MOS管較遠），因此二極管需要離驅動器引腳非常近。

 

晶體管的圖騰柱結構

 

 

這是最便宜和有效地驅動方式，此電路需要盡量考慮MOS管
，這樣可以使得開啟時大電流環路盡可能小
，並且此電路需要專門的旁路電容。Rgate是可選的，Rb可以根據晶體管的放大倍數來選擇。兩個BE之間的PN結有效的實現了反壓時候的相互保護，並能有效的把電壓嵌位在VCC+Vbe，GND-Vbe之間。

 

加速器件

 

MOS管開通的時候
，開啟的速度主要取決於二極管的反向特性。

 

因此MOS管關斷的時間需要我們去優化，放電曲線取決於Rgate，Rgate越小則關斷越快。下麵有好幾個方案：

 

1.二極管關斷電路

 

 

這是最簡單的加速電路。Rgate調整著MOS管的開啟速度，當關斷的時候
，由二極管短路電阻，此時G極電流最小為：Imin=Vf / Rgate 。

 

此電路的優點是大大加速了關斷的速度

，但是它僅在電壓高的時候工作，且電流仍舊流向驅動器。

 

2.PNP關斷電路

 

 

這是最流行和通用的電路，利用PNP的管子，在關斷期間，源極和柵極被短路了。二極管提供了開啟時候的電流通路（並且有保護PNP管子eb免受反向電壓的影響），Rgate限製了開啟的速度。

 

電dian路lu的de最zui大da的de好hao處chu是shi放fang電dian電dian流liu的de尖jian峰feng被bei限xian製zhi在zai最zui小xiao的de環huan路lu中zhong，電dian流liu並bing不bu返fan回hui至zhi驅qu動dong器qi，因yin此ci也ye不bu會hui造zao成cheng地di彈dan的de現xian象xiang，驅qu動dong器qi的de功gong率lv也ye小xiao了le一yi半ban，三san極ji管guan的de存cun在zai減jian小xiao了le回hui路lu電dian感gan。

 

仔細看這個電路其實是圖騰柱結構的簡化，電路的唯一的缺點是柵極電壓並不釋放到0V，而是存在EC極的壓差。

 

3.NPN關斷電路

 

 

優點和上麵的PNP管子相同，缺點是加入了一個反向器，加入反向器勢必會造成延遲。

 

4.NMOS關斷電路

 

 

這個電路可以使得MOS管關斷非常快，並且柵極電壓完全釋放至零電壓。不過小NMOS管子需要一個方向電壓來驅動。 問題也存在，NMOS的Coss電容和主MOS管的CISS合成變成等效的電容了。

 

 

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