盡(jin)管(guan)隔(ge)離(li)很(hen)普(pu)遍(bian)
，但(dan)是(shi)有(you)效(xiao)地(di)實(shi)現(xian)隔(ge)離(li)仍(reng)然(ran)存(cun)在(zai)問(wen)題(ti)，尤(you)其(qi)是(shi)當(dang)我(wo)們(men)向(xiang)更(geng)高(gao)的(de)係(xi)統(tong)集(ji)成(cheng)度(du)發(fa)展(zhan)。它(ta)的(de)主(zhu)要(yao)目(mu)的(de)是(shi)安(an)全(quan)，但(dan)它(ta)也(ye)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)最(zui)大(da)化(hua)共(gong)模(mo)瞬(shun)變(bian)抗(kang)擾(rao)度(du)(CMTI)來(lai)提(ti)高(gao)性(xing)能(neng)
，這(zhe)是(shi)在(zai)汽(qi)車(che)行(xing)業(ye)中(zhong)使(shi)用(yong)隔(ge)離(li)的(de)主(zhu)要(yao)原(yuan)因(yin)之(zhi)一(yi)。另(ling)一(yi)個(ge)原(yuan)因(yin)，尤(you)其(qi)是(shi)在(zai)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)中(zhong)
，是(shi)支(zhi)持(chi)電(dian)壓(ya)域(yu)之(zhi)間(jian)的(de)電(dian)源(yuan)轉(zhuan)換(huan)和(he)電(dian)平(ping)轉(zhuan)換(huan)。

 

電源轉換係統通常使用功率MOSFET或IGBT。這些器件需要使用低壓信號由門極驅動器來開關。為(wei)保(bao)持(chi)不(bu)同(tong)的(de)電(dian)壓(ya)域(yu)獨(du)立(li)但(dan)相(xiang)互(hu)連(lian)接(jie)，需(xu)要(yao)隔(ge)離(li)，這(zhe)就(jiu)是(shi)個(ge)典(dian)型(xing)的(de)示(shi)例(li)。隔(ge)離(li)通(tong)常(chang)使(shi)用(yong)光(guang)耦(ou)合(he)器(qi)來(lai)實(shi)現(xian)，這(zhe)至(zhi)少(shao)需(xu)要(yao)兩(liang)個(ge)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)。發(fa)射(she)器(qi)是(shi)一(yi)個(ge)LED，接收器包括一個光電二極管。

 

盡管光耦合器可易於實現極高的5 kVrmshuogenggaodegeli，dantamentijidaqieyilaohua。zaimeiyouguangdeqingkuangxiashixiankuayuegelizhadetongxin，tongshirengbaoliusuoxudegelishuiping，zheshikenengde。guangouheqizaixuduoyingyongzhongkenengshilixiangdexuanze


，dantidaijishudequshiyuelaiyuemingxian
，jichengdegeliqijiantigonggengduobianli。yigeshilishiansenmeibandaotideNCD57001。它使用通過無芯變壓器的磁耦合在微型電感器之間創建數據路徑，從而提供5 kVrms的電氣隔離和至少100 kV / us的CMTI。

 

圖1：安森美半導體的先進的NCD57001門極驅動器IC

 

NCD57001delingyigexianzhutedianshitadeshuchuji

，zhuanweijiejueyigechangjianwentierkaifa。tajuyouyigeneibuhuanchongji，weikefumilepingtaiersheji。zheshichuandiquxianquyu
，zhengminglexuduomenjiqudongqidexiaowang。zaiciqijian，jishengmiledianrongshengxiao，congerjiangdilekai/關轉換速度。

 

 

為了補償米勒電容的遲滯效應，輸出緩衝器的作用是通過米勒平台(Miller Plateau)來(lai)增(zeng)加(jia)驅(qu)動(dong)電(dian)流(liu)。柵(zha)極(ji)端(duan)子(zi)上(shang)的(de)米(mi)勒(le)電(dian)容(rong)是(shi)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)的(de)主(zhu)要(yao)原(yuan)因(yin)。當(dang)門(men)極(ji)電(dian)壓(ya)開(kai)始(shi)上(shang)升(sheng)且(qie)驅(qu)動(dong)器(qi)輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)與(yu)門(men)極(ji)電(dian)壓(ya)之(zhi)差(cha)減(jian)小(xiao)時(shi)，提(ti)供(gong)大(da)電(dian)流(liu)輸(shu)出(chu)驅(qu)動(dong)，IGBT或MOSFET可以更快地通過米勒平台。這是利用輸出級的升壓效應來減少為寄生/米勒門極電容充電所需的時間來實現的。

 

NCD57001的(de)無(wu)芯(xin)變(bian)壓(ya)器(qi)技(ji)術(shu)
，在(zai)芯(xin)片(pian)級(ji)門(men)極(ji)驅(qu)動(dong)器(qi)中(zhong)提(ti)供(gong)了(le)有(you)效(xiao)的(de)隔(ge)離(li)。這(zhe)些(xie)全(quan)集(ji)成(cheng)的(de)隔(ge)離(li)式(shi)門(men)極(ji)驅(qu)動(dong)器(qi)具(ju)有(you)真(zhen)正(zheng)的(de)工(gong)程(cheng)優(you)勢(shi)，並(bing)且(qie)在(zai)需(xu)要(yao)以(yi)小(xiao)尺(chi)寸(cun)實(shi)現(xian)高(gao)隔(ge)離(li)度(du)的(de)應(ying)用(yong)中(zhong)是(shi)光(guang)隔(ge)離(li)驅(qu)動(dong)器(qi)的(de)絕(jue)佳(jia)替(ti)代(dai)品(pin)。其(qi)為(wei)克(ke)服(fu)米(mi)勒(le)平(ping)台(tai)而(er)設(she)計(ji)的(de)輸(shu)出(chu)升(sheng)壓(ya)級(ji)還(hai)提(ti)高(gao)了(le)開(kai)關(guan)效(xiao)率(lv)。隨(sui)著(zhe)越(yue)來(lai)越(yue)多(duo)的(de)應(ying)用(yong)采(cai)用(yong)高(gao)直(zhi)流(liu)電(dian)壓(ya)
，對(dui)高(gao)效(xiao)和(he)安(an)全(quan)隔(ge)離(li)的(de)需(xu)求(qiu)也(ye)在(zai)增(zeng)長(chang)。因(yin)此(ci)，創(chuang)新(xin)方(fang)案(an)如(ru)NCD57001可真正為您的下一個功率開關應用帶來積極的改變。

 

 

推薦閱讀：