製造工藝的區別：厚膜電阻一般采用絲網印刷工藝
，薄膜電阻采用的是真空蒸發
、磁控濺射等工藝方法。厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區別直接導致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般精度較差，10%，5%

，1%是常見精度
，而薄膜電阻則可以做到0.01%萬分之一精度
，0.1%千qian分fen之zhi一yi精jing度du等deng。同tong時shi厚hou膜mo電dian阻zu的de溫wen度du係xi數shu上shang很hen難nan控kong製zhi，一yi般ban較jiao大da
，同tong樣yang的de
，薄bo膜mo電dian阻zu則ze可ke以yi做zuo到dao非fei常chang低di的de溫wen度du係xi數shu
，這zhe樣yang電dian阻zu阻zu值zhi隨sui溫wen度du變bian化hua非fei常chang小xiao，阻zu值zhi穩wen定ding可ke靠kao。所suo以yi薄bo膜mo電dian阻zu常chang用yong於yu各ge類lei儀yi器qi儀yi表biao
，醫yi療liao器qi械xie，電dian源yuan，電dian力li設she備bei，電dian子zi數shu碼ma產chan品pin等deng。

 

 

houmodianzucaiyongdesiwangyinshuafa，jiushizaitaocijidishangtieyicengbahuayindianji，ranhouzaidianjizhijianyinshuayicengeryanghualiaozuoweidianzuti。houmodianzudedianzumotongchangbijiaohou，dayue100微米。厚膜電阻是目前應用最多的電阻，價格便宜，容差有5%和1%，絕大多數產品中使用的都是5%和1%的片狀厚膜電阻。

 

 

薄膜電阻就是氧化鋁陶瓷基底上通過真空沉積形成鎳化鉻薄膜，通常隻有0.1um厚hou，隻zhi有you厚hou膜mo電dian阻zu的de千qian分fen之zhi一yi
，然ran後hou通tong過guo光guang刻ke工gong藝yi將jiang薄bo膜mo蝕shi刻ke成cheng一yi定ding的de形xing狀zhuang。光guang刻ke工gong藝yi十shi分fen精jing確que，可ke以yi形xing成cheng複fu雜za的de形xing狀zhuang，因yin此ci，薄bo膜mo電dian容rong的de性xing能neng可ke以yi控kong製zhi的de很hen好hao。

 

 

congtukeyikanchubomodianzudianzujuyouzuijiawenduminganchenjicenghoudu
，danzuijiabomohouduchanshengdedianzuzhiyanzhongxianzhilekenengdedianzuzhifanwei。yinci，caiyonggezhongchenjicenghoudukeyishixianbutongdedianzuzhifanwei。bomodianzudewendingxingshouwendushangshengdeyingxiang。bomodianzuwendingxingdelaohuaguochengyinshixianbutongdianzuzhisuoxudebomohouduerbutong，yincizaizhenggedianzufanweineishikebiande。zhezhonghuaxue/機械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外，改變最佳薄膜厚度還會嚴重影響 TCR。由於較薄的沉積層更容易氧化
，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。

 

TCR是一個不容忽視的微小參數，它的單位是ppm/℃（每℃溫度變化所引起的阻值改變了百萬分之幾）。1%的普通電阻的TCR係數在幾千ppm/°C範圍內，整體阻值的變化與電阻的材料
、實際功率以及物理尺寸有關係。

 

 

厚(hou)膜(mo)電(dian)阻(zu)依(yi)靠(kao)玻(bo)璃(li)基(ji)體(ti)中(zhong)粒(li)子(zi)間(jian)的(de)接(jie)觸(chu)形(xing)成(cheng)電(dian)阻(zu)。這(zhe)些(xie)觸(chu)點(dian)構(gou)成(cheng)完(wan)整(zheng)電(dian)阻(zu)，但(dan)工(gong)作(zuo)中(zhong)的(de)熱(re)應(ying)變(bian)會(hui)中(zhong)斷(duan)接(jie)觸(chu)。由(you)於(yu)大(da)部(bu)分(fen)情(qing)況(kuang)下(xia)並(bing)聯(lian)，厚(hou)膜(mo)電(dian)阻(zu)不(bu)會(hui)開(kai)路(lu)，但(dan)阻(zu)值(zhi)會(hui)隨(sui)著(zhe)時(shi)間(jian)和(he)溫(wen)度(du)持(chi)續(xu)增(zeng)加(jia)。因(yin)此(ci)
，與(yu)其(qi)他(ta)電(dian)阻(zu)技(ji)術(shu)相(xiang)比(bi)，厚(hou)膜(mo)電(dian)阻(zu)穩(wen)定(ding)性(xing)差(cha) （時間

、溫度和功率）。

薄膜電阻的物理結構決定了他的電流特性：

 

 

youyujiegouzhongchengchuandedianheyundong，lizhuangjiegouhaihuishihoumodianzuchanshenghengaodezaosheng。geidingchicunxia
，dianzuzhiyuegao，jinshuchengfenyueshao，zaoshengyuegao，wendingxingyuecha。houmodianzujiegouzhongdebolichengfenzaidianzujiagongguochengzhongxingchengbolixiangbaohuceng
，yincihoumodianzudekangshixinggaoyubomodianzu。

電流噪聲對比：

 

 

 

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